北京市自然科学基金(4032005)

作品数：8被引量：6H指数：2
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SiGe HBT双端口网络参数模型和模拟
《北京工业大学学报》2006年第6期506-509,513,共5页史辰 杨维明 刘素娟 陈建新 
国家自然科学基金资助项目(60476034);北京市自然科学基金资助项目(4032005).
针对等效电路模型中应用频率范围窄、精度低以及在高频器件分析过程中与网络分析法的兼容性差等问题,由交流I-V方程出发,推导得到使用散射参数描述的锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的双端口网络参数模型．着重分析了Si／SiGe异质结和...
关键词：锗硅 异质结 双端口网络 
用离子注入工艺改善Si/SiGe HBT高频噪声性能
《半导体技术》2005年第10期19-21,45,共4页杨维明 史辰 徐晨 陈建新 
北京市自然科学基金资助项目(4032005)
常规工艺制作的SiGe/Si HBT高频噪声性能不理想的主要原因是其基极电阻较大,为减小基极电阻从而达到改善其高频噪声的目的,本文采用离子注入自对准工艺方法进行器件制作,并测试出器件的直流与最小噪声系数有显著改善。
关键词：离子注入 异质结双极晶体管 噪声系数 基极电阻 
用离子注入和掩埋金属自对准技术改善Si/SiGe HBT性能
《电子器件》2005年第2期245-247,393,共4页杨维明 史辰 徐晨 陈建新 
北京市自然科学基金资助项目(4032005)
在器件纵向结构确定后,常规工艺制作的SiGe/SiHBT噪声性能不理想的主要原因是其基极电阻较大,高频性能不理想主要是由于其基极和发射极台面面积较大造成的;为达到改善其高频与低噪声性能的目的,在不改变光刻工艺精度的情况下,采用离子...
关键词：离子注入 掩埋金属自对准 HBT 噪声系数 
采用新结构与新工艺降低SiGe HBT基区串联电阻被引量：2
《固体电子学研究与进展》2005年第2期255-259,共5页史辰 杨维明 刘素娟 徐晨 陈建新 
北京市自然科学基金项目(项目编号:4032005)
采用新型调制掺杂量子阱基区结构和掩埋金属自对准工艺方法,在器件的纵向结构和制备手段上同时进行改进,使超薄基区小尺寸SiGeHBT的基区横向电阻和接触电阻分别降低42%和55%以上,有效解决了基区串联电阻的问题。
关键词：锗硅异质结双极晶体管 基区串联电阻 调制掺杂量子阱 掩埋金属自对准 
锗硅低噪声放大器的研究进展
《半导体技术》2005年第2期47-50,43,共5页李振国 陈建新 高铭洁 
北京市自然科学基金资助(4032005)
介绍了采用锗硅技术的低噪声放大器的基本理论,给出了一个2GHz低噪声放大器的例子,并总结了近来采用锗硅技术的各种频段的低噪声放大器研究情况。最后,介绍了锗硅技术的广阔应用前景。<正>The theory of LNAs using SiGe bipolar techno...
关键词：锗硅双极性异质结晶体管 低噪声放大器:射频集成电路 
基于小信号等效电路模型的SiGe HBT高频特性模拟分析被引量：5
《微电子学》2005年第1期1-4,共4页杨维明 陈建新 史辰 李振国 高铭洁 
北京市自然科学基金资助项目(4032005)
给出了fT为15 GHz的SiGe HBT器件的高频小信号等效电路模型;运用微波网络理 论,在Matlab软件平台上模拟出器件的S参数和H21参数曲线,模拟结果与实测结果相吻合;根据 电路的拓扑结构,分析了管壳封装带来的寄生参数对器件高频性能的影响;...
关键词：锗硅合金 异质结双极晶体管 电路模型 模拟 
Si/SiGe异质结晶体管的参数提取与特性模拟
《半导体技术》2004年第11期41-44,共4页杨维明 陈建新 邹德恕 史辰 李振国 高铭洁 
北京市自然科学基金资助项目(4032005)
用实验测量和理论计算相结合的方法提取了Si/SiGe 异质结晶体管的直流和高频参数,分别在PSPICE和MATLAB软件平台上模拟并分析了器件的直流和高频特性,模拟结果与实际测量的结果相吻合,表明本文的提取方法可行、参数提取结果有效。
关键词：异质结晶体管 PSPICE MATLAB 模拟 
基于SOS/SOI绝缘衬底的Si/SiGe HBT设计
《微电子学》2004年第4期421-424,共4页史辰 陈建新 杨维明 
北京市自然科学基金资助(4032005)
　着重讨论了衬底阻抗对HBT器件频率性能的劣化机制。基于双口网络理论,定量分析了fT和fm与衬底电阻率的关系;采用SOS/SOI绝缘衬底和自行设计的岛型隔离方法,抑制了绝大多数容性寄生参数;同时,围绕绝缘衬底进行Si/SiGeHBT的横向/纵向结...
关键词：SOS/SOI 异质结双极晶体管 衬底阻抗 岛膈离 发射极自对准 HBT 
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