云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(60336010)

国家自然科学基金(60336010): 作品数：67被引量：126H指数：5; 导出分析报告; 相关作者：王启明余金中郭亨群陈松岩成步文更多>>; 相关机构：中国科学院厦门大学华侨大学南京大学更多>>; 相关期刊：《功能材料》《红外与毫米波学报》《固体电子学研究与进展》《真空》更多>>; 相关主题：光致发光SOI纳米硅射频磁控反应溅射硅基更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

Photoluminescence spectroscopy of sputtering Er-doped silicon-rich silicon nitride films: 《Journal of Semiconductors》2009年第10期1-4,共4页丁武昌左玉华张云郭剑川成步文余金中王启明郭亨群吕蓬申继伟; supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60336010);the State Key Development Program for Basic Research of China(No.2006CB302802); Er-doped silicon-rich silicon nitride （SRN） films were deposited on silicon substrate by an RF magnetron reaction sputtering system. After high temperature annealing, the films show intense photoluminescence in both...; 关键词：PHOTOLUMINESCENCE silicon nitride Er doping

A comparison of silicon oxide and nitride as host matrices on the photoluminescence from Er^(3+) ions: 《Chinese Physics B》2009年第7期3044-3048,共5页丁武昌刘艳张云郭剑川左玉华成步文余金中王启明; Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No 60336010);the Major State Basic Research Program of China (Grant Nos 2006CB302802 and 2007CB613404); This paper compares the properties of silicon oxide and nitride as host matrices for Er ions. Erbium-doped silicon nitride films were deposited by a plasma-enhanced chemical-vapour deposition system.After deposition,t...; 关键词：Er doping silicon nitride PHOTOLUMINESCENCE

Growth of SiGe by D-UHV/CVD at Low Temperature: 《Journal of Semiconductors》2008年第10期1889-1892,共4页曾玉刚韩根全余金中; 国家自然科学基金(批准号:60336010);国家重点基础研究发展计划(批准号:G2000036605)资助项目~~; The temperature is a key factor for the quality of the SiGe alloy grown by D-UHV/CVD. In conventional conditions,the lowest temperature for SiGe growth is about 550℃. Generally, the pressure of the growth chamber is ...; 关键词：SIGE D-UHV/CVD low-temperature deposition DCXRD

Study of valence intersubband absorption in tensile strained Si/SiGe quantum wells: 《Chinese Physics B》2008年第9期3479-3483,共5页林桂江赖虹凯李成陈松岩余金中; supported by National Natural Science Foundation of China (Grant Nos 50672079,60336010 and 60676027);National Basic Research Program of China (Grant No 2007CB613400); The hole subband structures and effective masses of tensile strained Si/Sil-yGey quantum wells are calculated by using the 6 × 6 k·p method. The results show that when the tensile strain is induced in the quantum we...; 关键词：SI/SIGE tensile strain effective mass valence intersubband transition

U型凹槽电极硅MSM结构光电探测器的研制: 《光电子．激光》2008年第7期869-871,894,共4页黄燕华陈松岩李成蔡加法余金中; 国家自然科学基金资助项目(60576001,60336010,60676027);福建省自然科学基金资助项目(A0410008); 为了提高硅MSM结构光电探测器的光电响应度,制备了U型凹槽电极结构的探测器。5 V偏压下,对650 nm波长入射光的绝对光电响应度测试表明,凹槽电极结构的探测器最大光电响应度值为0.486 A/W,比同样尺寸的平版结构光电探测器提高了约6倍。...; 关键词：金属-半导体-金属结构光电响应度探测器

磁控溅射掺Er SiN薄膜的光致荧光谱: 《半导体技术》2008年第S1期298-300,共3页丁武昌郑军左玉华成步文余金中王启明郭亨群吕蓬申继伟; 国家自然科学基金(60336010);国家"973"重点基础研究(2007CB13404); 采用磁控溅射法生长了掺Er SiN薄膜,在高温退火后测试了薄膜的光致荧光谱。薄膜在可见光区域以及红外光区域都表现出了很强的光致发光,观察到了Er离子各高能级到基态的跃迁。对样品进行了RBS等物性分析,给出了薄膜的元素组成,并对Er离...; 关键词：复合半导体材料氮化硅光效发光铒

Si／SiNx超晶格材料的非线性光学特性被引量：4: 《发光学报》2008年第6期1045-1049,共5页申继伟郭亨群吕蓬徐骏陈坤基王启明; 国家自然科学基金(60678053);国家自然科学基金重点(60336010);国家重点基础研究发展“973”计划(2007CB613401)资助项目; 采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了Si/SiNx超晶格材料。利用吸收光谱和X射线衍射对材料进行表征。通过皮秒脉冲激光单光束Z-扫描技术研究了该材料在非共振吸收区的三阶非线性光学特性,实验结果表明,样品的非线性折射率为负值...; 关键词：Si/SiN 超晶格三阶非线性极化率 Z-扫描射频磁控反应溅射

nc-Si／SiNx超晶格薄膜实现Nd：YAG激光器调Q和锁模被引量：2: 《发光学报》2008年第5期905-909,共5页王国立郭亨群苏培林张春华王启明徐骏陈坤基; 国家自然科学基金(60678053);国家自然科学基金重点(60336010);国家重点基础研究发展“973”计划(2007CB613401)资助项目; 采用射频磁控反应溅射法制备a-Si/SiNx超晶格薄膜材料,热退火后形成纳米Si晶粒。把nc-Si/SiNx薄膜作为饱和吸收体插入Nd:YAG激光器腔内,在腔长较短时,实现1.06μm激光的被动调Q运转,获得最小脉宽23ns的调Q单脉冲输出,当腔长增加到124cm...; 关键词：激光技术 nc—Si/SiN 超晶格薄膜调Q 锁模射频磁控反应溅射

Smaller Ge Quantum Dots Obtained by ArF Excimer Laser Annealing: 《Journal of Semiconductors》2008年第4期641-644,共4页曾玉刚韩根全余金中; 国家自然科学基金(批准号:60336010);国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036605)资助项目~~; Ge self-assembled quantum dots （SAQDs） are grown with a self-assembled UHV/CVD epitaxy system. Then, the as-grown Ge quantum dots are annealed by ArF excimer laser. In the ultra-shot laser pulse duration, -20ns, bul...; 关键词：Ge quantum dot ArF excimer laser annealing LIQD AFM

Ge／Si(100)量子点生长与形态分布的研究被引量：6: 《半导体光电》2008年第2期220-225,共6页周志玉周志文李成陈松岩余金中赖虹凯; 国家自然科学基金项目(60336010,60676027);福建省工业科技重点项目(2006H0036);福建省自然科学基金项目(A0410008);国家“973”计划资助项目(2007CB613404); 利用超高真空化学气相淀积系统，通过控制淀积量、温度、流量等生长参数，在n型Si（100）衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品，用原子力显微镜进行了表征与分析。系统地研究了生长参数对Ge岛形态分布的影响并分析了有序、高密度Ge岛...; 关键词：GE量子点超高真空化学气相淀积 S-K生长模式

国家自然科学基金(60336010)