云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家教育部博士点基金(JY0300122503)

国家教育部博士点基金(JY0300122503): 作品数：21被引量：20H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：张鹤鸣胡辉勇宋建军周春宇舒斌更多>>; 相关机构：西安电子科技大学北京精密机电控制设备研究所北京信息科技大学辽宁工程技术大学更多>>; 相关期刊：《物理学报》《西安电子科技大学学报》《Journal of Semiconductors》《Journal of Central South University》更多>>; 相关主题：应变SIXNMOSFET阈值电压迁移率更多>>; 相关领域：电子电信理学建筑科学更多>>

单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管源漏电流特性模型被引量：1: 《物理学报》2015年第19期272-277,共6页吕懿张鹤鸣胡辉勇杨晋勇殷树娟周春宇; 教育部博士点基金(批准号:JY0300122503);中央高校基本业务费(批准号:K5051225014;K5051225004)资助的课题~~; 本文在建立单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管迁移率模型和阈值电压模型的基础上,基于器件不同的工作区域,从基本的漂移扩散方程出发,分别建立了单轴应变Si NMOSFET源漏电流模型.其中将应力的影响显式地体现在迁移率和阈值电...; 关键词：单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管迁移率阈值电压

单轴应变硅N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管电容特性模型: 《物理学报》2015年第6期345-350,共6页吕懿张鹤鸣胡辉勇杨晋勇殷树娟周春宇; 教育部博士点基金(批准号:JY0300122503);中央高校基本业务费(批准号:K5051225014;K5051225004)资助的课题~~; 电容特性模型是单轴应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Si MOSFET)和电路进行瞬态分析、交流小信号分析、噪声分析等的重要基础.本文首先建立了单轴应变Si NMOSFET的16个微分电容模型,并将微分电容的仿真结果与实验结果进行了比较,验...; 关键词：单轴应变Si 微分电容栅电容

Physically-based modeling for hole scattering rate in strained Si_(1-x) Ge_x/(100)Si: 《Journal of Central South University》2015年第2期430-436,共7页王斌胡辉勇张鹤鸣宋建军张玉明; Project(JY0300122503)supported by the Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China;Project(P140c090303110c0904)supported by NLAIC Research Fund,China;Projects(K5051225014,7214608503)supported by the Fundamental Research Funds for the Central Universities,China; Based on the Fermi's golden rule and the theory of Boltzmann collision term approximation, a physically-based model for hole scattering rate(SR) in strained Si1-x Gex/(100)Si was presented, which takes into account a ...; 关键词：strained Si1-x Gex biaxial stress hole scattering rate effective mass

压应变Ge/(001)Si_(1-x)Ge_x空穴散射与迁移率模型被引量：2: 《物理学报》2015年第3期477-482,共6页白敏宣荣喜宋建军张鹤鸣胡辉勇舒斌; 教育部博士点基金(批准号:JY0300122503);陕西省自然科学基础研究计(批准号:2014JQ8329)资助的课题~~; 应变Ge材料因其载流子迁移率高,且与硅工艺兼容等优点,已成为硅基CMOS研究发展的重点和热点.本文基于压应变Ge/(001)Si1-xGex价带结构模型,研究了压应变Ge/(001)Si1-xGex空穴各散射概率、空穴迁移率与Ge组分(x)的关系,包括空穴离化杂质...; 关键词：锗应变散射迁移率

应变(001)p型金属氧化物半导体反型层空穴量子化与电导率有效质量: 《物理学报》2014年第23期428-433,共6页刘伟峰宋建军; 教育部博士点基金(批准号:JY0300122503);陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2014JQ8329)资助的课题~~; 基于k·p微扰理论框架,研究建立了单轴张/压应变Si,Si基双轴应变p型金属氧化物半导体(PMOS)反型层空穴量子化有效质量与空穴面内电导率有效质量模型.结果表明:对于单轴应力PMOS,选择单轴压应力可有效增强器件的性能;同等增强PMOS空穴迁...; 关键词：应变 p型金属氧化物半导体沟道设计

