国家重点基础研究发展计划(2001CB610503)

作品数：43被引量：156H指数：7
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相关作者：薛增泉吴锦雷侯士敏张琦锋赵兴钰更多>>
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相关期刊：《真空科学与技术学报》《真空》《Journal of Semiconductors》《贵金属》更多>>
相关主题：场发射碳纳米管单壁碳纳米管场发射特性场发射显微镜更多>>
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氧化锌薄膜的p型掺杂及光学和电学性质研究被引量：1
《材料科学与工艺》2009年第5期686-690,695,共6页李韫慧 张琦锋 孙晖 薛增泉 吴锦雷 
国家重点基础研究发展规划项目(2001CB610503);国家自然科学基金资助项目(60471007;60471008;90406024;50672002);北京市自然科学基金资助项目(4042017)
为了实现氧化锌薄膜的p型掺杂,从而制备氧化锌同质p-n结,采用化学气相沉积法,以二水合醋酸锌为前驱,醋酸铵为氮源,在氧气氛下制备了氮掺杂的p型氧化锌薄膜.利用X射线光电子能谱和X射线衍射分析,表征了氧化锌薄膜的化学成分.通过霍尔效...
关键词：ZNO薄膜 掺杂 p—n结 光致发光 
基于氧化锌纳米线的紫外发光二极管被引量：15
《物理学报》2007年第6期3479-3482,共4页孙晖 张琦锋 吴锦雷 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610503);国家自然科学基金(批准号:60471007;60471008;90406024;50672002)资助的课题~~
构建了基于n-ZnO纳米线/p-Si异质结的紫外发光二极管.ZnO纳米线准阵列采用水热法生长于重掺p型Si片上.此法简易,反应温度低,易于大规模生产;其产物ZnO纳米线结晶良好,以c轴为优势取向,光激发下的紫外荧光发射很强.二极管的电学接触采用...
关键词：ZNO纳米线 异质结 电致发光 水热法 
ZnO纳米线双绝缘层结构电致发光器件制备及特性研究被引量：20
《物理学报》2007年第4期2399-2404,共6页常艳玲 张琦锋 孙晖 吴锦雷 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610503);国家自然科学基金(批准号:60471007;60471008;90406024;50672002);北京市自然科学基金(批准号:4042017)资助的课题.~~
在利用液相法生长ZnO纳米线薄膜的基础上,构造成功基于ZnO纳米线双绝缘层结构的交流电致发光器件.此器件呈现出良好的阻容特性,在室温下以一定频率的交流电压驱动,可观察到近紫外波段387nm处和可见光波段552nm处的发射谱带.从阻容结构...
关键词：ZnO 纳米线 电致发光 
基于碳纳米管场效应管构建的纳电子逻辑电路被引量：11
《物理学报》2007年第2期1054-1060,共7页李萍剑 张文静 张琦锋 吴锦雷 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610503);国家自然科学基金(批准号:90206048;90406014;90406024;60471007);北京市自然科学基金(批准号:4042017)资助的课题~~
展示了由碳纳米管场效应管构成的三种逻辑电路,分别为单个p型碳纳米管场效应管的开关电路、由集成在同一片硅片上的单个p型碳纳米管场效应管和单个n型掺氮碳纳米管场效应管构成的互补型反相器,以及两个独立的p型碳纳米管场效应管构成的...
关键词：碳纳米管 场效应管 逻辑电路 
砷掺杂的ZnO纳米线的发光特性被引量：9
《物理化学学报》2006年第11期1431-1434,共4页潘光虎 张琦锋 张俊艳 吴锦雷 
国家重点基础研究发展规划项目(2001CB610503);国家自然科学基金(60471007;60471008;90406024);北京市自然科学基金(4042017)资助
在GaAs基底上制备了高质量的直径为10-100 nm、长度约几个微米的As掺杂ZnO纳米线．扫描电镜、EDX分析及透射电镜分析显示,ZnO纳米线具有较好的晶态结构．对As掺杂前后的ZnO纳米线进行光学特性测量,结果表明,ZnO纳米线在385 nm处有较强...
