云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家重点基础研究发展计划(G2000028202)

国家重点基础研究发展计划(G2000028202): 作品数：14被引量：71H指数：6; 导出分析报告; 相关作者：赵颖耿新华张晓丹孙建朱锋更多>>; 相关机构：南开大学河北工业大学河北省信息产业厅中北大学更多>>; 相关期刊：《物理学报》《光电子．激光》《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》《Journal of Semiconductors》更多>>; 相关主题：微晶硅薄膜VHF-PECVD硅薄膜衬底温度太阳电池更多>>; 相关领域：理学电气工程电子电信一般工业技术更多>>

中频脉冲磁控溅射制备ZnO:Al透明导电薄膜被引量：6: 《光电子．激光》2006年第12期1427-1431,共5页黄宇孙建薛俊明马铁华熊强赵颖耿新华; 国家"973"重点基础研究资助项目(G2000028202);天津市自然科学基金资助项目(043604911);天津市科技发展计划资助项目(06YFGX02100); 采用中频磁控溅射工艺，以2％的Al掺杂的Zn（纯度99．99％）金属材料为靶材制备平面及绒面透明导电ZnO：Al（ZAO）薄膜，系统研究了衬底温度、工作气压和溅射功率等对平面ZAO结构和光电特性的影响，并对湿法腐蚀制备绒面ZAO薄膜进行了...; 关键词：中频磁控溅射 ZnO:Al(ZAO)薄膜衬底温度

提高微晶硅薄膜太阳电池效率的研究被引量：12: 《物理学报》2006年第12期6697-6700,共4页张晓丹赵颖高艳涛陈飞朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍; 国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000028202;G2000028203);国家自然科学基金(批准号:60506003);天津市自然科学基金(批准号:05YFJMJC01600);科学技术部国际合作计划(批准号:2005197);教育部新世纪优秀人才支持计划资助的课题.~~; 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅薄膜太阳电池,指出了气体总流量和背反射电极的类型对电池性能参数的影响.电池的I-V测试结果表明:随反应气体总流量的增加,对应电池的短路电流密度、开路电压和填充因子都有很...; 关键词：微晶硅薄膜太阳电池气体流量 ZnO/Ag/Al背反射电极

微晶硅薄膜太阳电池中孵化层研究被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2006年第6期1030-1033,共4页张晓丹赵颖高艳涛朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍; 国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000028202;G2000028203);天津市科技攻关(批准号:043186511);国家自然科学基金(批准号:60506003)资助项目~~; 对甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备的微晶硅薄膜太阳电池进行了研究.喇曼测试结果显示:微晶硅薄膜太阳电池在p/i界面存在着一定的非晶孵化层.孵化层的厚度随硅烷浓度的增加或辉光功率的降低而增大.可以通过适当的硅烷浓度或适...; 关键词：微晶硅薄膜太阳电池孵化层喇曼光谱

SUBSTRATE EFFECT ON HYDROGENATED MICROCRYSTALLINE SILICON FILMS DEPOSITED WITH VHF-PECVD TECHNIQUE: 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》2006年第4期295-300,共6页H.D. Yang; This work was supported by the National Key Basic Research and Development Programme of China （No. G2000028202 and G2000028203）; Guangdong Provincial Natural Science Foundation of China （No. 05300378） ;Programme on Natural Science of Jinan University （No. 51204056）.; Raman spectra and scanning electron microscope （SEM） techniques were used to determine the structural properties of microcrb＇stalline silicon （μc-Si：H） films deposited on different substrates with the very high...; 关键词：hydrogenated microcrystalline silicon film VHF-PECVD （very high frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition） substrate effect

激发频率对VHF-PECVD制备微晶硅材料性能的影响被引量：7: 《物理学报》2006年第3期1497-1501,共5页高艳涛张晓丹赵颖孙建朱峰魏长春; 国家"973"重大基础研究发展规划项目(批准号:G2000028202;G2000028203);国家自然科学基金(批准号:60506003);中国-希腊政府间合作项目(批准号:05YEGHHZ01400);天津市科技攻关项目(批准号:043186511)资助的课题.~~; 采用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)的方法制备了硅烷浓度分别为6%和7%,随激发频率变化(40—70MHz)的氢化微晶硅(μc-Si∶H)薄膜材料.研究了材料的电学特性、结构特性、沉积速率与激发频率之间的关系.结果发现材料的光敏性随...; 关键词：甚高频等离子增强化学气相沉积本征微晶硅激发频率

