中国科学院知识创新工程(YYYJ-0701-02)

作品数：8被引量：7H指数：1
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相关机构：中国科学院南京电子器件研究所更多>>
相关期刊：《Journal of Semiconductors》《材料导报（纳米与新材料专辑）》《半导体技术》更多>>
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T-ZnOw高分子复合材料逾渗行为的模拟与研究被引量：1
《材料导报（纳米与新材料专辑）》2010年第1期227-229,共3页马泽宇 王晓亮 王翠梅 肖红领 杨翠柏 
中国科学院知识创新工程项目(YYYJ-0701-02);国家自然科学基金资助项目(60890193;60606002;60906006);国家重点基础研究发展计划项目(2006CB604905);中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目(ISCAS2008T01;ISCAS2009L02)
从T-ZnOw独特的空间结构出发,建立了T-ZnOw高分子复合材料的新型三维点阵模型,利用Monte Carlo方法对该系统的逾渗导通行为进行了模拟,得到点阵逾渗阈值为23.2%。结合实际计算获得了T-ZnOw的临界掺入比例,与文献报道的结果基本吻合。计...
关键词：T-ZNOW 逾渗 复合材料 
AlGaN/GaN型气敏传感器对于CO的响应研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第7期1387-1390,共4页冯春 王晓亮 王新华 肖红领 王翠梅 胡国新 冉军学 王军喜 
中国科学院知识创新工程(批准号:YYYJ-0701-02);国家自然科学基金(批准号:60576046;60606002);国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903;2006CB604905;513270505)资助项目~~
研究了基于AlGaN/GaN型结构的气敏传感器对于CO的传感性.制备出AlGaN/GaN型气敏传感器器件,并测试得到了器件在50℃时对于不同浓度(1%,9000,8000,5000和1000ppm)的CO的响应情况;测试并分析了1%CO在50和100℃下响应度的差异,计算了通入1...
关键词：ALGAN/GAN CO 传感器 
AlGaN/GaN异质结气体传感器对低体积分数CO的响应研究被引量：1
《半导体技术》2008年第S1期193-196,共4页冯春 王晓亮 杨翠柏 肖红领 王翠梅 侯奇峰 马泽宇 王军喜 李晋闽 王占国 侯洵 
国家自然科学基金(60576046;60606002;613270805);国家"973"重点基础研究项目(2006CB604905);中国科学院知识创新工程(YYYJ-0701-02)
研究了基于AlGaN/GaN异质结材料的肖特基二极管气体传感器对于体积分数为2×10-4～10-3的CO气体的响应状况。在2V正向偏压下,器件对于低至体积分数2×10-4的CO仍表现出了明显的响应(电流增大0.7mA),随着CO体积分数的升高,器件的电流变...
关键词：ALGAN-GAN 肖特基 气体传感器 氧化碳 
过渡族和稀土族元素掺杂GaN基稀磁半导体性能比较
《半导体技术》2008年第S1期197-201,共5页姜丽娟 王晓亮 王翠梅 肖红领 冉军学 李晋闽 王占国 侯洵 
国家自然科学基金(60576046;60606002);国家重点基础研究发展计划(2006CB604905;513270605);中国科学院知识创新工程(YYYJ-0701-02)
实验中采用离子注入结合快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型GaN薄膜表面分别注入Mn、Cr、Gd、Sm离子,得到了厚度约200nm的稀磁半导体薄膜,并用XRD、RBS、SQUID对三种样品的微结构和磁性能进行了测试分析。结果表明,稀土族元素Gd、Sm掺杂...
关键词：稀磁半导体 氮化镓 稀土族元素 离子注入 快速退火 
SiC衬底GaN基HEMT结构材料与器件
《半导体技术》2008年第S1期202-205,共4页王晓亮 陈堂胜 唐健 肖红领 王翠梅 李晋闽 王占国 侯洵 
国家自然科学基金(60576046;60606002);国家"973"重点基础研究项目(2006CB604905;613270805);中国科学院知识创新工程目(YYYJ-0701-02)
使用金属有机物化学气相外延(MOCVD)技术在50mm半绝缘6H-SiC衬底上生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。50mmHEMT外延片平均方块电阻为305.3Ω/□,不均匀性为3.85%。使用此材料研制的单管2mm栅宽HEMT,其饱和漏极电流为1.36A/...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管 功率器件 
AlGaN/AlN_a/GaN/AlN_b/GaN HEMT结构材料生长及性能表征
《半导体技术》2008年第S1期206-209,共4页肖红领 王晓亮 张明兰 马志勇 王翠梅 杨翠柏 唐健 冉军学 李晋闽 王占国 侯洵 
国家自然科学基金(60576046;60606002);国家"973"重点基础研究项目(2006CB604905;613270805);中国科学院知识创新工程(YYYJ-0701-02)
设计了一种具有双Al N插入层的Al GaN/Al Na/GaN/Al Nb/GaN HEMT结构材料,用以提高沟道对2DEG的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了第一Al Nb插入层的生长时间对材料表面形貌和电学性能的影响,得到了...
关键词：HEMT 异质结构 氮化铝 插入层 电学性能 二维电子气 
T-ZnOw的制备及其吸波特性研究进展被引量：1
《半导体技术》2008年第S1期357-360,共4页马泽宇 王晓亮 
国家自然科学基金(60576046;60606002);国家"973"重点基础研究项目(2006CB604905;613270805);中国科学院知识创新工程项目(YYYJ-0701-02)
四针状氧化锌晶须(T-ZnOw)以其独特的三维空间结构及优良的特性,在吸波材料等诸多领域有着广泛的应用前景,引起众多学者的关注。介绍了氧化锌晶须的结构和基本特性,着重综述了氧化锌晶须的制备及其吸波特性的研究进展;指出改性氧化锌晶...
关键词：氧化锌 晶须 吸波特性 
MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化被引量：2
《半导体技术》2008年第S1期123-126,共4页殷海波 王晓亮 冉军学 胡国新 肖红领 王翠梅 杨翠柏 李晋闽 侯洵 
国家自然科学基金(60576046;60606002);国家"973"重点基础研究(2006CB604905;613270805);国家"863"高技术研究发展计划(2006AA03A141);中国科学院知识创新工程(YYYJ-0701-02)
对喷淋式MOCVD反应室内的输运过程及GaN的材料生长进行了二维数值模拟研究。在模拟计算中,分别改变反应腔体几何形状、顶盘入气小孔分布方式等条件,得到反应室内流场、热场及薄膜沉积速率的相应变化。根据对模拟结果的分析,发现基座上...
关键词：GAN MOCVD 数值模拟 流场 沉积速率 几何结构 
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