GAN异质结构

作品数:10被引量:25H指数:2
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相关作者:沈波许福军唐宁张国义秦志新更多>>
相关机构:北京大学南京大学电子科技大学中国科学院更多>>
相关期刊:《半导体技术》《核技术》《稀有金属》《微纳电子技术》更多>>
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  • 基金=国家重点基础研究发展计划(G20000683)x
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Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中二维电子气的磁致子带间散射效应
《稀有金属》2004年第3期480-483,共4页唐宁 沈波 陈敦军 桂永胜 仇志军 郑有炓 
国家重点基础研究专项 (G2 0 0 0 0 683 ) ;国家高科技研究发展计划 (2 0 0 2AA3 0 53 0 4) ;江苏省创新人才基金 (BK2 0 0 3 411) ;国家自然科学基金(60 13 60 2 0 ) ;国家杰出青年基金(60 3 2 5 413 );教育部博士点基金 ( 2 0 0 2 0 2 840 2 3 )资助项目
通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0 .2 2 Ga0 .78N/GaN异质结二维电子气 ( 2DEG)的磁电阻振荡现象。观察到了磁致子带间散射 (MIS)效应。在极低温下观察到了表征两个子带被 2DEG占据的双周期舒勃尼科夫 德哈斯 (SdH...
关键词:AlxGa1-xN/GaN异质结构 二维电子气 磁致子带间散射 
Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中Al组分对二维电子气性质的影响被引量:21
《物理学报》2003年第7期1756-1760,共5页孔月婵 郑有炓 储荣明 顾书林 
国家自然科学基金 (批准号 :60 13 60 2 0 );国家重点基础研究专项基金 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 )资助的课题~~
通过用数值计算方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程 ,研究了Al组分对AlxGa1 -xN GaN异质结构二维电子气性质的影响 ,给出了AlxGa1 -xN GaN异质结构二维电子气分布和面密度 ,导带能带偏移以及子带中电子分布随AlxGa1 -xN势垒层中Al组分的...
关键词:AlxGal-xN/GaN异质结构 铝组分 二维电子气 自发极化 压电极化 能带偏移 半导体 氮镓铝化合物 氮化镓 
调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的微应变被引量:1
《核技术》2002年第10期799-804,共6页谭伟石 沙昊 沈波 蔡宏灵 吴小山 蒋树声 郑文莉 贾全杰 姜晓明 
国家重点基础研究专项 (G2 0 0 0 0 6 83);国家自然科学基金 (6 0 136 0 2 0;6 9976 0 14等 );国家高科技 (86 3)发展计划资助
用MOCVD方法在 (0 0 0 1)取向的蓝宝石 (α -Al2 O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0 .2 2Ga0 .78N/GaN异质结构 ,利用高分辨X射线衍射 (HRXRD)测量了其对称反射 (0 0 0 2 )和非对称反射 (10 14 )的倒易空间图 (RSM )。分析结果表明 ,...
关键词:调制掺杂 微应变 AlxGa1-x/GaN 异质结构 高分辨X射线衍射 微结构 驰豫线模型 半导体材料 氮化镓  
Pb(Zr<sub>0.53</sub>Ti<sub>0.47</sub>)O<sub>3</sub>/Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文)被引量:1
《发光学报》2001年第S1期57-60,共4页沈波 李卫平 周玉刚 毕朝霞 张荣 郑泽伟 刘杰 周慧梅 施毅 刘治国 郑有炓 Someya T Arakawa Y 
国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14和 6 99870 0 1) ;国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83) ;国家高技术研究和发展项目;日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~
通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN...
关键词:C-V特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 ALXGA1-XN/GAN 
Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文)
《发光学报》2001年第z1期57-60,共4页沈波 李卫平 周玉刚 毕朝霞 张荣 郑泽伟 刘杰 周慧梅 施毅 刘治国 郑有炓 Someya T Arakawa Y 
国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14和 6 99870 0 1) ;国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83) ;国家高技术研究和发展项目;日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~
通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN...
关键词:C-V特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 ALXGA1-XN/GAN 
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