云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(61274080)

国家自然科学基金(61274080): 作品数：14被引量：12H指数：2; 导出分析报告; 相关作者：成建兵夏晓娟郭宇锋周骏吉新村更多>>; 相关机构：南京邮电大学东南大学更多>>; 相关期刊：《微电子学》《东南大学学报（自然科学版）》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>; 相关主题：ESDVDMOS击穿电压LIGBTEMI更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

一种新型双Fin ESD防护单元研究: 《微电子学》2023年第2期321-325,共5页成建兵周嘉诚刘立强张效俊孙旸; 国家自然科学基金资助项目(61274080)。; 为满足小尺寸器件的ESD防护需求,基于Fin技术,提出了一种具有寄生SCR的STI双Fin结构。通过采用双Fin布局和深掺杂技术,减小了器件的基区宽度,避免了Fin技术中由弱电导调制导致的SCR无法开启的现象。仿真结果表明,相比于DFSD结构,新结构...; 关键词：鳍式场效应晶体管电导调制深掺杂静电放电

一种具有低EMI噪声的低阻空穴路径IGBT被引量：2: 《固体电子学研究与进展》2022年第5期347-351,共5页成建兵刘立强周嘉诚吴家旭李瑛楠; 国家自然科学基金资助项目(61274080)。; 为了解决浮空P区IGBT器件在小电流开启时存在较大EMI噪声的问题,提出了一种低阻空穴路径结构的IGBT。新结构在浮空P区中引入P+层以形成高低结,在开启过程中,较低电势的P+层加强了浮空P区空穴沿空穴路径地流出,呈现出低阻空穴路径,从而...; 关键词：绝缘栅双极晶体管浮空P区小电流开启电磁干扰噪声

一种快关断的新型ESD电源箝位电路被引量：1: 《微电子学》2021年第6期889-893,共5页邓志豪成建兵李瑛楠张才荣周嘉诚; 国家自然科学基金资助项目(61274080)。; 提出了一种新型电源箝位电路,旨在解决传统电路中存在的泄漏电流大、误触发、低导通时间等问题。该电路通过引入双极晶体管(BJT),利用BJT电流放大作用以降低电容容值,再利用MOS管和串联二极管的反馈作用以调整触发电压,来提升箝位电路...; 关键词：电源箝位电路误触发泄漏电流导通时间

一种集成RC吸收器的低EMI分离栅VDMOS被引量：3: 《微电子学》2020年第5期720-725,共6页王玲成建兵陈明张才荣邓志豪; 国家自然科学基金资助项目(61274080)。; 为满足高速、高集成度和低EMI的要求,提出了一种分离栅VDMOS器件。通过在JFET区集成梳状MOS电容、漂移区电阻,构成内部集成RC吸收器,减小了器件关断过程中漏端电压斜率dVds/dt和电流斜率dId/dt。仿真结果表明,相比于常规VDMOS,该VDMOS...; 关键词：VDMOS 分离栅 RC吸收器 EMI

Design and analysis of a NMOS triggered LIGBT structure for electrostatic discharge protection: 《Journal of Semiconductors》2019年第5期47-50,共4页Li Tian Jianbing Cheng Cairong Zhang Li Shen Lei Wang; supported by National Natural Science Foundation of China(Grant No.61274080); A novel NMOS triggered LIGBT(NTLIGBT) structure is proposed for electrostatic discharge(ESD) protection in this paper. The structure utilizes internal NMOS to trigger SCR-like structure in LIGBT. The trigger voltage i...; 关键词：ESD NMOS triggered LIGBT(NTLIGBT) TRIGGER VOLTAGE HOLDING VOLTAGE ESD design window

基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型SOI LIGBT: 《微电子学》2017年第5期714-717,共4页周骏成建兵袁晴雯陈珊珊吴宇芳王勃; 国家自然科学基金资助项目(61274080); 在SOI衬底上,制作了一种基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型横向绝缘栅双极晶体管(SOI AWIL-LIGBT)。利用反型所形成的高阻值电阻来使PN结阳极快速导通,阳极P+区中的空穴可以更快地注入漂移区,从而消除负阻效应。仿真结果表明,该新型LT...; 关键词：阳极短路横向绝缘栅双极晶体管击穿电压反型层负微分电阻效应

阶梯掺杂P柱区二维类超结LDMOS的研究: 《微电子学》2017年第4期576-580,共5页袁晴雯成建兵周骏陈珊珊吴宇芳王勃; 国家自然科学基金资助项目(61274080); 提出了一种阶梯掺杂P柱区二维类超结LDMOS结构。漂移区采用P/N柱交替掺杂的方式形成纵向类超结。漂移区的P柱采用掺杂浓度从源端到漏端逐渐变低的变掺杂结构。这种变掺杂P柱区的引入对衬底辅助耗尽效应所带来的电荷不平衡问题进行了调制...; 关键词：类超结阶梯掺杂击穿电压导通电阻

一种具有浮空P型埋层的新型FS-IGBT被引量：2: 《微电子学》2017年第2期254-257,284,共5页陈旭东成建兵郭厚东滕国兵周骏袁晴雯; 国家自然科学基金资助项目(61274080);中国博士后科学基金资助项目(2013M541585); 提出了一种在阳极引入浮空P型埋层的新型场截止绝缘栅晶体管(FS-IGBT)。结合超结与阳极短路的思想,在相同仿真条件下,与传统FS-IGBT相比,新结构的击穿电压提高了13.9%。当通态电流密度为150A/cm^2时,新结构的优化压降增量小于9%,关断时...; 关键词：场截止绝缘栅晶体管击穿电压负阻现象折中关系

Novel trench gate field stop IGBT with trench shorted anode被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2016年第5期61-64,共4页陈旭东成建兵滕国兵郭厚东; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61274080);the Postdoctoral Science Foundation of China(No.2013M541585); A novel trench field stop （FS） insulated gate bipolar transistor （IGBT） with a trench shorted anode （TSA） is proposed. By introducing a trench shorted anode, the TSA-FS-IGBT can obviously improve the breakdown v...; 关键词：FS-IGBT trench shorted anode breakdown voltage turn off loss TRADEOFF

红外读出电路中低功耗列读出级电路的设计被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2015年第4期377-382,共6页沈玲羽庞屹林范阳夏晓娟吉新村郭宇锋; 国家自然科学基金资助项目(61274080);江苏省自然科学基金资助项目(BK20130880);江苏省教育厅自然科学基金资助项目(14KJB510025); 提出了一种用于红外读出电路的新型低功耗列读出级结构。该结构在传统主从列读出级电路的基础上,引进电压检测电路,通过检测相邻列中主运放的输出电压,动态地调节从运放工作电流,避免了传统结构中从运放需要始终工作在大电流下(>Imax)...; 关键词：列读出级主从电压检测动态调节

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