云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家高技术研究发展计划(2006AA03A121)

国家高技术研究发展计划(2006AA03A121): 作品数：31被引量：81H指数：6; 导出分析报告; 相关作者：沈光地郭霞顾晓玲邓军关宝璐更多>>; 相关机构：北京工业大学昆明物理研究所吉林大学中国科学院更多>>; 相关期刊：《中国激光》《物理学报》《微细加工技术》《功能材料》更多>>; 相关主题：ALGAINP发光二极管红外探测器多量子阱极化更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程化学工程更多>>

带介质分布式Bragg反射镜结构高性能共振腔发光二极管的研究被引量：1: 《物理学报》2012年第1期504-511,共8页汤益丹沈光地郭霞关宝璐蒋文静韩金茹; 国家高技术研究发展计划(863计划)(批准号:2006AA03A121);国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2006CB604902)资助的课题~~; 采用等离子体增强化学气相沉积高低频交替生长法生长了SiO_2/Si_3N_4透明介质分布式:Bragg反射镜(DDBR),提出了对DDBR采用干、湿法并用的腐蚀方法.采用传输矩阵法理论分析了DDBR,得出了为满足出光增益要求的反射率和DDBR结构.使用光致发...; 关键词：发光二极管共振腔介质分布式布拉格反射镜辐射增强

AlGaInP系LED的表面纳米级粗化以及光提取效率提高被引量：6: 《光电子．激光》2011年第10期1451-1454,共4页陈依新沈光地孟丽丽马莉李春伟; 国家'863'计划资助项目(2006AA03A121);国家'973'计划资助项目(2006CB604902); 分析了常规AlGaInP系发光二极管(LED)光提取效率低的主要原因,半导体的折射率与空气折射率相差很大,导致全反射使有源区产生的光子绝大部分不能通过出光面发射到体外。通过在LED出光层采用纳米压印技术引入表面纳米结构,以改变光子的传...; 关键词：AlGaInP系发光二极管(LED) 纳米压印光提取效率

AlGaInP-Si glue bonded high performance light emitting diodes被引量：1: 《Chinese Physics B》2011年第8期354-357,共4页陈依新沈光地郭伟玲高志远; Project supported by the National High Technology Research and Development Program of China (Grant No. 2006AA03A121);the National Basic Research Program of China (Grant No. 2006CB604900); We propose a new method of using conductive glue to agglutinate GaAs based A1CaInP light emitting diodes （LEDs） onto silicon substrate, and the absorbing GaAs layer is subsequently removed by grinding and selective ...; 关键词：glue agglutinated AlGaInP LEDs Si substrate luminous intensity

AlGaInP大功率发光二极管发光效率与结温的关系被引量：7: 《物理学报》2011年第8期619-624,共6页陈依新沈光地高志远郭伟玲张光沉韩军朱彦旭; 国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A121);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604902)资助的课题~~; 目前,AlGaInP大功率发光二极管(LED)存在的主要问题是大电流工作时发热严重,主要是由于电流扩展不均匀、出光面电极对光子的阻挡和吸收以及器件材料与空气折射率之间的差距引起的全反射现象,这些因素造成大功率LED出光受到限制、发光效...; 关键词：复合电流扩展层复合分布式布拉格反射层出光效率结温

Internal quantum efficiency drop induced by the heat generation inside of light emitting diodes (LEDs)被引量：3: 《Chinese Physics B》2011年第1期562-565,共4页陈依新沈光地郭伟玲徐晨李建军; Project supported by the National High Technology Research and Development Program of China(Grant No.2006AA03A121);the National Basic Research Program of China(Grant No.2006CB604900); The reasons for low output power of AlGalnP Light Emitting Diodes （LEDs） have been analysed. LEDs with AlGaInP material have high internal but low external quantum efficiency and much heat generated inside especiall...; 关键词：AlGaInP light emitting diodes internal quantum efficiency HEAT light power

高光束质量大功率半导体激光阵列的热特性被引量：12: 《中国激光》2010年第10期2497-2501,共5页王智群尧舜崔碧峰王智勇沈光地; 国家863计划(2006AA03A121)资助课题; 针对目前大功率半导体激光短阵列器件和多个半导体激光单元器件集成结构应用于全光纤结构光纤激光器的发展趋势及其相关热控制理论的缺乏,利用有限元软件ANSYS对基于标准传导热沉散热结构的高光束质量半导体激光阵列(LDA)进行热特性仿...; 关键词：激光器半导体激光阵列热阻高光束质量

新型表面再构的倒装AlGaInP LED被引量：2: 《光电子．激光》2010年第8期1129-1132,共4页郭婧邹德恕高伟秦园刘自可沈光地; 国家高新技术研究发展计划资助项目(2006AA03A121); 研究一种表面再构的具有全方位反光镜(ODR)结构的倒装AlGaInP半导体发光二极管(LED)。通过湿法腐蚀方法再构N-AlGaInP盖层表面,形成类金字塔的表面结构,使不同角度入射的光有更多的机会出射。比较了表面再构LED与常规LED的电、光学特性...; 关键词：ALGAINP 表面再构提取效率倒装

表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究被引量：4: 《物理学报》2010年第11期8083-8087,共5页陈依新郑婉华陈微陈良惠汤益丹沈光地; 国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A121;2008AA03Z402);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604902;2006CB921705);北京市自然科学基金(批准号:4092007)资助的课题~~; 近年来,GaN基光子晶体发光二极管(light emitting diode,LED)的研究已经取得了一定的进展,利用光子晶体的光子带隙效应和光栅衍射原理,在LED上制作光子晶体结构将会提高出光效率.本文为了提高AlGaInP系LED的光提取效率,分析了常规LED光...; 关键词：AlGaInP系LED 光子晶体光提取效率光强

不同表面结构的半导体发光二极管的效率与寿命的研究被引量：1: 《物理学报》2010年第1期545-549,共5页陈依新沈光地韩金茹李建军郭伟玲; 国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A121);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604902)资助的课题~~; 对GaAs基AlGaInP系半导体发光二极管(light emitting diode,LED)提取效率低导致器件发热而寿命缩短等问题进行了分析,提出了一种新型表面结构的LED,在与普通LED相同的外延生长条件下,通过后工艺引入了表面图形并腐蚀出凹凸不平的表面以...; 关键词：表面增透结构轴向光强光效寿命

AlGaInP LEDs with surface anti-reflecting structure: 《Journal of Semiconductors》2009年第8期95-97,共3页陈依新沈光地李建军韩金茹徐晨; supported by the National High Technology Research and Development Program of China (No.2006AA03A121);the State Key Development Program for Basic Research of China (No.2006CB604900);the Fund of Beijing University of Technology (No.ykj-2007-1073); A kind of AlGaInP light emitting diode （LED） with surface anti-reflecting structure has been introduced to solve the problems of low light efficiency and restricted luminous intensity. The new structure can be demon...; 关键词：quantum efficiency AlGaInP LEDs anti-reflecting structure

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