云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家高技术研究发展计划(2004AA311030)

国家高技术研究发展计划(2004AA311030): 作品数：16被引量：37H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：沈光地张蕾郭霞郭伟玲崔碧峰更多>>; 相关机构：北京工业大学北京理工大学更多>>; 相关期刊：《功能材料》《Chinese Optics Letters》《Science Bulletin》《中国激光》更多>>; 相关主题：半导体激光器隧道再生GAN稳态氮化镓更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

隧道再生半导体激光器内部温度场的三维分布被引量：1: 《功能材料与器件学报》2008年第4期815-820,共6页张蕾崔碧峰段天利马楠郭伟玲王智群沈光地; 国家重点基础研究发展计划资助(批准号:2006CB604902);国家"863"计划(批准号:2004AA311030);十五国家科技攻关项目(批准号:2003BA316A01-01-08);国家自然科学基金(批准号:60506012);北京市科委重点项目(批准号:D0404003040221);北京市教委项目(批准号:kz200510005003);北京市人才强教计划项目(05002015200504); 针对隧道再生半导体激光器,建立了内部热源分布模型,利用有限元方法模拟计算了两有源区隧道再生半导体激光器瞬态和稳态三维温度分布。瞬态模拟结果表明,加电后几个s的时间内两个有源区的温升很小,在几个s到几十个ms的时间内温度上升很...; 关键词：半导体激光器三维温度分布瞬态稳态隧道再生

隧道再生半导体激光器的三维稳态热特性研究被引量：1: 《半导体光电》2008年第2期177-180,共4页张蕾崔碧峰郭伟玲王智群沈光地; 国家“973”计划项目(2006CB604902);国家“863”计划项目(2004AA311030);十五科技攻关项目(2003BA316A01-01-08);国家自然科学基金(60506012);北京市科委重点项目(D0404003040221);北京市教委项目(kz200510005003);北京市人才强教计划项目(05002015200504); 针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型,利用有限元方法模拟计算得到了两有源区隧道再生半导体激光器稳态三维温度分布。模拟结果表明,靠近衬底的有源区的光出射腔面中心的温度最高。在平行于结的方向上,温升集中在脊形电...; 关键词：半导体激光器三维温度分布稳态隧道再生

隧道再生半导体激光器热弛豫积累过程研究被引量：2: 《固体电子学研究与进展》2008年第1期91-94,共4页张蕾崔碧峰沈光地郭伟玲刘斌王智群; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604902);国家“863”计划(批准号:2004AA311030);十五国家科技攻关项目(批准号:2003BA316A01-01-08);国家自然科学基金(批准号:60506012);北京市科委重点项目(批准号:D0404003040221);北京市教委项目(批准号:kz200510005003);北京市人才强教计划项目(05002015200504); 针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型。利用有限元方法模拟计算得到了两有源区隧道再生半导体激光器在不同占空比下工作时的热弛豫积累过程。模拟结果表明,芯片达到平衡前的热弛豫积累时间和达到热平衡时的温度均随注入...; 关键词：半导体激光器热弛豫积累隧道再生两有源区占空比

双有源区隧道再生半导体激光器温度场分布研究被引量：7: 《半导体光电》2007年第6期761-765,共5页张蕾崔碧峰黄宏娟郭伟玲王智群沈光地; 国家"973"计划资助项目(2006CB604902);国家"863"计划项目(2004AA311030);国家自然科学基金项目(60506012);北京市科委重点项目(D0404003040221);北京市教委项目(kz200510005003);北京市人才强教计划项目(05002015200504); 针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型,分析了三种封装方式对芯片内部温度分布的影响;模拟结果表明加电后几微秒的时间内,芯片内温度场分布主要由隧道再生结构的热特性决定,与封装形式关系不大;在几微秒到几十或一百毫秒...; 关键词：半导体激光器二维温度分布瞬态稳态隧道再生封装

