国家自然科学基金(60176013)

作品数：8被引量：41H指数：5
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相关作者：张卫卢红亮任杰徐敏曾磊更多>>
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相关期刊：《中国集成电路》《功能材料》《无机材料学报》《半导体技术》更多>>
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集成电路Cu互连线的XRD研究被引量：7
《半导体技术》2008年第11期985-987,共3页徐赛生 曾磊 张立锋 顾晓清 张卫 汪礼康 
国家自然科学基金项目(60176013);上海市科委AM基金(0304)
对硫酸盐体系中电镀得到的Cu镀层,使用XRD研究不同电沉积条件、不同衬底和不同厚度镀层的织构情况和择优取向。对比了直流电镀和脉冲电镀在有添加剂和无添加剂条件下的织构情况。实验结果表明,对于在各种条件下获得的1μm Cu镀层,均呈现...
关键词：铜互连 X射线衍射 织构系数 择优取向 添加剂 
脉冲时间参数对电沉积铜薄膜性能的影响被引量：6
《中国集成电路》2007年第1期52-56,共5页徐赛生 曾磊 张立锋 张炜 张卫 汪礼康 
国家自然科学基金项目(60176013);上海市科委AM基金(No.0304)
针对先进纳米铜互连技术的要求,研究了脉冲时间和关断时间对铜互连薄膜电阻率、晶粒尺寸和表面粗糙度等性能的影响。实验结果表明,占空比较小时,镀层电阻率较大,晶粒直径较小。脉冲时间选择在毫秒数量级,占空比选择在40%～60%之间容易...
关键词：铜互连 脉冲电镀 电阻率 晶粒尺寸 表面粗糙度 
集成电路铜互连线脉冲电镀研究被引量：7
《半导体技术》2006年第5期329-333,共5页曾磊 徐赛生 张立锋 张玮 张卫 汪礼康 
国家自然科学基金项目(60176013);上海市科委AM基金(0304)
针对先进纳米铜互连技术的要求,研究了脉冲电流密度对铜互连线电阻率、晶粒尺寸和表面粗糙度等性能的影响。实验结果表明,2～4A/dm2电流密度下的铜镀层拥有较小电阻率、较小的表面粗糙度和较大的晶粒尺寸。
关键词：铜互连 脉冲电镀 电阻率 X射线衍射 
原子层淀积Al_2O_3薄膜的热稳定性研究被引量：16
《无机材料学报》2006年第5期1217-1222,共6页卢红亮 徐敏 丁士进 任杰 张卫 
国家自然科学基金(60176013);上海市科委重点项目(04JC04013)
以Al(CH3)3和H2O为反应源,在270℃下用原子层淀积(ALD)技术在Si衬底上生长了Al2O3薄膜．采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等分析手段对Al2O3薄膜的热稳定性进行了研究．结果表...
关键词：AL2O3薄膜 原子层淀积(ALD) X射线光电子能谱(XPS) 
Synthesis and Characterization of SiCOF/a-C∶F Double-Layer Films with Low Dielectric Constant for Copper Interconnects~*
《Journal of Semiconductors》2006年第3期429-433,共5页张卫 朱莲 孙清清 卢红亮 丁士进 
国家自然科学基金(批准号:60176013);上海先进材料研究发展基金(批准号:0304)资助项目~~
A novel double-layer film of SiCOF/a-C ： F with a low dielectric constant is deposited using a PECVD system. The chemical structure of the film is characterized with Fourier transform infrared spectroscopy （FTIR）. ...
关键词：low dielectric constant material FTIR SIMS 
四角晶相HfO_2(001)表面原子和电子结构研究被引量：5
《物理学报》2006年第3期1374-1378,共5页卢红亮 徐敏 陈玮 任杰 丁士进 张卫 
国家自然科学基金(批准号:60176013);上海市科委重点项目(批准号:04JC14013)资助的课题.~~
采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会产生重构现象.与体相电子结构相比,t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态密度.其次,表...
关键词：密度泛函理论 t-HfO2(001) 表面电子结构 
一种适用于开关电容电路的MOS开关栅增压电路
《Journal of Semiconductors》2005年第9期1808-1812,共5页张剑云 李建 郭亚炜 沈泊 张卫 
国家自然科学基金(批准号:60176013);上海市AM基金(批准号:0304)资助项目~~
提出了一种新的MOS器件栅增压电路,它在减小MOS开关导通电阻的同时,减少了衬偏效应以及MOS开关输出信号的失真.该电路采用了0.13μm1.2V/2.5VCMOS工艺,HSPICE的仿真结果表明该栅增压电路适用于高速低电压开关电容电路.
关键词：开关电容电路 导通电阻 MOS开关 栅增压电路 
原子层淀积制备金属氧化物薄膜研究进展被引量：2
《功能材料》2005年第6期809-812,816,共5页卢红亮 徐敏 张剑云 陈玮 任杰 张卫 王季陶 
国家自然科学基金资助项目(60176013);上海市科委重点资助项目(04JC14013)
原子层淀积(ALD)技术作为一种先进的薄膜制备方法近年来越来越得到重视,它能精确地控制薄膜的厚度和组分,实现原子层级的生长,生长的薄膜具有很好的均匀性和保形性,因而在微电子和光电子等领域有广泛的应用前景。本文综述了ALD技术的基...
关键词：原子层淀积(ALD) 金属氧化物薄膜 高K材料 
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