国家自然科学基金(69876008)

作品数：13被引量：11H指数：2
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铁电非挥发逻辑的设计和应用
《固体电子学研究与进展》2004年第4期427-431,共5页程旭 汤庭鳌 钟宇 王晓光 康晓旭 
科技预研项目 (J82 .2 .3 );国家自然科学基金项目 (698760 0 8)资助
根据非挥发逻辑的概念 ,分析了非挥发逻辑必须满足的条件。根据逻辑状态在电路中存在的形式与2T/ 2CFeRAM单元结构的相似性 ,得出了基于铁电电容的铁电非挥发逻辑的基本原理。以非挥发CMOSD触发器为例 ,对非挥发D触发器单元及其外围电...
关键词：铁电非挥发逻辑(FeNVL) 互补金属氧化物半导体D触发器 非挥发现场可编程门阵列 
用于非破坏性读出铁电存储器的MFIS结构的机理研究
《固体电子学研究与进展》2003年第3期323-328,共6页林殷茵 汤庭鳌 
国家自然科学基金项目 (698760 0 8);AM基金项目;国防科委预研项目 (J8.2 .3 .JW0 70 3 )资助
分析了 MFIS FET的工作机理以及影响 MFIS电容的存储窗口特性的因素 ,提出用存储窗口与铁电薄膜正、负矫顽电压的差值来评价存储窗口特性 ,制备了 Au/Cr/PZT/Zr O2 /Si的 MFIS结构并研究了其存储窗口特性 ,存储窗口随 Zr O2 的厚度变化...
关键词：铁电存储器 MFIS结构 金属-铁电-绝缘层-半导体 场效应晶体管 非破坏性读出 工作机理 
LNO薄膜电极的制备及其特性研究被引量：3
《功能材料》2003年第3期317-319,共3页康晓旭 林殷茵 汤庭鳌 钟宇 黄维宁 姜国宝 王晓光 
国家自然科学基金资助项目(69876008);应用材料AM基金资助项目;国家科技预研资助项目(J8.3.3.JW0703);博士点基金资助项目
　采用水基化学溶液涂布(water basedcoating)的方法,在SiO2/Si上制备出了LaNiO3(LNO)导电金属氧化物薄膜。系统研究了退火温度、退火时间、厚度等工艺条件对LNO薄膜电学特性和结构的影响,并进一步分析了产生这些现象的原因。制备的LNO...
关键词：LNO薄膜 制备 铁电体 铁电存储器 氧化物电极 铁电电容 
铁电存储器中Pb(Zr,Ti)O_3集成铁电电容的制备
《固体电子学研究与进展》2003年第1期112-115,共4页黄维宁 姜国宝 林殷茵 汤庭鳌 
国家自然科学基金项目 (编号 698760 0 8);应用材料 (AM)基金项目资助
在铁电不挥发存储器 (FERAM)技术中 ,集成铁电电容的制备是关键工艺之一。文中提出一种制备集成铁电电容的改进工艺 :采用 lift-off技术在衬底样品表面淀积铁电电容 Pt/Ti下电极 ,然后用 Sol-Gel方法制备 PZT薄膜。在 PZT薄膜未析晶前 ...
关键词：铁电存储器 Pb(Zr Ti)O3 锆钛酸铅 铁电薄膜 铁电电容 
新型铁电不挥发性逻辑电路的分析和实现
《Journal of Semiconductors》2002年第11期1201-1206,共6页汤庭鳌 陈登元 汤祥云 程君侠 虞惠华 
国家自然科学基金 (批准号 :6 9876 0 0 8);国防科技预研 (批准号 :J8.2 .3.JW 0 70 3);高校博士点基金资助项目~~
提出了一种利用与 CMOS工艺相容的铁电薄膜来实现使一般逻辑电路成为非挥发性的新技术 .通过电路模拟及对锁存器和触发器实验电路进行测试 。
关键词：逻辑电路 挥发性 铁电薄膜 锁存器 
铁电电容模型及其在铁电存储器中的应用被引量：1
《微电子学》2001年第6期414-417,421,共5页王岸如 汤庭鳌 程旭 汤祥云 
国家自然科学基金 (6 9876 0 0 8);AM基金;国防科技预研基金项目
近年来 ,集成铁电学 ( integrated ferroelectrics)迅速发展。铁电体是一种特殊的电介质 ,在不存在外场的情况下 ,它仍然可以保持一个自发的极化强度 .其极化方向在外电场的作用下可以发生反转 ,表现出特殊的非线性介电行为 ,即电滞回...
关键词：集成铁电学 铁电存储器 铁电电容模型 
一种4k位串行铁电不挥发存储器的VLSI实现被引量：1
《微电子学》2001年第4期255-259,275,共6页汤祥云 王岸如 程旭 汤庭鳌 
国家自然科学基金项目 ( 698760 0 8) ;"863"项目 ;AM基金项目
文章提出了一个基于 VLSI的 4k位串行铁电不挥发存储器的实现方案。该电路采用2 T- 2 C的存储单元设计 ,针对铁电电容的读出和写入的电流电压特性设计了相应的读写时序 ,给出了状态机的描述和相应的电路实现。该电路与通用的 E2 PROM 2 ...
关键词：铁电电容 VLSI 存储器 
虚拟仪器在存储元件记忆特性测试中的应用
《半导体技术》2001年第4期53-56,共4页俞承芳 虞惠华 汤庭鳌 
863项目国家自然科学基金项目(69876008)资助
论述了虚拟仪器在存储元件测量中的应用；介绍了采用虚拟仪器测试存储元件记忆特性的方法，并指出虚拟仪器的功能在基本硬件确定之后，可通过软件编程来实现，因而具有很大的灵活性，在对程序稍作修改后能适用于不同存储器件的测试。
关键词：存储元件 虚拟仪器 控制面板 记忆特性测试 程序设计 
用于铁电存储器的PZT薄膜的制备与性能被引量：3
《固体电子学研究与进展》2001年第2期234-238,共5页林殷茵 汤庭鳌 黄维宁 宋浩然 
国家自然科学基金项目! (6 9876 0 0 8) ;AM基金项目 ;"86 3"项目资助
采用 MOD方法制得了具有纯钙钛矿结构和良好铁电性能的 PZT薄膜 ,典型 Pr、Ps、Ec值分别为 2 7μC/ cm2、4 4 μC/ cm2、10 .9k V/ mm,进一步分析表明 ,制备工艺对薄膜的析晶状态、晶粒尺寸和铁电性能有重大影响 ,析晶充分和大晶粒尺寸...
关键词：锆钛酸铅 铁电体 性能 铁电存储器 PZT薄膜 
MFIS结构的C-V特性被引量：3
《Journal of Semiconductors》2000年第12期1203-1207,共5页颜雷 汤庭鳌 黄维宁 姜国宝 钟琪 汤祥云 
国家自然科学基金!( 698760 0 8);国家"863"高技术计划资助项目&&
研究了运用 SOL- GEL方法制备的 Au/PZT(铅锆钛 ) /Zr O2 /Si结构电容即 MFIS(Met-al/Ferroelectric /Insulator/Semiconductor)电容的方法 ,并对其进行了 SEM、C- V特性测试及Zr O2 介质层介电常数分析 .研究了 C- V存储窗口 (Memory W...
关键词：MFIS C-V特性 存储窗口 铁电薄膜 电滞回线 
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