云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(69987001)

国家自然科学基金(69987001): 作品数：11被引量：13H指数：1; 导出分析报告; 相关作者：张荣沈波郑有炓周慧梅刘杰更多>>; 相关机构：南京大学中国科学院更多>>; 相关期刊：《发光学报》《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》《高技术通讯》《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》更多>>; 相关主题：GANXGASUBXGAN异质结构更多>>; 相关领域：电子电信理学更多>>

Synthesis of ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3 complex substrates and growth of GaN films被引量：1: 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》2003年第1期41-46,共6页毕朝霞张荣李卫平王栩生顾书林沈波施毅刘治国郑有炓; Special Funds for Major State Basic Research Projects of China(Grant No.#G20000683);Distinguished Young Scientist Grant of China (Grant No.60025411);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.69806006,69976014,69636010 and 69987001);the National High Technology Research & Development Project of China; With the solid phase reaction between pulsed-laser-deposited (PLD) ZnOfilm and α-Al2O3 substrate, ZnAl2O4/α-Al2O3 complex substrates were synthesized. X-ray diffraction (XRD) spectra show that as the reaction procee...; 关键词：GaN ZnAl2O4 MOCVD X-ray diffraction SCANNING electron microscope.

Si衬底上横向外延GaN材料的微结构和光学性质的研究: 《高技术通讯》2002年第3期47-49,共3页汪峰张荣陈志忠朱健民顾书林沈波李卫平施毅郑有炓; 国家重点基础研究专项(G20000683);国家杰出青年科学研究基金(60025411);国家自然科学基金(69976014,69636010,69806006,69987001);863计划(863307123(05),8637150010220,8637150110031)资助项目; 用氢化物气相外延 (HVPE)方法在Si(III)衬底上成功横向外延生长出晶体质量较好的GaN薄膜材料。透射电子显微镜 (TEM )的研究结果表明 ,横向外延区域GaN的位错密度明显减小。由于SiO2 掩膜腐蚀角的不同 (分别为 90°和 6 6°) ,导致了横...; 关键词：微结构和光学性质 HVPE横向外延GaN Si(III)衬底

侧向外延生长GaN的结构特性(英文): 《发光学报》2001年第S1期53-56,共4页张荣顾书林修向前卢殿清沈波施毅郑有炓 KUAN T S; 国家“8 6 3”基金资助项目 ( 2 0 0 0 0 6 83);国家自然科学基金资助项目 ( 6 9976 0 14 ,6 96 36 0 10 ,6 980 6 0 0 6 ,6 99870 0 1)~~; 研究了在刻有图形的GaN“衬底”上用HVPE方法侧向外延生长 (ELO)GaN的结构特性。在SiO2 衬底上侧向外延生长GaN已经实现 ,并得到了平面的ELOGaN薄膜。采用扫描电子显微镜、透射电微镜和原子力显微镜技术研究了这种ELOGaN材料的结构和表...; 关键词：GAN 侧向外延生长氢化汽相外延

Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/AlxGa1-xN/GaN异质结构的电容-电压特征（英文）被引量：1: 《发光学报》2001年第S1期57-60,共4页沈波李卫平周玉刚毕朝霞张荣郑泽伟刘杰周慧梅施毅刘治国郑有炓 Someya T Arakawa Y; 国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14和 6 99870 0 1) ;国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83) ;国家高技术研究和发展项目;日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~; 通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属铁电半导体 (MFS)结构。在高频电容电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN...; 关键词：C-V特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 ALXGA1-XN/GAN

电容-电压法研究AlxGa1-xN/GaN异质结压电极化效应（英文）: 《发光学报》2001年第S1期61-66,共6页俞慧强沈波周玉刚张荣刘杰周慧梅施毅郑有炓 Someya T Arakawa Y; 国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 41和 6 99870 0 1) ;国家重点基础研究课题专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83) ;国家高技术研究和发展项目;日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~; 制备了基于调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结的Pt/Al0 2 2 Ga0 78N/GaN肖特基二极管。由于Al0 2 2Ga0 78N势垒层中的极化场不同 ,不同Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度的二极管的电容电压特性显著不同。根据对样品电容电压特性的...; 关键词：压电极化异质结电容电压方法

