超浅结

作品数：24被引量：13H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：严利人周卫黄如李超波刘朋更多>>
相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中国科学院微电子研究所上海华力微电子有限公司清华大学更多>>
相关期刊：《质谱学报》《微电子学》《中国集成电路》《电子科技文摘》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国家教育部博士点基金天津市高等学校科技发展基金计划项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=集成电路应用x
共 条 记 录，以下是1-4
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
尖峰退火在深亚微米超浅结中的应用被引量：1
《集成电路应用》2008年第6期45-46,共2页周庆刚 
栅极和沟道的尺寸缩小，受限于源／漏结点和栅介质的发展。尽管金属栅和高k材料在逐步应用，短沟道效应（SCE）依然是个重大挑战。晶体管也会有多种二级效应：影响迁移率的载流子速度饱和效应、缩短器件寿命的热载流子效应和降低亚阈特...
关键词：深亚微米 应用 超浅结 热载流子效应 短沟道效应 退火 尺寸缩小 高K材料 
3-D分析进展满足器件要求
《集成电路应用》2008年第5期34-35,共2页Alexander E.Braun 
尽管已经出现了多种工具和概念，但超浅结（USJ）的分析仍然是一个需要解决且无法避免的问题。“在测量方法学上，要夺得这一圣杯，你需要绘制出器件完整的3-D分布——包括掺杂和载流子，”IMECS工艺技术部门材料与元件分析组的负责人Wi...
关键词：平面器件 3-D 载流子分布 FINFET 深度分辨率 技术部门 超浅结 方法学 
降低栅掺杂和超浅结的制程可变性
《集成电路应用》2007年第1期34-39,共6页John Ogawa Borland 
随着器件尺寸的缩小,离子注入和退火等制程的可变性开始引起器件阈值电压的显著变化。对此,器件制造商有两个选择:要么围绕可变性来设计制程,要么改变制程设备。本文将探讨在65至32nm节点下DRAM与逻辑器件的各种可选择方案。
关键词：制程设备 可变性 超浅结 掺杂 器件尺寸 阈值电压 离子注入 逻辑器件 
Epion实现超浅掺杂Thoughput的重大提高
《集成电路应用》2006年第8期16-16,共1页
气体丛离子束（GCIB）开发商Epion宣布对其nFusion^TM掺杂系统产生的离子束电流实现了重大性能提高。增强的离子束质量传递不仅使晶圆的throughput提高，并且提高了表面掺杂浓度，可应用于包括DRAM制造中超浅结和多晶双栅硼掺杂，以及...
关键词：掺杂浓度 离子束 质量传递 DRAM 硼掺杂 超浅结 光刻胶 晶圆 双栅 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部