相变域硅薄膜材料的光稳定性被引量：12: 《物理学报》2006年第2期947-951,共5页王岩韩晓艳任慧志侯国付郭群超朱锋张德坤孙建薛俊明赵颖耿新华; 国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000028202;G2000028203);科技部国际合作项目(批准号:2002DFG0051);天津市国际合作项目(批准号:023100711);天津市科技攻关项目(批准号:043186511)资助的课题.~~; 采用RF-PECVD技术,通过改变反应气体的硅烷浓度制备了一系列不同晶化率不掺杂的硅薄膜材料,研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微结构的关系.随后进行了光衰退试验,在分析光照前后光电特性变化规律的基础上,认为材料中的...; 关键词：射频等离子体增强化学气相沉积硅薄膜 Staebler—Wronski(SW)效应稳定性

MOCVD制备的ZnO薄膜及其在太阳电池背电极应用被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2005年第12期2363-2368,共6页陈新亮徐步衡薛俊明赵颖张晓丹耿新华; 天津市自然科学基金(批准号:043604911;05YFJMJC01600);国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000028202;G2000028203)资助项目~~; 研究了利用LPMOCVD技术制备的不同B掺杂浓度对ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.对XRD和SEM的研究结果表明,B掺杂对ZnO薄膜的微观结构有重大影响.通过优化工艺,当B2H6流量为17sccm(约1%掺杂浓度)时,在20cm×20cm大面积衬底上生长出厚度...; 关键词：MOCVD ZNO薄膜 B掺杂背电极太阳电池

微晶硅太阳电池: 《Journal of Semiconductors》2005年第8期1582-1585,共4页张晓丹高艳涛赵颖朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍; 国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000028202;G2000028203);国际科技合作资助项目(批准号:2002DFG00051)~~; 采用VHF-PECVD技术制备了系列微晶硅太阳电池.综合测试结果表明:硅烷浓度、热阱温度和前电极都对微晶硅太阳电池的性能有影响.在湿法腐蚀的ZnO衬底上制备的电池的效率比在ZnO/SnO2复合膜上制备的电池的效率高1.5%.在优化了沉积条件后,...; 关键词：甚高频等离子体增强化学气相沉积微晶硅太阳电池 X射线衍射

电极结构对硅薄膜生长过程及材料特性的影响被引量：4: 《Journal of Semiconductors》2005年第7期1353-1358,共6页侯国付郭群超任慧志张晓丹薛俊明赵颖耿新华; 国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000028202;G2000028203);教育部(批准号:02167);天津市科委(批准号:043186511)资助项目~~; 在制备硅薄膜材料的PECVD系统中,分别采用普通平行板电极和网状电极,在相同的工艺条件下研究了电极结构对硅薄膜材料均匀性、电学性能以及微结构的影响.发现采用网状电极使薄膜(400～500nm)均匀性得到明显改善,在20cm×20cm内不均匀性从...; 关键词：网状电极硅薄膜均匀性等离子体的发光光谱

VHF-PECVD制备微晶硅材料及电池被引量：7: 《Journal of Semiconductors》2005年第5期952-957,共6页张晓丹赵颖朱锋魏长春高艳涛孙健侯国付薛俊明耿新华熊绍珍; 国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000028202;G2000028203);天津市教育局重点项目(批准号: 02176);教育部重大项目(批准号:02167);国家高技术研究发展计划(批准号:2002303261)资助项目~~; 采用VHF PECVD技术制备了不同功率系列的微晶硅薄膜和电池,测试结果表明:制备的适用于微晶硅电池的有源层材料的暗电导和光敏性都在电池要求的参数范围内.低功率或高功率条件下,电池从n和p方向的喇曼测试结果是不同的,在晶化率方面材料...; 关键词：甚高频等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜微晶硅电池

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