超深亚微米

作品数：87被引量：168H指数：5
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超深亚微米工艺下的电路级耦合SET脉冲注入被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第9期1819-1822,共4页刘必慰 陈书明 梁斌 刘征 
高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(批准号:20079998015)~~
超深亚微米工艺下在电路模拟器中使用独立电流源方法的单粒子瞬态(single event transient,SET)脉冲注入与实验结果有很大误差.作者提出了一种基于二维查找表的耦合电流源注入的方法,并且基于开源的SPICE代码实现.该方法的计算结果与器...
关键词：单粒子瞬态 脉冲注入 辐射效应 
温度对数字电路中单粒子瞬态脉冲的影响被引量：3
《Journal of Semiconductors》2008年第7期1407-1411,共5页梁斌 陈书明 刘必慰 
武器装备预研基金资助项目(批准号:9140A08040507KG01)~~
利用三维TCAD混合模拟研究了温度对0.18μm工艺下反相器链中DSET脉冲宽度的影响.结果发现,温度对DSET的影响要比温度对SEU的影响严重得多.在LET为60MeV.cm2/mg的条件下,当温度从-55℃升高到125℃时,DSET脉冲宽度约增加了58.8%.
关键词：混合模拟 DSET 超深亚微米 辐射 
适用于超深亚微米光刻仿真的建模和优化
《Journal of Semiconductors》2007年第8期1320-1324,共5页沈珊瑚 史峥 谢春蕾 严晓浪 
国家自然科学基金资助项目(批准号:90207002)~~
提出了一种新颖的利用版图轮廓的超深亚微米光刻工艺建模流程.该流程采用的方法主要包括:首先将代表纯光学模型的传输交叉系数矩阵通过圆极化采样正交投影成更小规模的矩阵,同时用该组相同的极化采样基表示掩模图形;然后用目标电路版图...
关键词：光刻建模 版图轮廓 圆极化采样 遗传算法 光学邻近校正 
超深亚微米CMOS工艺参数波动的测量电路被引量：2
《Journal of Semiconductors》2006年第9期1686-1689,共4页杨媛 高勇 余宁梅 
西安应用材料创新基金资助项目(批准号:XA-AM-200514)~~
分析了超深亚微米工艺参数波动对电路的影响;采用“放大”的思路设计了简单的用于测量超深亚微米工艺门延迟、动态功耗、静态功耗及其波动的电路,并提出了一种用于测量门延迟波动特性曲线的新型电路,该电路采用较短的反相器链可以得到...
关键词：超深亚微米 门延迟 动态功耗 漏电流功耗 
超深亚微米LDD nMOSFET中的非幸运电子模型效应
《Journal of Semiconductors》2005年第7期1390-1395,共6页杨林安 于春利 郝跃 
国家自然科学基金(批准号:60376024);国家高科技研究发展计划(批准号:2003AA1Z1630)资助项目~~
通过对采用0.18μmCMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现,短沟薄栅氧LDDnMOSFET(Lg=0.18μm,Tox=3.2nm)在沟道热载流子(CHC)应力下的器件寿命比在漏雪崩热载流子(DAHC)应力下的器件寿命要短,这与通常...
关键词：LDD NMOSFET 热载流子退化 沟道热载流子应力 漏雪崩热载流子应力 幸运电子模型 
0.1μm槽栅CMOS器件及相关特性
《Journal of Semiconductors》2005年第3期532-535,共4页张晓菊 马晓华 任红霞 郝跃 孙宝刚 
国家自然科学基金(批准号:60376024);中国科学院科技创新基金(批准号:CXJJ 55)资助项目~~
通过实验成功得到了0 1μm槽栅结构CMOS器件,验证了理论结果的正确性,表明这是一种优良的小尺寸器件结构.该槽栅器件具有阈值电压漂移较小及较好抑制短沟道效应的特点,并分析了目前器件驱动电流较小的原因及解决办法.
关键词：槽栅结构 CMOS 超深亚微米 
超深亚微米下快速电源网格节点电压求解器被引量：1
《Journal of Semiconductors》2004年第11期1532-1536,共5页杨垠丹 严晓浪 史峥 葛海通 
国家高技术研究发展计划资助项目 (批准号 :2 0 0 2 AA1Z14 60 )~~
提出了利用预处理器来提供强大的压缩节点功能 ,大大提高了电源网格节点电压求解器的求解能力和求解速度 .实验证明 ,该求解器能处理大规模电路设计 ,速度快 。
关键词：超深亚微米 VLSI 电源网格节点电压求解器 
超深亚微米PMOSFET器件的NBTI效应被引量：2
《Journal of Semiconductors》2003年第6期626-630,共5页韩晓亮 郝跃 
国家自然科学基金 (批准号 :60 2 0 60 0 6);军事重大预研 ( No.4130 80 60 30 5 )资助项目~~
研究了超深亚微米 PMOS器件中的 NBTI(负偏置温度不稳定性 )效应 ,通过实验得到了 NBTI效应对PMOSFET器件阈值电压漂移的影响 ,并得到了在 NBTI效应下求解器件阈值电压漂移的经验公式 .分析了影响NBTI效应的主要因素 :器件栅长、硼穿通...
关键词：超深亚微米 NBTI效应 可靠性 
超深亚微米非对称Halo LDD低功耗新器件的研究分析被引量：1
《Journal of Semiconductors》2003年第5期510-515,共6页田豫 黄如 
国家重点基础研究专项基金资助项目 (编号 :2 0 0 0 0 36 5 0 1)~~
提出了一种新的器件结构——非对称 Halo L DD低功耗器件 ,该器件可以很好地抑制短沟效应 ,尤其可以很好地改善 DIBL效应、热载流子效应以及降低功耗等 ,是低功耗高集成度电路的优选结构之一 .分析了非对称 HaloL DD器件的主要特性 ,并...
关键词：超深亚微米 非对称 HaloLDD 低功耗 高集成度电路 
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