L波段

作品数：1212被引量：2209H指数：20
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：戴永胜王冬樊玉伟陈代兵秦奋更多>>
相关机构：电子科技大学西安电子科技大学中国科学院中国工程物理研究院更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划公益性行业(气象)科研专项更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=半导体技术x
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
一种L波段300W GaN脉冲功率模块
《半导体技术》2024年第6期555-560,共6页董四华 刘英坤 高永辉 秦龙 
随着第三代半导体GaN器件技术的不断发展,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在电子系统中逐步得到了广泛应用。研制了一款小型化L波段300 W GaN脉冲功率模块。研发了满足高压脉冲工作条件的GaN HEMT芯片,采用负载牵引技术进行了器件大信号阻...
关键词：GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 负载牵引技术 高压脉冲调制 L波段 功率模块 
L波段220W高效率固态功率放大器
《半导体技术》2023年第9期787-792,817,共7页王忠 王军 银军 郭贺军 何静东 牛赫一 王建宾 
为满足某系统高功率高效率固态功率放大器的需求,研制了L波段220 W高效率固态功率放大器。基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)芯片,通过器件的内部匹配网络和外部匹配电路的优化,在C类工作状态下,实现了高效率的L波段160 W GaN功率器件;...
关键词：GAN器件 L波段 功率合成器 高效率 结温 
L波段1500W GaN功率放大器
《半导体技术》2023年第3期218-223,共6页史强 要志宏 蒙燕强 曹欢欢 
基于0.5μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺对GaN芯片结构进行了改进。通过优化场板参数提高击穿电压,通过优化接地孔分布方式降低管芯热阻,设计了单指栅宽1500μm、总栅宽120 mm的改进型GaN HEMT。该芯片具有高击穿电压305 V、低热阻...
关键词：L波段 GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 场板结构 结温 预匹配 
L波段四通道发射电路芯片的设计与实现被引量：4
《半导体技术》2018年第7期504-509,共6页王鑫华 陈明辉 杨格亮 
河北省自然科学基金和重点基础研究专项资助项目(18960202D)
基于有源相控阵雷达的应用,设计了一款四通道的发射芯片,适用于发射1.2-1.4 GHz的射频信号。电路设计采用直接上变频的结构,将低频的基带信号转换为射频信号。针对直接上变频输出谐波多和输出功率低的问题,采用高阶滤波器、窄带选频网...
关键词：发射芯片 直接上变频 有源RC滤波器 双平衡混频器 四通道 CMOS工艺 
L波段350 W AlGaN/GaN HEMT器件研制被引量：4
《半导体技术》2018年第6期437-442,共6页张力江 默江辉 崔玉兴 付兴昌 李献杰 张彤 
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400303)
基于高纯半绝缘碳化硅衬底,采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）外延材料。室温下霍尔测试结果表明,外延层二维电子气迁移率为1 950 cm^2/（V·s）,方块电阻为350Ω,电阻均匀性为3%。通过...
关键词：AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) L波段 大功率 高效率 场板 
宽脉冲大占空比L波段500W内匹配GaN HEMT器件
《半导体技术》2016年第6期451-455,466,共6页邬佳晟 徐守利 刘英坤 刘秀博 
基于GaN微波功率器件工艺研发了GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）芯片。采用场板结构提高芯片的击穿电压,采用多子胞结构改善热分布,使用微波软件提取管芯的输入、输出阻抗。采用T型匹配网络并加入稳定电阻,提升管芯的输入阻抗并提高电路...
关键词：GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 内匹配 T型匹配网络 负载牵引 宽脉冲 大占空比 大功率晶体管 
集成L波段VCO的频率合成器设计
《半导体技术》2014年第12期888-891,916,共5页卢东旭 高博 吴洁 田国平 
从频率合成器的构成和噪声模型入手,分析了主要单元电路对噪声的贡献,进而研究了各频率合成器模块中的噪声影响因子,建立了不同模块的噪声模型,并在模型基础上改进了压控振荡器的电流源结构及鉴相器的延时单元电路,从而提高了频率合成...
关键词：频率合成器 相位噪声 压控振荡器 鉴相器 电荷泵 
L波段高效率内匹配GaN HEMT被引量：7
《半导体技术》2014年第7期512-515,共4页银军 武继斌 张志国 高学邦 吴洪江 
研究了一种基于国产SiC衬底的L波段GaN高效率内匹配器件。利用在片微波测试和直流测试相结合方法获得器件的小信号模型,外推得到大信号模型,并进行负载牵引方法验证。在此基础上设计两胞匹配电路,采用电感-电容匹配网络,器件阻抗提升到1...
关键词：GAN HEMT 内匹配 L波段 功率 高效率 
英飞凌推出输出功率700 W的L波段晶体管
《半导体技术》2014年第5期356-356,共1页
2014年4月10日，英飞凌科技股份公司宣布推出700WL波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率（700W），适用于工作频率范围为1200～1400MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少所需的组件，降低系统成本，提高可靠性。
关键词：功率晶体管 输出功率 L波段 雷达系统 股份公司 频率范围 高可靠性 射频 
L波段GaN HEMT器件的研制被引量：3
《半导体技术》2014年第5期357-360,369,共5页闫锐 银军 崔玉兴 张力江 付兴昌 高学邦 吴洪江 蔡树军 杨克武 
基于标准工艺自主研制了L波段0．5μm栅长的GaNHEMT器件。该器件采用了利用MOCVD技术在3英寸（1英寸=2．54cm）SiC衬底上生长的A1GaN／GaN异质结外延材料，通过欧姆接触工艺的改进将欧姆接触电阻值控制在了0．4Ω·mm以内，采用场板技...
关键词：GAN 内匹配 L波段 功率 高效率 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部