云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(60721063)

国家自然科学基金(60721063): 作品数：28被引量：39H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：郑有炓张荣谢自力刘斌韩平更多>>; 相关机构：南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室中国科学院南京大学扬州光电研究院更多>>; 相关期刊：《光谱学与光谱分析》《Science Bulletin》《中国激光》《物理学报》更多>>; 相关主题：GAN表面形貌氢化物气相外延HVPE位错更多>>; 相关领域：理学电子电信机械工程交通运输工程更多>>

The enhancement of light-emitting efficiency using GaN-based multiple quantum well light-emitting diodes with nanopillar arrays: 《Chinese Physics B》2013年第8期679-682,共4页万图图叶展圻陶涛谢自力张荣刘斌修向前李毅韩平施毅郑有炓; supported by the Special Funds for Major State Basic Research Project of China(Grant No.2011CB301900);the High Technology Research Program of China(Grant No.2009AA03A198);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.60990311,60721063,60906025,60936004,60731160628,and 60820106003);the Natural Science Foundation of Jiangsu Province,China(Grant Nos.BK2008019,BK2010385,BK2009255,and BK2010178);the Research Funds from Nanjing University Yangzhou Institute of Opto-electronics,China; The quest for higher modulation speed and lower energy consumption has inevitably promoted the rapid development of semiconductor-based solid lighting devices in recent years. GaN-based light-emitting diodes （LEDs） ...; 关键词：nanopillar arrays INGAN/GAN multiple quantum wells quantum efficiency

The growth and properties of an m-plane InN epilayer on LiAlO_2 (100) by metal-organic chemical vapor deposition: 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》2012年第7期1249-1252,共4页XIE ZiLi ZHANG Rong FU DeYi LIU Bin XIU XiangQian HUA XueMei ZHAO Hong CHEN Peng HAN Ping SHI Yi ZHENG YouDou; supported by the Special Funds for the Major State Basic Research Project (Grant No. 2011CB301900);the High-Tech Research Project (Grant No. 2011AA03A103);the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 60990311, 60820106003, 60721063,60906025, 60936004 and 61176063);the Natural Science Foundation of Jiangsu Province (Grant Nos. BK2011010, BK2009255, BK2010178 andBK2010385);the Research Funds from NJU-Yangzhou Institute of Opto-electronics; The m-plane InN （1 100） epilayers have been grown on a LiAlO2 （1 0 0） substrate by a two-step growth method using a met- al-organic chemical vapor deposition （MOCVD） system. The low temperature InN buffer layer ...; 关键词：crystal structure X-ray diffraction vapor-phase epitaxy INN semiconducting indium compound

AlGaN/GaN量子阱中子带的Rashba自旋劈裂和子带间自旋轨道耦合作用研究被引量：2: 《物理学报》2012年第2期393-399,共7页李明张荣刘斌傅德颐赵传阵谢自力修向前郑有炓; 国家自然科学基金(批准号:60990311,60721063,60906025,60936004);国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB301900);国家高技术研究发展计划(批准号:2009AA03A198);江苏省自然科学基金(批准号:BK2008019,BK2009255,BK2010178);南京大学扬州光电研究院研发基金资助的课题~~; 首先把本征值方程投影到导带的子空间中,进而得到AlGaN/GaN量子阱中第一、二子带的Rashba自旋劈裂系数(α_1,α_2)和子带自自旋-轨道耦合系数η_(12).然后自恰求解薛定谔方程和泊松方程计算了不同栅压的量子阱中的α_1,α_2和η_(12),...; 关键词：Rashba自旋劈裂子带间自旋轨道耦合自恰计算二维电子气

Growth and properties of wide spectral white light emitting diodes: 《Chinese Physics B》2011年第11期414-416,共3页谢自力张荣傅德颐刘斌修向前华雪梅赵红陈鹏韩平施毅郑有炓; supported by the Special Funds for Major State Basic Research Project,China(Grant No.2011CB301900);the Hi-tech Research Project,China(Grant No.2009AA03A198);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.60990311, 60721063,60906025,60936004,60731160628,and 60820106003);the Nature Science Foundation of Jiangsu Province,China (Grant Nos.BK2008019,BK2010385,BK2009255,and BK2010178);the Research Funds from NJU-Yangzhou Institute of Opto-electronics,China; Wide spectral white light emitting diodes have been designed and grown on a sapphire substrate by using a metal-organic chemical vapor deposition system. Three quantum wells with blue-light-emitting, green-light-emitt...; 关键词：metal-organic chemical vapor deposition GaN/InGaN multi-quantum wells group Ⅲ-Ⅴsemiconductor wide spectral white light