直接带隙Ge_(1-x)Sn_x本征载流子浓度研究: 《物理学报》2014年第23期434-439,共6页白敏宣荣喜宋建军张鹤鸣胡辉勇舒斌; 教育部博士点基金(批准号:JY0300122503);陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2014JQ8329)资助的课题~~; 通过合金化改性技术,Ge可由间接带隙半导体转变为直接带隙半导体.改性后的Ge半导体可同时应用于光子器件和电子器件,极具发展潜力.基于直接带隙Ge1-x Sn x半导体合金8带Kronig-Penny模型,重点研究了其导带有效状态密度、价带有效状态密...; 关键词：Ge1-xSnx 直接带隙本征载流子浓度

具有poly-Si_(1-x)Ge_x栅的应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压漂移模型研究: 《物理学报》2014年第23期284-289,共6页刘翔宇胡辉勇张鹤鸣宣荣喜宋建军舒斌王斌王萌; 教育部博士点基金(批准号:JY0300122503);中央高等学校基本科研基金(批准号:K5051225014;K5051225004)资助的课题~~; 针对具有poly-Si1-x Ge x栅的应变Si Ge p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET),研究了其垂直电势与电场分布,建立了考虑栅耗尽的poly-Si1-x Ge x栅情况下该器件的等效栅氧化层厚度模型,并利用该模型分析了poly-Si1-x Ge x栅及应变S...; 关键词：应变SI Ge p型金属氧化物半导体场效应晶体管 poly-Si1-xGex栅热载流子阈值电压

γ射线总剂量辐照效应对应变Si p型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压与跨导的影响研究被引量：1: 《物理学报》2014年第23期239-246,共8页胡辉勇刘翔宇连永昌张鹤鸣宋建军宣荣喜舒斌; 教育部博士点基金(批准号:JY0300122503);中央高等学校基本科研基金(批准号:K5051225014;K5051225004)资助的课题~~; 分析了双轴应变Si p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)在γ射线辐照下载流子的微观输运过程,揭示了γ射线的作用机理及器件电学特性随辐照总剂量的演化规律,建立了总剂量辐照条件下的双轴应变Si PMOSFET阈值电压与跨导等电学特...; 关键词：应变SI p型金属氧化物半导体场效应晶体管总剂量辐照阈值电压跨导

单轴应变Si NMOSFET热载流子栅电流模型被引量：1: 《物理学报》2014年第19期296-302,共7页吕懿张鹤鸣胡辉勇杨晋勇; 教育部博士点基金(批准号:JY0300122503);中央高校基本业务费(批准号:K5051225014;K5051225004)资助的课题~~; 热载流子效应产生的栅电流是影响器件功耗及可靠性的重要因素之一,本文基于热载流子形成的物理过程,建立了单轴应变硅NMOSFET热载流子栅电流模型,并对热载流子栅电流与应力强度、沟道掺杂浓度、栅源电压、漏源电压等的关系,以及TDDB(经...; 关键词：单轴应变Si 热载流子栅电流模型

SOI SiGe HBT结构设计及频率特性研究被引量：3: 《物理学报》2014年第11期375-379,共5页宋建军杨超朱贺张鹤鸣宣荣喜胡辉勇舒斌; 教育部博士点基金(批准号:JY0300122503);中央高校基本科研业务费(批准号:72125499)资助的课题~~; 将SOI技术优势引入SiGe HBT,可满足当前BiCMOS高速低功耗的应用需求.SOI SiGe HBT作为BiCMOS工艺的核心器件,其频率特性决定了电路所能达到的工作速度.为此,本文针对所提出的SOI SiGe HBT器件结构,重点研究了该器件的频率特性,并通过所...; 关键词：HBT 设计频率 SOI

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