焊料空隙对条形量子阱激光器温度分布的影响被引量：5: 《中国激光》2007年第9期1203-1207,共5页张蕾崔碧峰黄宏娟郭伟玲王智群沈光地; 国家973计划(2006CB604902);国家863计划(2004AA311030);十五国家科技攻关项目(2003BA316A01-01-08);国家自然科学基金(60506012);北京市科委重点项目(D0404003040221);北京市教委项目(kz200510005003);北京市人才强教计划项目(05002015200504)资助课题; 针对量子阱半导体激光器建立了内部的热源分布模型,利用有限元方法模拟计算得到了条形量子阱半导体激光器的三维稳态温度分布,分析了芯片与热沉间的焊料空隙对芯片内部稳态温度分布的影响.模拟结果表明焊料空隙的位置和尺寸都将影响到...; 关键词：激光技术半导体激光器三维温度分布焊料空隙

两基色白光LED的配色研究被引量：2: 《固体电子学研究与进展》2007年第4期567-571,共5页张蕾郭霞沈光地刘诗文梁庭王惠; 国家"863"计划(批准号:2004AA311030);十五国家科技攻关项目(批准号:2003BA316A01-01-08);国家自然科学基金(批准号:60506012);北京市科委重点项目(批准号:D0404003040221);北京市教委项目(批准号:kz200510005003); 从色度学原理出发,简述了两基色白光LED的配色原理,确定了可合成白光的两基色的选取范围和两基色的配比范围,计算分析了两基色白光LED的光视效能和一般显色指数。两基色白光LED具有较高的光视效能,但其显色性却较差,主波长为450 nm左右...; 关键词：白光发光二极管两基色配色光视效能显色指数

p型氮化镓不同掺杂方法研究被引量：4: 《功能材料》2007年第7期1123-1124,1131,共3页邢艳辉韩军邓军刘建平牛南辉李彤沈光地; 北京市自然科学基金资助项目(D0404003040221);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2004AA311030); 采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,对p型GaN∶Mg的均匀掺杂,delta掺杂和生长停顿掺杂3种不同掺杂方法的外延片研究,通过对电学的、光学的、表面形貌分析表明,生长停顿方法的外延片有较好的晶体质量,但因生长停顿过程中引入额外杂...; 关键词：p-氮化镓 Δ掺杂原子力显微镜金属有机物化学气相淀积

Roughening surface morphology on free-standing GaN membrane with laser lift-off technique被引量：1: 《Chinese Science Bulletin》2007年第7期1001-1005,共5页WANG Ting GUO Xia FANG Yuan SHEN GuangDi; Supported by the National High Technology Research and Development Program of China (Grant No. 2004AA311030);State Key Program of Basic Research of China (973) (Grant No. 20000683-02);Beijing Municipal Education Commission (Grant No. 2002kj018, Grant No. kz200510005003);Beijing Municipal Science and Technology Commission (Grant No. D0404003040221); An ultraviolet (UV) laser lift-off (LLO) technique was presented to form a roughened surface morphol-ogy on GaN membrane grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). The etched sur-face showed cone-like st...; 关键词：氮化钾薄膜 GAN 激光剥离技术粗糙表面表面形态湿法化学蚀刻

p型氮化镓退火及发光二极管研究被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2007年第2期186-189,共4页邢艳辉韩军刘建平牛南辉邓军沈光地; 北京市自然科学基金(批准号:D0404003040221);国家863高技术研究发展计划(批准号:2004AA311030); 对金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长的p型氮化镓(p-GaN)在氮气气氛下的热退火进行研究。用Hall测试系统测量不同温度、不同时间退火后样品的电学性能;对一组蓝光LEDs分别进行不同退火温度、退火时间实验,对退火前...; 关键词：氮化物 p-氮化镓电学特性发光二极管

激光剥离技术制备GaN/metal/Si的结构和光学特性研究被引量：1: 《功能材料》2007年第1期88-90,共3页王婷郭霞方圆刘斌沈光地; 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2004AA311030);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(20000683-02);北京市教委资助项目(2002KJ018;KZ200510005003);北京市科委重点资助项目(D0404003040221); 采用激光剥离技术结合金属熔融键合技术将生长在蓝宝石衬底上的GaN外延层转移到Si衬底上。GaN和Si表面分别用电子束蒸发Al/Ti/Au和Ti/Au/In后,在氮气环境下200℃加压实现GaN和Si的键合。采用脉冲宽度30ns、波长248nm的准分子脉冲激光透...; 关键词：激光剥离 GAN 扫描电镜原子力显微镜光致发光谱

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