国家自然科学基金(60376020)

作品数：4被引量：9H指数：2
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侧墙铬衰减型新结构移相掩模的应用
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期340-342,共3页谢常青 刘明 陈宝钦 叶甜春 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60376020)
提出了一种全新的移相掩模--侧墙铬衰减型移相掩模(SCAPSM),相对于通常的衰减型移相掩模,其制造工艺仅多两步,却可以较大幅度提高光刻分辨率.采用PROLITH光学光刻模拟软件,参考ArF步进扫描投影光刻机TWINSCAN XT:1400E的曝光参数,对侧...
关键词：193nm光学光刻 衰减型移相掩模 离轴照明 数值孔径 PROLITH 
193 nm光刻散射条技术研究被引量：3
《微电子学》2005年第4期360-363,共4页康晓辉 张立辉 范东升 王德强 谢常青 刘明 
国家自然科学基金资助项目(60376020)
介绍了193nm光刻中的散射条技术,并利用标量衍射和傅里叶光学理论,对掩模和光瞳平面上衍射图形的空间频率进行了深入的分析,从理论上解释了散射条的工作原理。通过商用光刻模拟软件PROLITH,对散射条的参数进行了优化,并总结出193nm光刻...
关键词：光刻 亚分辨率辅助图形 散射条 离轴照明 分辨率增强 光学临近效应校正 
100 nm分辨率交替式移相掩模设计被引量：1
《固体电子学研究与进展》2005年第2期260-264,共5页陆晶 陈宝钦 刘明 龙世兵 李泠 
获国家自然基金支持(自然基金号60376020)
讨论了100nm分辨率交替式移相掩模设计中的关键问题,以及通过对版图的拓扑分析,建立自动化的解决相位冲突的各种方法。通过比较,确立了分层叠加曝光的方案,并针对分层叠加曝光技术,进行了100nm节点中分层技术中两种关键图形的模拟。得...
关键词：交替式移相掩模 相位冲突 光学临近效应校正 
100nm分辨率的移相掩模技术被引量：5
《微细加工技术》2003年第4期27-32,共6页陆晶 陈宝钦 刘明 王云翔 龙世兵 李泠 
国家自然基金资助项目(60376020)
介绍了移相掩模技术的基本原理,对几种主要的移相掩模技术进行了比较,指出了各种移相方式的特点和应用局限性,并针对100nm分辨率的技术节点,阐述了各种移相方式在应用中应该解决的问题。
关键词：分辨率 移相掩模 二元掩模 光刻 交替式 衰减式 
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