电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金

作品数：41被引量：115H指数：6
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相关作者：李斌恩云飞罗宏伟姚若河宋芳芳更多>>
相关机构：信息产业部电子第五研究所华南理工大学东南大学西安电子科技大学更多>>
相关期刊：《传感技术学报》《微电子学》《核电子学与探测技术》《电子质量》更多>>
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通孔微结构对Cu/低-k应力诱生空洞的影响被引量：1
《华南理工大学学报（自然科学版）》2011年第3期135-139,共5页林晓玲 侯通贤 章晓文 姚若河 
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室基金资助项目(9140C0301040801)
基于Cu的随动强化模型,采用有限元分析方法,对不同Cu/低-k通孔微结构中的应力情景进行模拟分析,探讨了因互连通孔和通孔阻挡层形成工艺的波动性,造成通孔高度、通孔沟槽深度和通孔底部阻挡层厚度的变化,以及这一变化对互连通孔和通孔底...
关键词：Cu/低-k互连 应力诱生空洞 工艺波动 通孔微结构 
化学机械抛光对铜互连器件的影响及失效分析被引量：2
《微电子学》2011年第1期143-145,149,共4页林晓玲 刘建 章晓文 侯通贤 姚若河 
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金资助项目(9140C03010408DZ15)
探讨了Cu化学机械抛光(CMP)工艺引起Cu互连器件失效的原因以及对可靠性的影响,对Cu CMP工艺缺陷导致器件失效的案例进行分析。由于CMP的技术特点,不可避免地会产生一些工艺缺陷和工艺误差,从而引起器件失效。必须根据标准要求,出厂或封...
关键词：化学机械抛光 CU互连 工艺缺陷 金属残留 
PMOSFET的动态NBTI效应模型研究
《华中科技大学学报（自然科学版）》2010年第12期24-27,共4页李斌 宋芳芳 解江 章晓文 
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金(9140C0301030901)
为了能够准确地预测器件的寿命,研究了PMOSFET中的动态负偏压温度不稳定性效应(NBTI)模型.在静态NBTI效应模型及反应-扩散模型(R-D)的基础上,推导出动态NBTI应力下界面陷阱电荷模型,其与占空比成指数关系.考虑到占空比对器件NBTI效应的...
关键词：负偏压温度不稳定性效应 可靠性 阈值电压漂移 占空比 寿命 P金属氧化物半导体场效应晶体管 
大功率LED照明灯有限元热设计与高效系统开发被引量：2
《半导体技术》2010年第5期431-435,共5页冯先龙 恩云飞 宋芳芳 
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金(9140C03050108DZ15)
随着LED亮度要求的不断提高,LED的温度分布和采用的散热手段对LED的可靠性有很大影响。利用ANSYS软件对LED照明的散热问题进行了详细的模拟计算。基于100 WLED实验和模拟结果的一致性,分析比较了不同结构和加载方式对200 WLED温度分布...
关键词：大功率LED 散热设计 ANSYS有限元 优化设计 
基于VC++与ANSYS行波管慢波结构模态分析系统
《电子质量》2010年第4期37-40,共4页冯先龙 宋芳芳 恩云飞 
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金(9140C03050108DZ15)资助
为对行波管慢波结构进行高效模态分析,整合了基于Ansys的模态分析和通用软件开发平台VC++6.0的功能,开发了慢波结构振动有限元分析系统。研究了VC环境下对ANSYS的封装嵌套、ANSYS批处理程序的调用、VC++后处理的实现等。系统建立了友好...
关键词：VC++ ANSYS二次开发 慢波结构 模态分析 
伪通孔对铜互连应力诱生空洞的影响
《微电子学》2010年第2期295-299,共5页侯通贤 姚若河 林晓玲 
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室基金资助项目(9140C03010408DZ15)
基于铜的随动强化模型,使用三维有限元方法,分析在窄-宽线铜互连结构中添加伪通孔对互连应力诱生空洞的影响。对宽互连M1分别为无伪通孔、中间添加伪通孔、右侧边沿添加伪通孔和添加双伪通孔结构进行了研究。结果表明,添加伪通孔不但可...
关键词：伪通孔 铜互连 应力诱生空洞 
互连宽度对铜互连应力可靠性的影响
《微电子学》2010年第1期122-125,共4页侯通贤 林晓玲 姚若河 
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室基金资助项目(9140C03010408DZ15)
基于Cu的随动强化模型,用二维有限元分析方法,模拟分析了不同互连宽度对Cu互连热应力分布的影响。研究发现,当互连尺寸减小到一定宽度后,静水应力先减小,后略有增加;随线宽的减小,等效塑性应变的最大值逐渐减小,塑性应变最大值的位置由C...
关键词：随动强化模型 铜互连 热应力 可靠性 
PMOSFET动态NBTI效应的研究被引量：2
《半导体技术》2010年第1期79-83,共5页宋芳芳 解江 李斌 章晓文 
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金(9140C0301030901)
负偏压温度不稳定性效应(NBTI)已经成为影响CMOS集成电路可靠性的一个关键因素,而动态应力条件下的NBTI效应对器件和电路的影响越来越受到关注。对PMOSFET的动态NBTI效应进行了系统介绍,讨论了动态应力条件下NBTI(DNBTI)效应和静态应力...
关键词：PMOS 动态NBTI 可靠性 恢复效应 
硅太阳能电池的应用研究与进展被引量：30
《材料开发与应用》2009年第6期93-96,共4页黄庆举 林继平 魏长河 姚若河 
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金资助(5130804108)
介绍了三代太阳能电池的发展历程和最新研究进展,晶体硅太阳能电池在光伏产业中主要朝高效方向发展,认为廉价、高效多晶硅薄膜太阳能电池,是当前太阳能电池研究的热点,也是未来太阳能电池发展的方向。
关键词：太阳能电池 晶体硅 高效电池 光伏产业 
行波管慢波结构抗振可靠性研究
《电子产品可靠性与环境试验》2009年第6期19-22,共4页冯先龙 宋芳芳 恩云飞 
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金项目(9140C03050108DZ15)资助
慢波结构为行波管的核心部件之一。为了评价行波管的慢波结构振动可靠性,整合了慢波结构有限元分析和简化模型的数学推导,得到了慢波结构的固有频率和振型,再研究慢波结构电性能与结构尺寸的关系,以及自然振动频率公式的内在联系。最后...
关键词：行波管 慢波结构 振动分析 有限元分析 
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