关键词：氧化锌纳米线 掺杂 发光特性 
ZnO纳米线的气相沉积制备及场发射特性被引量：5
《Journal of Semiconductors》2006年第7期1225-1229,共5页张琦锋 戎懿 陈贤祥 张耿民 张兆祥 薛增泉 陈长琦 吴锦雷 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610503);国家自然科学基金(批准号:50202002;60471007;60231010;90206048);北京市自然科学基金(批准号:4032012;4042017)资助项目~~
运用气相沉积方法分别在硅片表面和钨针尖上制备了非取向生长的ZnO纳米线,并通过场发射显微镜研究了纳米线样品的平面场发射特性和针尖场发射特性.结果显示,非取向生长的ZnO纳米线薄膜场发射的开启电压和阈值电压所对应的场强分别为4.7...
关键词：ZNO 纳米线 气相沉积 场发射 
氮化硅介质中双层纳米硅薄膜的两级电荷存储被引量：4
《物理学报》2006年第11期6080-6084,共5页王久敏 陈坤基 宋捷 余林蔚 吴良才 李伟 黄信凡 
国家自然科学基金(批准号:60471021;90301009;60571008);国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610503);中科院上海微系统和信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室资助的课题.~~
研究镶嵌在超薄非晶氮化硅(a-SiNx)层之间的双层纳米硅(nc-Si)的电荷存储现象.利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术在硅衬底上制备a-SiNx/a-Si/a-SiNx/a-Si/a-SiNx多层薄膜结构.采用常规热退火方法使非晶硅(a-Si)层晶化,形成包含双...
关键词：纳米硅 氮化硅 电容电压法 电流电压法 
尺寸可控的纳米硅的生长模型和实验验证被引量：5
《物理学报》2006年第10期5403-5408,共6页刘艳松 陈铠 乔峰 黄信凡 韩培 高钱波 马忠元 李伟 徐骏 陈坤基 
国家自然科学基金(批准号:60471021;90301009;60508009);国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610503);中国科学院微系统和信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室开放课题资助项目.~~
基于经典热力学理论,对a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构或a-Si:H/a-SiNx多层膜结构中纳米硅成核,以及从球形到鼓形的生长过程进行了研究.建立了限制性晶化理论模型:在纳米硅生长过程中,由于界面能增大将导致生长停止,给出限制性晶化条...
关键词：非晶硅 纳米硅 激光辐照 结晶 
接触电极的功函数对基于碳纳米管构建的场效应管的影响被引量：7
《物理学报》2006年第10期5460-5465,共6页李萍剑 张文静 张琦锋 吴锦雷 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610503);国家自然科学基金(批准号:90206048;90406014;90406024;60471007);北京市自然科学基金(批准号:4042017)资助的课题.~~
基于碳纳米管构建的场效应管在纳电子器件中占有重要的位置,如何获得p型和n型的电子输运性能是人们所关注的.本文分别采用高功函数的Pt金属和低功函数的Al金属作为源漏电极,获得了p型输运性质和n型输运性质的基于碳纳米管构建的场效应管...
关键词：碳纳米管 场效应管 肖特基势垒 功函数 
利用多层膜生长技术制备纳米印章模板被引量：1
《物理学报》2006年第4期2033-2037,共5页张永军 李卫 孟祥东 杨景海 华中 李伟 徐骏 黄信凡 陈坤基 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610503;2003CD314702-02);国家自然科学基金(批准号:10174035;90301009);吉林省科技发展计划(批准号:20040506-3);吉林师范大学博士研究基金(批准号:2005074)资助的课题.
在纳米印章技术中,为克服电子束刻蚀制备50nm以下线条的技术难点,利用等离子增强化学气相沉积技术制备了a-Si/SiNx多层膜,再利用选择性湿法腐蚀或干法腐蚀在横截面上制备出浮雕型一维纳米级模板.多层膜子层之间界面清晰陡峭,可以在纳米...
关键词：纳米印章模板 多层膜生长技术 电子束刻蚀 等离子 化学气相沉积技术 
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