国家部委预研基金(41308060106)

作品数：6被引量：25H指数：3
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感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN/AlGaN被引量：1
《西安电子科技大学学报》2006年第4期520-523,共4页王冲 冯倩 郝跃 杨燕 
国家重大基础研究项目(973)资助(2002CB311904);国家部委预研项目资助(41308060106)
采用Cl2/Ar作为刻蚀气体,研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al0.27Ga0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响.GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小,随感应耦合等离子体功率的增大变化不大.在Cl2/Ar为3:...
关键词：感应耦合等离子体 刻蚀速率 选择性刻蚀 选择比 刻蚀损伤 
纤锌矿型GaN电子迁移率的计算
《西安电子科技大学学报》2005年第4期513-517,共5页杨燕 郝跃 
国家重大基础研究(973)项目(2002CB311904);国家部委预先研究项目(41308060106)
考虑了对纤锌矿型氮化镓低场电子输运影响最为显著的4种散射机制———电离杂质散射,极化光学波散射,声学波压电散射和声学声子形变势散射的单个平均动量驰豫时间,采用Mattiessensrule计算了不同补偿率以及不同载流子浓度条件下,氮化镓...
关键词：氮化镓 电子漂移迁移率 霍耳因子 霍耳迁移率 补偿率 
AlGaN/GaN HEMT研制及特性分析被引量：7
《西安电子科技大学学报》2005年第2期234-236,共3页王冲 郝跃 张进城 
国家重大基础研究项目(973)资助项目(2002CB311904);国家部委预研资助项目(41308060106)
以蓝宝石为衬底研制出栅长1μmAlGaN/GaNHEMT.在室温下,测试该器件显示出良好的输出特性和肖特基伏安特性,最大跨导160mS/mm,栅压1V下饱和电流720mA/mm,击穿电压大于50V.分析了几个关键工艺对器件特性的影响,指出较大的欧姆接触电阻(3 1...
关键词：微波功率器件 ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 
GaN基微波半导体器件研究进展被引量：4
《西安电子科技大学学报》2004年第3期367-372,421,共7页杨燕 郝跃 张进城 李培咸 
国家重大基础研究(973)项目;国家部委预研资助项目(41308060106)
GaN基微波器件以其优良的特性而在微波大功率方面具有应用潜力.对GaN半导体材料作了比较和讨论,说明了GaN材料在微波大功率应用方面的优势,并阐述了新型GaN基微波器件的最新进展,通过与其他微波器件的比较表明了GaN调制掺杂场效应晶体...
关键词：GAN 微波大功率 调制掺杂场效应晶体管 
AlGaN/GaN中二维电子气研究新进展被引量：4
《西安电子科技大学学报》2003年第3期326-330,共5页张金凤 郝跃 
国家部委预研基金资助项目(41308060106)
AlGaN/GaN异质结是氮化物微波功率器件的基本结构之一,其优越性的关键是在异质界面上形成具有高面电子密度和高迁移率的二维电子气.给出了AlGaN/GaN异质结二维电子气的面电子密度、迁移率对氮化物材料性质、异质结结构参数和温度的依赖...
关键词：A1GaN/GaN异质结 二维电子气 面电子密度 迁移率 电荷控制 
GaN基蓝色LED的研究进展被引量：10
《西安电子科技大学学报》2003年第1期60-65,共6页段猛 郝跃 
国家部委预研资助项目(41308060106)
介绍了GaN材料的基本特性、GaN材料适于做蓝光LED的优势以及具有典型代表意义的GaN基LED器件,讨论了该领域国际最新研究出的蓝光LED和工作原理;从其发展进程中不难看出,改变器件结构、提高材料质量或采用新型材料使GaN基蓝光LED的光谱...
关键词：GAN 蓝光LED 发展进程 蓝发发光二极管 氮化镓 
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