国家自然科学基金(69976034)

作品数：5被引量：10H指数：2
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相关作者：林成鲁门传玲林青谢欣云徐政更多>>
相关机构：中国科学院同济大学中国科学院上海冶金研究所更多>>
相关期刊：《压电与声光》《物理学报》《功能材料与器件学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
相关主题：ALN薄膜离子束增强沉积氮化硅薄膜SOI新结构SOI结构更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
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电子束蒸发制备纳米硅锥及其场发射性能研究
《功能材料与器件学报》2003年第2期147-149,共3页谢欣云 万青 林青 沈勤我 林成鲁 
国家重点基础研究专项经费(G20000365);国家自然科学基金(No.69976034)
应用超高真空电子束蒸发方法,以铁作为催化剂,在硅和多孔硅衬底上生长纳米Si锥阵列。采用原子力显微镜表征生长在不同衬底上纳米硅的形貌特征,测试和比较了不同衬底上纳米硅的电子场发射性能。实验结果表明用这种方法形成了高度为10～3...
关键词：纳米硅锥 场发射性能 电子束蒸发 制备 原子力显微镜 多孔硅 
多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构被引量：2
《Journal of Semiconductors》2003年第2期189-193,共5页谢欣云 刘卫丽 门传玲 林青 沈勤我 林成鲁 
国家重点基础研究专项经费 (No.G2 0 0 0 0 3 65 );国家自然科学基金 (批准号 :699760 3 4)资助项目 ~~
为减少自加热效应 ,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的 SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的 SOI新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .
关键词：绝缘埋层 氮化硅薄膜 SOI结构 多孔硅外延转移 
AlN薄膜室温直接键合技术被引量：4
《Journal of Semiconductors》2003年第2期216-220,共5页门传玲 徐政 安正华 吴雁军 林成鲁 
国家重点基础研究专项经费 (No.G2 0 0 0 0 3 65 );国家自然科学基金 (批准号 :699760 3 4和 90 10 10 12 )资助项目~~
采用离子束增强沉积技术在 10 0 mm硅片上制备大面积均匀 Al N薄膜 ,原子力显微镜 (AFM)显示其表面平整光滑 ,均方根粗糙度 (RMS)为 0 .13nm ,满足直接键合的需要 .同时 ,采用智能剥离技术成功实现了室温下 Al N与注氢硅片的直接键合 ,...
关键词：直接键合 A1N薄膜 智能剥离 绝缘层上硅 离子束增强沉积 
SOIM新结构的制备及其性能的研究被引量：2
《物理学报》2003年第1期207-210,共4页谢欣云 林青 门传玲 刘卫丽 徐安怀 林成鲁 
国家重点基础研究专项经费 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65 );国家自然科学基金 (批准号 :699760 3 4)资助的课题~~
制备在以SiO2 为绝缘埋层的SOI材料上的电子器件存在着自加热问题 .为减少自加热效应和满足一些特殊器件 电路的要求 ,利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果...
关键词：制备 氮化硅薄膜 二氧化硅薄膜 SOIM新结构 多孔硅外延转移 电绝缘隔离性能 
离子束增强沉积AlN薄膜的研究被引量：3
《压电与声光》2001年第5期366-369,共4页门传玲 徐政 郑志宏 多新中 张苗 林成鲁 
国家重点基础研究专项基金资助项目( G2 0 0 0 0 36 5 );国家自然科学基金资助项目 ( 6 9976 0 34)
利用离子束增强沉积 (IBED)法成功地在 Si(10 0 )衬底上合成了大面积均匀的非晶 Al N薄膜。 XRD和XPS测试结果证实该薄膜为非晶且无单质 Al和 N2 存在 ,随着 Al蒸发速率的提高 ,N/Al下降 ,在 0 .0 5 nm /s及0 .10 nm/s的蒸发速率下制得...
关键词：离子束增强沉积 ALN 薄膜 
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