LPCVD法在GaN上生长Ge薄膜及其特性(英文)被引量：3: 《材料科学与工程学报》2011年第5期655-658,678,共5页谢自力韩平张荣曹亮刘斌修向前华雪梅赵红郑有炓; supported by special funds for major state basic research project(2011CB301900);hi-tech research project (2009AA03A198);national nature science foundation of China(60990311,60721063,60906025,60936004);The nature science foundation of Jiangsu province(BK2008019,BK2009255,BK2010178);the researchfunds from NJU-Yangzhou Institute of Opto-electronics; 本文报道了在GaN/蓝宝石作衬底生长Ge薄膜材料的外延生长及其特性研究。研究了不同外延生长条件。结果表明,使用低压化学气相外延技术在GaN/蓝宝石衬底复合衬底上可以生长Ge薄膜。高分辨X射线衍射谱研究得到了峰位分别位于2θ=27.3°、2...; 关键词：Ge GAN 衬底低压化学气相沉积

Surface morphology and composition studies in InGaN/GaN film grown by MOCVD被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2011年第8期14-17,共4页陶涛张曌刘炼苏辉谢自力张荣刘斌修向前李毅韩平施毅郑有炓; Project supported by the Special Funds for Major State Basic Research Project,China(No.2011CB301900);the Hi-Tech Research Project (No.2009AA03A198);the National Natural Science Foundation of China(Nos.60990311,60721063,60906025,60936004);the Natural Science Foundation of Jiangsu Province,China(Nos.BK2008019,BK2009255,BK2010178);the Research Funds from NJU-Yangzhou Institute of Opto-Electronics,China; InGaN films were deposited on（0001） sapphire substrates with GaN buffer layers under different growth temperatures by metalorganic chemical vapor deposition.The In-composition of InGaN film was approximately control...; 关键词：InGaN film MOCVD surface morphology V-defects

Si(111)衬底上HVPE GaN厚膜生长被引量：1: 《功能材料》2011年第3期509-511,515,共4页颜怀跃修向前华雪梅刘战辉周安张荣谢自力韩平施毅郑有炓; 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB6049);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2009AA03A198);国家自然科学基金资助项目(60721063,60820106003,60731160628);南京大学扬州光电研究院基金资助项目(2008008); 在Si(111)衬底上,以MOCVD方法高温外延生长的AlN为缓冲层,使用氢化物气相外延(HVPE)方法外延生长了15μm的c面GaN厚膜。并利用X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)、拉曼光谱(Raman)等技术研究了GaN厚膜的结构和光学性质。分析结果表明,GaN...; 关键词：氢化物气相外延 HVPE SI GAN

双栅调控的硅量子线中的库仑振荡效应: 《物理学报》2011年第2期626-630,共5页张贤高方忠慧陈坤基钱昕晔刘广元徐骏黄信凡何飞; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB932202);国家自然科学基金(批准号:60571008,60721063)资助的课题~~; 基于单电子隧穿和库仑阻塞效应,研究了硅量子线中的单电子输运特性.利用绝缘体上硅薄膜材料作为衬底构建侧栅结构的硅量子线单电子晶体管,通过背栅和侧栅对量子线的电子输运特性进行调制.实验发现,在硅量子线中分别观察到背栅和侧栅调...; 关键词：库仑振荡单电子效应硅量子线

基于铌超导隧道结的亚毫米波直接检测器被引量：2: 《低温物理学报》2010年第3期193-198,共6页梁敏姜弈陈健吴培亨; 国家自然科学基金(批准号:10778602和60721063);科技部973项目(批准号:2006CB601006);江苏省基金(批准号:BK2007713)资助的课题~~; 基于铌(Nb)超导隧道结(STJ)的亚毫米波直接检测器可以达到宽频带响应,高灵敏度,适于组建大规模阵列的要求,满足亚毫米波段射电天文观测等应用领域的需求.本文设计了在650 GHz波段的约10%有效带宽的Nb STJ直接检测器,宽带耦合采用了分布...; 关键词：超导隧道结亚毫米波结阵列直接检测器

立式氢化物气相外延反应器生长GaN模拟研究被引量：4: 《中国科学（G辑）》2010年第1期82-85,共4页赵传阵修向前张荣谢自力刘斌刘占辉颜怀跃郑有炓; 国家重点基础研究发展计划(编号:2006CB6049);国家高技术研究发展计划(编号:2006AA03A103;2006AA03A118;2006AA03A142);国家自然科学基金(批准号:60721063;60676057;60731160628);高等学校博士学科点专项科研基金(编号:20050284004);江苏省创新学者攀登项目(编号:BK2008019)资助; 利用有限元法对立式氢化物气相外延系统工艺参数进行了优化,发现在新设计的立式氢化物气相外延反应器中,存在衬底与气体入口的最佳距离,在最佳距离位置上,沉积的均匀性最好.在设定的条件下模拟的结果表明这个距离为5cm.在此基础上,模拟...; 关键词：GAN 氢化物气相外延流体动力学

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