吴汶海

作品数：14被引量：12H指数：3
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发文主题：HGCDTECDMN半磁半导体化合物半导体更多>>
发文领域：电子电信理学化学工程更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》《光子学报》《化学学报》《红外技术》更多>>
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碲镉汞衬底上沉积类金刚石薄膜的界面分析被引量：1
《红外与毫米波学报》2002年第3期238-240,共3页居建华 夏义本 桑文斌 王林军 吴汶海 汤定元 
采用等离子增强化学气相法 (PECVD)在碲镉汞 (MCT)衬底上沉积纳米颗粒的类金刚石薄膜 (DLC) ,对DLC MCT界面进行了俄歇电子能谱 (AES)分析 ,并与离子溅射法 (IS)沉积的ZnS MCT界面比较 ,结果表明DLC和ZnS薄膜都能较好地抑制MCT中HgTe的...
关键词：碲镉汞衬底 沉积 类金刚石薄膜 界面分析 等离子增强化学气相法 纳米颗粒 光电器件 
碲镉汞物理与化学钝化界面的AES研究被引量：3
《红外与毫米波学报》2002年第z1期23-27,共5页史伟民 李冬梅 钱永彪 居建华 王林军 闵嘉华 桑文斌 吴汶海 
采用化学和物理方法分别在Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ(ＭＣＴ)表面制备了阳极氟化膜、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ和类金刚石薄膜(ＤＬＣ)钝化层．采用俄歇光谱(ＡＥＳ)和红外透射光谱(ＩＲ)研究了这些钝化层与ＭＣＴ之间的界面特性．结果表明:与阳极...
关键词：HgCdTe 表面钝化 界面. 
关于硅薄膜液相外延中氧化问题的若干讨论被引量：2
《上海大学学报（自然科学版）》2000年第3期194-198,共5页史伟民 闵嘉华 王林军 钱永彪 刘冬华 陈培峰 桑文斌 吴汶海 
从热力学角度对 L PE中同时存在的 Si氧化与 Si O2 腐蚀的动态平衡过程进行了分析 ,表明在 Si的低温同质液相外延中 ,一般的 L PE条件很难解决防止 Si的氧化问题 .作者尝试采用饱和 Sn源保护 Si衬底的方法来解决硅氧化问题 ,通过对外延...
关键词：硅氧化 液相外延 硅薄膜 LPE CVD 表面形貌 
类金刚石薄膜作为HgCdTe红外器件增透膜和钝化膜的研究被引量：3
《功能材料与器件学报》1998年第3期213-216,共4页居建华 吴汶海 许俊芬 戴文琦 夏义本 
采用高频等离子化学气相沉积法（ＲＦＣＶＤ）在ＨｇＣｄＴｅ红外器件上沉积类金刚石薄膜。俄歇电子能谱对ＤＬＣ／ＨｇＣｄＴｅ界面分析结果表明类金刚石薄膜中的碳原子对衬底材料影响较小，７０ｎｍ的类金刚石薄膜能抑制衬底组份的外...
关键词：类金刚石薄膜 红外器件 增透膜 钝化膜 
分压控制下高纯、高x值CdZnTe晶体气相生长的研究被引量：3
《红外技术》1998年第6期17-21,16,共6页钱永彪 桑文斌 王林军 史伟民 闵嘉华 吴汶海 
国家自然科学基金;上海市教委发展基金
尝试采用布里奇曼法生长ＣｄＺｎＴｅ为原材料进行了高ｘ值（ｘ＝０．０４～０．６０）Ｃｄ１－ｘＺｎｘＴｅ晶体在压力控制下的物理气相输运（ＰＶＴ）生长研究。探讨了Ｃｄ源和ＣｄＺｎ合金温度对晶体电学性质的影响。并对ＰＶＴ晶体...
关键词：PVT生长 核探测器 红外光学材料 晶体生长 
Te溶液生长半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe的光学和电学性质研究
《应用科学学报》1997年第1期107-111,共5页莫要武 吴汶海 
测量了Ｔｅ溶液生长半磁半导体（ＳＭＳＣ）Ｃｄ１－ＭｎＴｅ的导电类型、电阻率、霍尔迁移率和光致发光（ＰＬ）．测定结果表明，Ｔｅ溶液生长Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ晶体质量和稳定性均优于布里奇曼长晶，根据正四面体配位晶场中Ｍｎ２...
关键词：溶液生长 半磁半导体 光学性质 碲锰镉半导体 
Hg_(1-x)Cd_xTe平衡蒸汽压的热力学研究
《化学学报》1996年第12期1151-1158,共8页桑文斌 吴汶海 
国家自然科学基金资助项目
Hg_(1-x)Cd_xTe熔体组元平衡蒸汽分压是晶体制备中必须考虑的重要热力学参数,文献报道中数据差别很大,影响对该材料进一步研究.本文根据光吸收原理,系统测定x=0～0.4的Hg_(1-x)Cd_xTe系熔体平衡汞和碲分压,运用热力学关系计算镉分压,讨...
关键词：HGCDTE 势力学 蒸汽压 光吸收 
影响InGaP／InP半导体激光器阈值电流密度若干问题的研究
《上海大学学报（自然科学版）》1996年第6期689-696,共8页桑文斌 闵嘉华 钱永彪 莫要武 陈培峰 王林军 吴汶海 刘苏生 张向东 
本文对影响ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器阈值电流密度的晶格失配，掩埋异质结构和掺杂控制等问题进行了分析和讨论．从Ｋｕｐｈａｌ和Ａｒａｉ模型着手计算了与ＩｎＰ晶格匹配ＩｎＧａＡｓＰ的熔体组成．并从实验上进行了仔细调整．获...
关键词：INGAASP 半导体激光器 磷化铟 阈值电流密度 
液相外延制备InGaAsP／InP掩埋异质结若干工艺问题的讨论
《光子学报》1996年第10期893-897,共5页桑文斌 钱永彪 闵嘉华 莫要武 陈培峰 王林军 吴汶海 陈高庭 
本文对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ（ＤＣ－ＰＢＨ）激光器掩埋异质结液相外延生长中的几个关键工艺问题进行了研究，提出了获得有利于沟道掩埋生长的理想沟道几何图形的新的腐蚀配方（Ｂｒ＿２／ＨＢｒ），对二次外延再生长光刻腐蚀面损伤...
关键词：LPE 掩埋异质结 激光二极管 INGAASP 磷化铟 
露点法测定Hg_（1－x）Cd_xTe熔体平衡Hg蒸气压
《应用科学学报》1996年第2期248-252,共5页桑文斌 于美云 吴汶海 
露点法测定Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ熔体平衡Ｈｇ蒸气压桑文斌，于美云，吴汶海（上海大学，嘉定校区）关键词碲镉汞，平衡汞分压，露点测定ＨｇｏｄＴｅ是当今世界上极其重要的一种红外探测器材料，国内外都十分重视这种材料的研...
关键词：HGCDTE 平衡汞分压 露点法 汞蒸气压 
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