教育部科学技术研究重点项目(02165)

作品数:17被引量:83H指数:5
导出分析报告
相关作者:马瑾马洪磊王玉恒余旭浒计峰更多>>
相关机构:山东大学长安大学山东师范大学教育部更多>>
相关期刊:《西北大学学报(自然科学版)》《稀有金属》《物理学报》《功能材料》更多>>
相关主题:磁控溅射SNO透明导电膜ZNO:GA光电性质更多>>
相关领域:电子电信生物学理学动力工程及工程热物理更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
条 记 录,以下是1-10
视图:
排序:
退火处理对掺锑Zn-Sn-O薄膜的特性的影响
《功能材料》2006年第2期219-221,共3页黄树来 姜永超 盖凌云 徐进栋 王雨生 马瑾 
国家自然科学基金资助项目(60276044);教育部科学技术研究重点资助项目(重点02165)
首次在低温下采用磁控射频溅射技术在玻璃衬底上制备出具有多晶结构的掺锑锌-锡-氧(Zn-Sn-O∶Sb)透明导电膜。研究了在通氧气氛制备薄膜的特性以及退火处理对制备薄膜结构和光电性能的影响。经真空退火后,氩氧混合气体溅射制备的Zn-Sn-O...
关键词:磁控射频溅射 透明导电膜 Zn-Sn-O:Sb 
退火处理对SnO_2:Sb薄膜结构和光致发光性质的影响被引量:6
《稀有金属材料与工程》2005年第11期1747-1750,共4页王玉恒 马瑾 计峰 余旭浒 马洪磊 
教育部科学技术研究重点项目(02165);博士点基金资助项目(20020422056)
用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2:Sb薄膜,研究了不同掺杂和退火对薄膜结构的影响。制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄,晶粒生长的择优取向为(110)。室温下光致发光测量首次观测到392nm附近存在紫外-紫光发射,并对...
关键词:射频磁控溅射法 SnO2:Sb薄膜 光致发光 
真空退火对溅射淀积ZnO:Ga透明导电膜性能的影响被引量:7
《稀有金属材料与工程》2005年第7期1166-1168,共3页马瑾 余旭浒 计峰 王玉恒 张锡健 程传福 马洪磊 
教育部科学技术研究重点项目(02165);博士点基金资助项目(20020422056)
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了真空退火对薄膜结构、电学和光学特性的影响。结果表明:真空退火后,薄膜结构得到明显改善,电阻率由退火前的1.13×10-3?·cm下降到5.4×10-4?·cm,在...
关键词:磁控溅射 ZNO:GA 真空退火 
薄膜厚度对ZnO∶Ga透明导电膜性能的影响被引量:37
《功能材料》2005年第2期241-243,共3页余旭浒 马瑾 计峰 王玉恒 张锡健 程传福 马洪磊 
教育部科学技术研究重点资助项目(重点02165);博士点基金资助项目(20020422056)
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出镓掺杂氧化锌(ZnO∶Ga)透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系。制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向。随着薄膜厚度的增加,衍...
关键词:磁控溅射 ZNO:GA 薄膜厚度 光电性质 
射频磁控溅射法制备SnO_2:Sb薄膜的结构和光致发光性质研究被引量:10
《物理学报》2005年第4期1731-1735,共5页王玉恒 马瑾 计峰 余旭浒 张锡健 马洪磊 
国家自然科学基金 (批准号 :90 40 10 0 4);教育部科学技术研究重点项目 (批准号 :0 2 165 )资助的课题~~
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出锑掺杂的氧化锡 (SnO2 :Sb)薄膜 .制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄 ,晶粒生长的择优取向为 [110 ].室温下光致发光测量结果表明 ,在 392nm附近存在强的紫外 紫光发射 .研究了不同...
关键词:二氧化锡 锑薄膜 结构特征 光致发光 射频磁控溅射 
磁控溅射有机衬底ZnO∶SnO_2透明导电膜的结构和光电特性被引量:2
《功能材料》2004年第5期630-631,634,共3页黄树来 马瑾 计峰 余旭浒 王玉恒 马洪磊 
教育部科学技术研究重点资助项目(重点02165);博士点基金资助项目(20020422056)
 采用磁控溅射技术在有机衬底上低温制备出具有低电阻率和良好附着性的ZnO∶SnO透明导电膜。研究了制备ZnO∶SnO薄膜的结构、成分和光电性质。制备薄膜为非晶结构,有机衬底ZnO∶SnO透明导电膜的最低电阻率约10-2Ω·cm,可见光平均透过...
关键词:有机衬底 ZnO:SnO薄膜 磁控溅射 
Zn-Sn-O透明导电膜的制备和光电性质被引量:1
《稀有金属》2004年第3期519-521,共3页马瑾 黄树来 计峰 余旭浒 王玉恒 马洪磊 
国家自然科学基金资助项目 ( 60 2 70 44 ) ;教育部科学技术研究重点项目 ( 0 2 165 )
采用射频磁控溅射法在 70 5 9玻璃衬底上低温制备出Zn Sn O透明导电薄膜。制备薄膜为非晶结构 ,并且具有很好的稳定性 ,与玻璃衬底具有良好的附着性。薄膜主要是依靠膜中的氧空位导电 ,薄膜的电阻率强烈地依赖溅射气体中的氧分压。制备...
关键词:透明导电膜 Zn-Sn-O 射频磁控溅射 
低温磁控溅射SnO_2:Sb透明导电膜的结构与导电性能被引量:2
《太阳能学报》2004年第2期148-151,共4页马瑾 刘晓梅 张士勇 郝晓涛 马洪磊 
教育部科学技术研究重点项目(重点02165);教育部博士点基金项目(20020422056)
采用射频磁控溅射法在7059玻璃衬底上低温制备出锑掺杂的氧化锡(SnO2:Sb)透明导电膜,对薄膜的结构和电学性质进行了研究。制备薄膜为多晶膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构,而且具有明显的(110)择优取向。最低电阻率为2×10-3Ω·cm...
关键词:磁控溅射 SnO2:Sb薄膜 结构和电学性质 
通过cDNARDA法分离和识别盐藻(Dunaliella salina)盐胁迫相关基因被引量:10
《中国生物化学与分子生物学报》2004年第1期67-72,共6页方孝东 黄薇 林栖凤 李冠一 屈良鹄 
国家教育部重点项目 ( 0 2 165 ) ;海南省自然科学基金 ( 3 0 0 0 9) ;国家"九五"重点科技攻关项目 ( 85 72 2 2 7 0 1);国家科技部项目基金 (J0 0 A 0 0 9)资助项目~~
采用cDNA代表性差异分析 (RDA)技术 ,对盐藻在盐胁迫时差异表达的基因进行了分离鉴定 .在分离到的 10个基因中 ,有 5个与已知基因同源 (包括叶绿素a b结合蛋白基因、蛋白磷酸酶I催化亚基基因和 3个核糖体蛋白基因 ) ,还有 5个未知功能...
关键词:盐藻 盐胁迫 差异表达 基因分离鉴定 代表性差异分析 
ZnO:Ga透明导电膜的低温制备及特性研究
《功能材料》2004年第z1期1131-1133,共3页余旭浒 马瑾 计峰 王玉恒 宗福建 张锡健 程传福 马洪磊 
教育部科学技术研究重点项目(02165);博士点基金资助项目(20020422056)
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.薄膜的最...
关键词:磁控溅射 ZNO:GA 光电特性 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部