LDMOS

作品数：423被引量：340H指数：7
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：李肇基张波乔明孙伟锋方健更多>>
相关机构：电子科技大学东南大学上海华虹宏力半导体制造有限公司西安电子科技大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=半导体技术x
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究
《半导体技术》2024年第8期758-766,共9页王永维 黄柯月 王芳 温恒娟 陈浪涛 周锌 赵永瑞 
绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化...
关键词：辐射电荷 总电离剂量(TID)辐射效应 绝缘体上硅(SOI) 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 击穿电压 导通电流 
SiC功率LDMOS器件发展现状及新进展
《半导体技术》2023年第11期949-960,共12页杨帅强 刘英坤 
集成化和小型化是未来电力电子技术的发展方向,SiC-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件兼有SiC材料优势和LDMOS器件优势,击穿电压高、比导通电阻低、易与其他器件集成,在单片功率集成和小型化应用中起着重要的作用,但受限于晶圆材料...
关键词：SiC-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 衬底 晶面 器件结构 击穿电压 比导通电阻 
50～75MHz 1200W脉冲功率LDMOS器件的研制
《半导体技术》2017年第8期603-607,共5页张晓帆 郎秀兰 李亮 李晓东 
分析了工作于甚高频(VHF)频段的千瓦级横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的输出功率、漏极效率及功率增益等关键参数在设计时应考虑的因素,在此基础上,采用0.8μm LDMOS工艺成功研制了一款工作于VHF频段的脉冲大功率硅LDMOS场效应晶...
关键词：硅 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 脉冲 大功率 宽带 千瓦级 
一种高频E类功率放大器设计方法被引量：2
《半导体技术》2015年第9期658-662,共5页刘超 陈钟荣 
国家自然科学基金资助项目(41075025)
E类功率放大器（PA）具有设计简单和高效率的优点,然而频率较高时功率管的寄生输出电容大于E类功率放大器所需的电容,这个寄生输出电容导致E类功率放大器的效率降低。提出一种高频E类功率放大器的设计方法,使用负载牵引得到考虑寄生输...
关键词：负载牵引 E类 功率放大器(PA) 最大频率 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 谐波阻抗 
高效率包络跟踪功率放大器被引量：1
《半导体技术》2015年第7期494-498,共5页袁芳标 曾大杰 宋贺伦 张耀辉 
国家科技重大专项资助项目(2014ZX03003009);国家自然科学基金资助项目(51377159);江苏省科技计划资助项目(BK2011362);苏州市科技计划资助项目(SYG201335);中国科学院先导专项资助项目(XDA06010705)
基于功率放大器(PA)效率提高技术,设计了一套包络跟踪(ET)功率放大器系统,射频(RF)功率放大器的漏极采用三电位G类结构的包络跟踪放大器提供自适应电压偏置,包络放大器包含两个自主设计的横向双扩散晶体管(LDMOS)开关管,RF功率放大器采...
关键词：包络跟踪 功率放大器(PA) 高效率 横向双扩散晶体管(LDMOS) 开关管 
基于BCD工艺的局部电荷补偿超结LDMOS
《半导体技术》2014年第5期352-356,共5页王文廉 王玉 贾振华 
国家自然科学基金资助项目(61106077)
针对功率集成电路中的高压器件应用,提出一种局部电荷补偿超结横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件结构。利用常规LDMOS工艺,通过调整n阱的版图尺寸,在漏区形成局部的电荷补偿,可以缓解横向超结器件中存在的衬底辅助耗尽效应,促进超...
关键词：功率器件 超结(SJ) 集成电路 衬底辅助耗尽效应 击穿电压 
50～75MHz550W脉冲功率LDMOSFET器件研制被引量：7
《半导体技术》2014年第5期365-369,共5页邓建国 张晓帆 刘英坤 胡顺欣 孙艳玲 郎秀兰 
介绍了射频功率横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOSFET）器件的设计原理，分析了影响器件输出功率、增益、效率和可靠性的关键因素。报道了采用扩散通源结构实现源极到衬底的低阻导通，采用TiSi，／多晶硅复合栅结构降低栅...
关键词：LDMOSFET 硅 甚高频(VHF) 长脉冲 大功率 
L波段高功率密度LDMOS脉冲功率测试方法
《半导体技术》2012年第10期819-823,共5页王帅 李科 丛密芳 杜寰 韩郑生 
报道了在工作电压50 V、频率1.2 GHz下,功率密度1.2 W/mm射频LDMOS功率器件的研制结果。由于大功率LDMOS功率器件输入阻抗小,在50Ω负载牵引系统下测试容易出现低频振荡,严重损坏待测器件。为了消除这种低频振荡,更好地进行功率测试,研...
关键词：横向双扩散场效应管器件 L波段 功率密度 脉冲功率 TRL低阻抗测试夹具 
双n型深阱隔离式高压n型沟道LDMOS器件设计被引量：1
《半导体技术》2012年第8期603-607,共5页孙尧 刘剑 段文婷 陈瑜 陈华伦 
为了进一步优化高压LDMOS器件的耐压和比导通电阻的关系,提出了一种新颖的隔离式双n型深阱高压n型沟道LDMOS器件结构。采用独特的双n型深阱结构工艺替代传统结构工艺中的单n型深阱,解决了垂直方向上的pnp(p型阱-DNW-p型衬底)穿通问题和...
关键词：双n型深阱 隔离式高压n型沟道LDMOS 击穿电压 比导通电阻 非埋层工艺 
改进的RF-LDMOS小信号模型参数提取方法被引量：1
《半导体技术》2012年第2期159-163,共5页王帅 李科 陈蕾 姜一波 龚鸿雁 杜寰 韩郑生 
准确地提取RF-LDMOS小信号模型参数对LDMOS大信号模型建模十分重要,而且好的小信号模型能很好地反映微波器件的性能。针对LDMOS提出了一种改进的小信号模型参数提取方法,此方法增加了测试结构的建模和参数提取,极大地方便了S参数曲线的...
关键词：LDMOS 小信号模型 去嵌入 参数提取 曲线拟合 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部