国家重点基础研究发展计划(2006CB921803)

作品数：9被引量：10H指数：2
导出分析报告
相关作者：朱顺明顾书林金国钧汤琨郑有炓更多>>
相关机构：南京大学绍兴文理学院南京电子器件研究所更多>>
相关期刊：《半导体技术》《物理学进展》《发光学报》《物理学报》更多>>
相关主题：ZNO薄膜N掺杂MOCVD生长超导隧道结标度更多>>
相关领域：理学电子电信交通运输工程更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-9
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
量子相变和量子临界现象被引量：3
《物理学进展》2009年第4期325-351,共27页金国钧 冯端 
国家自然科学基金(批准号:10424401;10674058;60876065);国家重大基础研究计划(批准号:2006CB921803;2009CB929504)的资助
本文综述凝聚态物理学中的量子相变和量子临界现象,首先考察了相变中存在量子效应的可能性,通过横磁场Ising模型介绍了量子相变的基本特征;接下来对照热临界现象,引入了量子标度和量子重正化的基本概念和操作方式;然后利用量子临界现象...
关键词：量子相变 量子临界性 标度 重正化 金属-绝缘体相变 关联电子系统 
半导体微腔中激子的光学效应被引量：1
《物理》2009年第8期536-544,共9页张用友 金国钧 
国家自然科学基金(批准号:10674058;60876065);国家重大基础研究发展计划(批准号:2006CB921803;2009CB929504)资助项目
文章基于Fabry-P啨rot半导体微腔,阐述了新型元激发——激子极化激元的基本概念和微观描述,讨论了其在光学放大器、光学开关和单光子源方面的潜在应用,概述了对其实现Bose-Einstein凝聚的实验研究,最后对将来的发展做了一个简单的展望.
关键词：半导体微腔 激子极化激元 光学放大器 光学开关 单光子源 Bose—Einstein凝聚 
超导隧道结中的电流相位关系被引量：3
《物理学报》2009年第12期8591-8595,共5页吴义华 王振彦 沈瑞 
国家自然科学基金(批准号:10504011);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB921803;2009CB929504)资助的课题~~
计算了等自旋配对超导隧道结中的直流Josephson电流.结果表明,当两侧超导体中配对势的轨道对称性分别属于磁点群D4的A不可约表示和2E不可约表示的情况下,电流相位关系是I∝sin4φ.
关键词：超导隧道结 Josephson电流 
Zigzag边纳米石墨带超导结中的可控0-π相变
《物理》2009年第2期100-104,共5页梁奇锋 余勇 王强华 董锦明 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2004CB619004,2006CB921803);国家自然科学基金(批准号:90503012,10874067)资助项目
文章作者利用实空间格林函数方法研究了超导体-zigzag边纳米石墨带-超导体(SGS)约瑟夫森结中的超导输运行为.结果发现:(1)通过一个外加横向电场可以使该超导结的超流方向发生翻转,即发生超导0-π相变;(2)通过改变纳米石墨带的长度或者...
关键词：纳米材料 超导电性 约瑟夫森效应 O-π相变 
GaN转移电子器件的性能与基本设计
《Journal of Semiconductors》2008年第12期2389-2392,共4页邵贤杰 陆海 张荣 郑有炓 李忠辉 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB921803);国家自然科学基金(批准号:60721063);单片集成电路与模块国家重点实验室基金(批准号9140C1401010701);教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-07-0417)资助项目~~
基于GaN转移电子器件最基本的工作模式——畴渡越时间模式,计算了GaN转移电子器件的理想最高振荡频率,得到该类型微波转移电子器件的最高振荡频率可达4.7THz,接近GaAs转移电子器件最高振荡频率(0.6THz)的8倍.从理论上计算出GaN转移电子...
关键词：GAN 转移电子器件 微分负阻效应 最高频率 临界掺杂浓度 
p型N掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长与电学性质被引量：1
《半导体技术》2008年第S1期341-344,共4页汤琨 顾书林 朱顺明 
国家自然科学基金(60776013;60576017;50532100);国家"973"项目基金(2006CB921803);国家"863"项目基金(2007AA03Z404)
通过采用O2与N2O按照一定的流量比作为反应气源,利用MOCVD方法实现了较低电阻率的N掺杂ZnO薄膜。实验分别研究了改变O2与N2O流量比和改变衬底温度对于薄膜电学性质的影响,并利用Raman光谱与Hall测试结果的比较分析了MOCVD系统中非故意...
关键词：氧化锌 金属有机物化学气相沉积 P型 氮掺杂 
Ga和Mn共掺ZnO薄膜的结构和光学特性被引量：1
《半导体技术》2008年第S1期345-348,共4页吴孔平 顾书林 朱顺明 
国家自然科学基金(60776013;60576017;50532100);国家"973"项目基金(2006CB921803);国家"863"项目基金(2007AA03Z404)
研究了高质量的Ga、Mn共掺ZnO外延薄膜的电子结构和光学特性,这些薄膜通过MOCVD沉积在蓝宝石(0001)面上。结果显示单Mn掺杂时的样品呈现高阻p型,Ga和Mn共掺时呈现n型,而载流子浓度出现一个最大值,然后随着Ga的掺杂量增大而下降,反映了...
关键词：氧化锌 化合物半导体 稀磁半导体 半金属 
Zn_(1-x)Mg_xO合金的MOCVD生长及其紫外探测器的研究
《半导体技术》2008年第S1期353-356,共4页单正平 顾书林 朱顺明 
国家自然科学基金(60776013;60576017;50532100);国家"973"重点基础研究项目(2006CB921803);国家"863"高技术研究发展计划(2007AA03Z404)
以MOCVD系统生长Zn1-xMgxO合金,通过改变Mg、Zn气相比调制得到了不同组分含量的Zn1-xMgxO合金,其中Mg的固态含量从0变化到0.49,其对应的禁带宽度从3.31eV覆盖到5.02eV。以所生长的Zn1-xMgxO/蓝宝石为衬底,制备MSM结构的紫外探测器,在特...
关键词：MOCVD ZNMGO 紫外探测器 
N掺杂ZnO薄膜的接触特性被引量：1
《发光学报》2008年第3期503-507,共5页单正平 顾书林 朱顺明 刘伟 刘少波 刘雪冬 汤琨 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究规划(2006CB921803);中国高科技发展研究项目(2007AA03Z404);国家自然科学基金(60776013;60576017;50532100)资助项目
氧化锌(ZnO)是一种直接带隙半导体材料,室温下带隙为3.37eV,激子束缚能为60meV。ZnO因其优越的光电特性在高亮度蓝紫光发光器件、紫外探测器件和短波长激子型激光器等方面具有广阔的应用前景。而要实现大功率的光电器件,稳定可靠的欧姆...
关键词：N掺杂ZnO NI/AU 快速退火 欧姆接触 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部