国家重点实验室开放基金(KF1303)

作品数：8被引量：26H指数：2
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硅/氧浓度初始分布对硅晶圆内V-O_(2)对演变影响的仿真
《徐州工程学院学报（自然科学版）》2021年第4期35-42,共8页关小军 关宇昕 王善文 
国家自然科学基金项目(51375269);山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题(KF1303)。
为了揭示自间隙硅原子相对浓度和间隙氧原子相对浓度的初始分布状态对低温退火期间硅晶圆内V-O_(2)对介观演变的影响,应用原有相场仿真模型及其改进模型,仿真了两个不同的点缺陷相对浓度初始分布状态下退火的硅晶圆内V-O_(2)对演变过程...
关键词：仿真 硅晶圆 V-O_(2)对 自间隙硅原子 间隙氧原子 初始的浓度分布 
低温退火温度对硅晶圆内V-O_(2)对介观演变影响的仿真被引量：1
《徐州工程学院学报（自然科学版）》2021年第1期1-6,共6页关小军 关宇昕 王善文 
山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题(KF1303)。
为了揭示低温退火温度对硅晶圆内V-O_(2)对介观演变的影响,基于所建相场模型及其应用程序,对2个不同温度下退火的硅晶圆中V-O_(2)对演变过程进行了仿真.结果表明:当低温退火温度降低时,V-O_(2)对变化速率减慢、数量减少,这与相应的空位...
关键词：仿真 硅晶圆 V-O_(2)对 温度 低温退火 
初始空位浓度对硅晶圆中V-O2对演变影响的仿真被引量：2
《徐州工程学院学报（自然科学版）》2020年第1期6-11,共6页关小军 关宇昕 王善文 
高等学校博士学科点专项科研基金项目(200804220021);山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题(KF1303)。
为了揭示初始空位浓度对低温退火的硅晶圆内V-O2对演变的影响,基于所建相场模型及其应用程序,对随机均匀分布的3个初始空位浓度条件下硅晶圆内V-O2对演变进行了模拟研究.结果表明:随着初始空位浓度平均值的减小,V-O2对数量相应减少且变...
关键词：仿真 硅晶圆 V-O2对 初始空位浓度 
硅单晶圆片中V-O2对演变的相场仿真模型被引量：3
《徐州工程学院学报（自然科学版）》2019年第3期1-6,共6页关小军 关宇昕 王善文 
高等学校博士学科点专项科研基金项目（200804220021）;山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题（KF1303）
为了开展低温退火过程硅单晶圆片中V-O2对演变的仿真研究,基于相场理论创建了仿真模型,首次完成了介观的V-O2对存在状态及其数量演变的模拟.结果表明:随着退火时间延长,V-O2对数量增加直至饱和且点缺陷相对浓度分布由非平衡态转变为平衡...
关键词：仿真 硅单晶圆片 V-O2对 建模 相场理论 
拉速对?400mm直拉硅单晶中空洞分布影响的数值模拟被引量：1
《功能材料》2015年第20期20112-20116,共5页于新友 关小军 曾庆凯 王进 张向宇 
山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题资助项目(KF1303)
为了研究拉速对?400mm直拉硅单晶中空洞演变的影响,应用CGSim软件模拟了3种拉速下晶体中空洞演变过程。模拟结果表明,(1)3种拉晶速度下具有相同的空洞分布规律,即随着径向半径增加,晶体心部的空洞密度增大而平均直径减小,该变化趋势随...
关键词：直拉法 硅单晶 空洞 拉速 数值模拟 
直拉硅单晶中双空洞长大动力学的相场模拟被引量：3
《人工晶体学报》2015年第5期1207-1212,共6页关小军 王进 张向宇 曾庆凯 
山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题(KF1303)
为了研究硅单晶直拉法生长过程中双空洞的长大动力学以及空洞间的相互作用机理,采用已建立的空洞演化的相场模型及其应用程序,模拟研究了直拉硅单晶生长过程中双空洞演化和相关因素的影响规律。结果表明:所建相场模型能够有效地模拟基...
关键词：硅单晶 直拉法生长 相场模拟 双空洞 长大动力学 
热屏位置影响直拉单晶硅熔体和固液界面的模拟被引量：6
《人工晶体学报》2015年第2期329-336,共8页关小军 张向宇 潘忠奔 王进 曾庆凯 
山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题(KF1303)
为了研究热屏位置对于直拉单晶硅的熔体和固液界面的影响,采用CGSim有限元软件对200 mm直拉单晶硅生长过程进行了模拟,结果表明,随着热屏底端位置上升(或径向内移),熔体自由表面及其邻近区域的温度下降;随着热屏底端位置径向内移,位...
关键词：直拉单晶硅 有限元 热屏位置 流场 温场 固液界面 
热屏位置对直拉硅单晶V/G、点缺陷和热应力影响的模拟被引量：15
《人工晶体学报》2014年第4期771-777,共7页张向宇 关小军 潘忠奔 张怀金 曾庆凯 王进 
山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题(KF1303)
为了研究热屏位置对200 mm直拉硅单晶V/G、原生点缺陷浓度场以及热应力场的影响,使用CGSim有限元模拟软件进行了系统模拟。结果表明:热屏位置对硅单晶的V/G和原生点缺陷浓度的径向分布规律没有影响;较热屏至晶体侧表面距离相比,其底...
关键词：直拉硅单晶 有限元 热屏位置 原生点缺陷 热应力 
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