AlxGa1-xN/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究（英文）: 《发光学报》2001年第S1期67-70,共4页郑泽伟沈波刘杰周慧梅钱悦张荣施毅郑有炓蒋春萍郭少令郑国珍褚君浩 Someya T Arakawa Y; 国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14和 6 99870 0 1) ;国家高技术研究和发展计划项目;日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~; 在 1 5K低温和 0～ 9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质。实验结果在 4块样品中都观察到了Shubnikov daHass振荡的双周期行为。表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据。通过电子子带占据时电子浓度分配的...; 关键词：磁传输特性二维电子气 AlxG1-xN/GaN

LASER LIFT-OFF OF GaN THIN FILMS FROM SAPPHIRE SUBSTRATES被引量：10: 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》2001年第6期448-452,共5页J. Xu, R. Zhang, Y.P. Wang, X.Q. Xiu, S.L. Gu, B. Shen, Y. Shi, Z.G. Liu and Y.D. Zheng (Department of Physics and National Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China); supported by Special Funds for Major Stale Basic Research Project G20000683;863 Hi-tech Research Project,Distinguished Young Scientist Grant(60025411);National Nature Science Foundation of China(69976014,69636010,69806006,69987001);benefited from using the laser device of the Pulsed Laser Deposition laboratory in Nanjing University.; Gallium Nitride film was successfully separated from sapphire substrate by laser radiation. The absorption of the 248 nm radiation by the GaN at the interface results in rapid thermal decomposition of interfacial laye...; 关键词：Gallium compounds Laser beam effects Nitrides SAPPHIRE SEPARATION

侧向外延生长GaN的结构特性(英文): 《发光学报》2001年第z1期53-56,共4页张荣顾书林修向前卢殿清沈波施毅郑有炓 KUAN T S; 国家"8 6 3"基金资助项目 ( 2 0 0 0 0 6 83);国家自然科学基金资助项目 ( 6 9976 0 14 ,6 96 36 0 10 ,6 980 6 0 0 6 ,6 99870 0 1)~~; 研究了在刻有图形的GaN“衬底”上用HVPE方法侧向外延生长 (ELO)GaN的结构特性。在SiO2 衬底上侧向外延生长GaN已经实现 ,并得到了平面的ELOGaN薄膜。采用扫描电子显微镜、透射电微镜和原子力显微镜技术研究了这种ELOGaN材料的结构和表...; 关键词：GAN 侧向外延生长氢化汽相外延

Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文): 《发光学报》2001年第z1期57-60,共4页沈波李卫平周玉刚毕朝霞张荣郑泽伟刘杰周慧梅施毅刘治国郑有炓 Someya T Arakawa Y; 国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14和 6 99870 0 1) ;国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83) ;国家高技术研究和发展项目;日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~; 通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属铁电半导体 (MFS)结构。在高频电容电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN...; 关键词：C-V特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 ALXGA1-XN/GAN

电容-电压法研究Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结压电极化效应(英文)被引量：1: 《发光学报》2001年第z1期61-66,共6页俞慧强沈波周玉刚张荣刘杰周慧梅施毅郑有炓 Someya T Arakawa Y; 国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 41和 6 99870 0 1) ;国家重点基础研究课题专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83) ;国家高技术研究和发展项目;日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~; 制备了基于调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结的Pt/Al0 2 2 Ga0 78N/GaN肖特基二极管。由于Al0 2 2Ga0 78N势垒层中的极化场不同 ,不同Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度的二极管的电容电压特性显著不同。根据对样品电容电压特性的...; 关键词：压电极化异质结电容-电压方法

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

国家自然科学基金(69987001)

检索结果分析

下载全文

高级检索检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

国家自然科学基金(69987001)

检索结果分析

下载全文

用户登录

高级检索检索式检索