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国家自然科学基金(60606022): 作品数：15被引量：20H指数：2; 导出分析报告; 相关作者：张玉明张义门吕红亮车勇王悦湖更多>>; 相关机构：西安电子科技大学武警工程学院西安武警工程学院更多>>; 相关期刊：《微波学报》《微电子学》《Chinese Physics B》《电子学报》更多>>; 相关主题：4H-SICMESFETMESFETSNI碳化硅更多>>; 相关领域：电子电信理学核科学技术一般工业技术更多>>

Neutron radiation effect on 4H-SiC MESFETs and SBDs被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2010年第11期29-32,共4页张林张义门张玉明韩超; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60606022);the Innovation Engineering of Shaanxi Province, China(No.2008ZDKG-30);the Advanced Research Foundation of China(No.9140A08050508);the Special Fund for Basic Scientific Research of Central Colleges,Chang'an University,China(No.CHD2010JC054); 4H-SiC metal Schottky field effect transistors（MESFETs） and Schottky barrier diodes（SBDs） were irradiated at room temperature with 1 MeV neutrons.The highest neutron flux and gamma-ray total dose were 1×1015 n/cm...; 关键词：silicon carbide metal semiconductor field effect transistor Schottky barrier diode neutron radiation

微带线碳化硅E类功率放大器设计: 《微电子学》2009年第6期765-768,共4页徐志超吕红亮张玉明张义门; 国家自然科学基金资助项目(60606022); SiC MESFET由于其高击穿电压和低输出电容,适合用于设计E类功率放大器。设计了一种结构简单的微带线拓扑E类负载网络,可以匹配至标准电阻,且抑制高至5阶的谐波。用ADS软件进行电路仿真,在2.14 GHz频率点下,峰值功率附加效率(PAE)为70.5%...; 关键词：E类功率放大器 SiC MESFET 微带线谐波抑制

ESR characters of intrinsic defects in epitaxial semi-insulating 4H-SiC illuminated by Xe light被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2009年第12期9-12,共4页程萍张玉明张义门郭辉; supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60606022);the Advanced Fund(No.9140A08050508);the Applied Materials Innovation Fund (Nos.XA-AM-200607,XA-AM-200704); The intrinsic defects in epitaxial semi-insulating 4H-SiC prepared by low pressure chemical vapor deposition （LPCVD） are studied by electron spin resonance （ESR） with different illumination times. The results show...; 关键词：electron spin resonance low pressure chemical vapor deposition intrinsic defects semi-insulating 4H-SiC

High energy electron radiation effect on Ni/4H-SiC SBD and Ohmic contact被引量：2: 《Chinese Physics B》2009年第8期3490-3494,共5页张林张义门张玉明韩超马永吉; supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No 60606022);the Xian Applied Materials Foundation (Grant No XA-AM-200702);the Advanced Research Foundation (Grant No 9140A08050508); The Ni/4H-SiC Schottky barrier diodes （SBDs） and transfer length method （TLM） test patterns of Ni/4H-SiC Ohmic contacts were fabricated, and irradiated with i MeV electrons up to a dose of 3.43 × 10^14 e/cm^-2. A...; 关键词：silicon carbide Schottky barrier diode Ohmic contact electron radiation

High energy electron radiation effect on Ni and Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes at room temperature被引量：1: 《Chinese Physics B》2009年第5期1931-1934,共4页张林张义门张玉明韩超马永吉; supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No 60606022);the Xian Applied Materials Foundation of China(Grant No XA-AM-200702);the Advanced Research Foundation of China(Grant No 9140A08050508); This paper reports that Ni and Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes （SBDs） were fabricated and irradiated with 1 MeV electrons up to a dose of 3.43 × 10^14 e/cm2. After radiation, the Schottky barrier height φB of th...; 关键词：silicon carbide Schottky barrier diode electron radiation annealing effect

4H-SiC MESFET大信号非线性特性分析被引量：2: 《微波学报》2009年第2期78-82,共5页吕红亮车勇张义门张玉明郭辉张林; 国家自然科学基金(No.60606022);应用材料创新基金项目(No.XA-AM-200702); 采用Volterra级数法对4H-SiC射频MESFET的大信号非线性特性进行了分析,并研究了器件尺寸与线性度的关系。模型考虑了陷阱效应对非线性特性的影响,模拟结果能够较好地反映实验结果。进一步分析表明,在1GHz和1.01GHz频率下,当栅长从0.8μ...; 关键词：碳化硅金属半导体场效应晶体管非线性 VOLTERRA级数

LPCVD法制备的高纯半绝缘4H-SiC晶体ESR谱特性被引量：2: 《物理学报》2009年第6期4214-4218,共5页程萍张玉明郭辉张义门廖宇龙; 国家自然科学基金(批准号:60606022);国防预研基金(批准号:9140A08050508);西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200607,XA-AM-200704)资助的课题~~; 利用电子自旋共振波谱(ESR)仪,分析由低压化学气相沉积(LPCVD)法制备的高纯半绝缘4H-SiC材料本征缺陷.结果发现,在暗场条件下获得的缺陷信息具有碳空位(VC)及其络合物的特征;谱线具有半高宽较大、峰谷明显不对称的特点.分析认为造成ESR...; 关键词：低压化学气相沉积高纯半绝缘4H-SiC 电子自旋共振本征缺陷

Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应被引量：7: 《物理学报》2009年第4期2737-2741,共5页张林张义门张玉明韩超马永吉; 国家自然科学基金(批准号:60606022);西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200702)资助的课题~~; 对制备的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)进行了γ射线辐照试验,并在辐照过程中对器件分别加0和-30V偏压.经过1Mrad(Si)总剂量的γ射线辐照后,不同辐照偏压下的Ni/4H-SiC肖特基接触的势垒高度和理想因子没有退化,SiC外延层中的少子寿命...; 关键词：碳化硅肖特基辐照效应偏压

A new physics-based self-heating effect model for 4H-SiC MESFETs: 《Chinese Physics B》2008年第12期4622-4626,共5页曹全君张义门张玉明; Project supported by the National Defense Foundation of China (Grant No 51327010101);the National Natural Science Foundation of China (Grant No 60606022); A new self-heating effect model for 4H-SiC MESFETs is proposed based on a combination of an analytical and a computer aided design （CAD） oriented drain current model. The circuit oriented expressions of 4H-SiC low-f...; 关键词：4H silicon carbide metal semiconductor field effect transistor self-heating effect com puter aided design

陷阱效应对4H-SiC MESFET频率特性的影响: 《电子学报》2008年第5期933-936,共4页吕红亮张义门张玉明车勇王悦湖邵科; 国家自然科学基金(No.60606022);国防973重点基础研究发展规划(No.51327010101); 针对4H-SiC射频MESFET中的陷阱效应,建立了基于解析模型的器件小信号参数模型,引入能够反映陷阱影响的参数Rds″、gm″、Css等,从而能够由此分析器件特性随频率偏移的情况.对沟道缓冲层界面深能级陷阱的分析表明,4H-SiC MESFET的跨导既...; 关键词：碳化硅 MESFET 深能级陷阱频率特性

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