专用集成电路与系统国家重点实验室

作品数：179被引量：364H指数：9
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发文作者：武一宾孙素静李效白邢东田国平更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
发文主题：高电子迁移率晶体管HEMTGANMMIC单片微波集成电路更多>>
发文期刊：《移动信息》《微波学报》《半导体技术》《湖南大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国防科技重点实验室基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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金刚石单晶中的位错及其对器件影响的研究进展
《材料导报》2024年第20期33-46,共14页韩赛斌 胡秀飞 王英楠 王子昂 张晓宇 彭燕 葛磊 徐明升 徐现刚 冯志红 
山东省重点研发计划(2022CXGC010103,2022ZLGX02);国家自然科学基金(62004118);脉冲功率激光技术国家重点实验室开放基金项目(SKL2021KF08);晶体材料国家重点实验室自主课题;国防科技重点实验室基金项目。
金刚石是超宽禁带半导体材料的代表之一,具有禁带宽度大、热导率高、载流子迁移率高、电子饱和漂移速度快、抗辐射性能好等优异性质,在功率器件、量子信息、辐射探测等高科技领域的应用越来越广泛。然而,与其他成熟的半导体材料如Si的...
关键词：金刚石 位错 位错检测技术 位错密度降低方法 缺陷 
Ka波段40W功率放大器MMIC的设计和实现
《半导体技术》2023年第5期403-407,共5页王彪 王生国 刘帅 李静强 付兴中 许春良 
采用0.15μm栅长GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款Ka波段大功率、高效率功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。电路采用三级放大结构,在输入、输出端采用Lange耦合器进行功率分配和合成,输入匹配网络加入RC稳定结构以提升电路...
关键词：功率放大器(PA) KA波段 GAN 单片微波集成电路(MMIC) 大功率 高效率 
低成本Si基GaN微电子学的新进展(续)
《半导体技术》2023年第3期177-189,共13页李永 赵正平 
进入21世纪后,宽禁带半导体GaN微电子学发展迅速,SiC基GaN微电子学已成为微波电子学的发展主流,且正在向更高频率和更高功率密度的新一代GaN微波功率器件发展。为了降低成本,Si基GaN微电子学应运而生,在5G通信、电动汽车等绿色能源应用...
关键词：Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 单片微波集成电路(MMIC) E模功率GaN HEMT 可靠性 GaN功率变换器 高频开关应用 
单晶金刚石声子非简谐衰减效应研究
《人工晶体学报》2023年第3期442-451,共10页李斌 胡秀飞 杨旖秋 王英楠 谢雪健 彭燕 杨祥龙 王希玮 胡小波 徐现刚 冯志红 
山东省重大科技创新项目(2022CXGC010103);国家自然科学基金(62004118);晶体材料国家重点实验室自主课题;国防科技重点实验室基金项目。
随着金刚石作为散热材料在大功率半导体器件、激光器、微波器件和大规模集成电路等领域中的应用愈加广泛,通过对金刚石局部进行精确测温以评价其散热性能是一个重要的研究课题。本文使用拉曼光谱仪对不同掺杂类型的高温高压(HTHP)样品...
关键词：单晶金刚石 拉曼光谱 掺杂 温度相关性 声子衰减 声子寿命 
低成本Si基GaN微电子学的新进展被引量：1
《半导体技术》2023年第2期81-101,共21页李永 赵正平 
进入21世纪后,宽禁带半导体GaN微电子学发展迅速,SiC基GaN微电子学已成为微波电子学的发展主流,且正在向更高频率和更高功率密度的新一代GaN微波功率器件发展。为了降低成本,Si基GaN微电子学应运而生,在5G通信、电动汽车等绿色能源应用...
关键词：Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 单片微波集成电路(MMIC) E模功率GaN HEMT 可靠性 GaN功率变换器 高频开关应用 
2~18GHz超宽带GaN分布式功率放大器MMIC被引量：2
《半导体技术》2023年第2期146-150,共5页韩雷 边照科 王生国 刘帅 
介绍了一款基于0.25μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的2~18 GHz超宽带功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用两级非均匀分布式拓扑结构,通过调整各级管芯输出阻抗和微带线阻抗实现超宽带的功率匹配。在管芯前端增加电阻、电容并...
关键词：超宽带 非均匀分布式功率放大器 GAN 高效率 单片微波集成电路(MMIC) 
一种基于ASM-HEMT模型改进陷阱效应的GaN HEMT器件非线性模型
《半导体技术》2022年第12期972-978,1026,共8页李静强 赵哲言 王生国 付兴中 魏碧华 
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受制于陷阱效应,建立准确的非线性模型非常困难。介绍了表面势物理基高电子迁移率高级电路模型(ASM-HEMT),分析了标准ASM-HEMT模型在表征陷阱效应方面的不足,进而建立了新的陷阱模型电路拓扑及模型方程...
关键词：GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 高电子迁移率高级电路模型(ASM-HEMT) 非线性模型 陷阱效应 电流崩塌效应 
Ku波段GaN大功率高效率功率放大器MMIC被引量：2
《半导体技术》2022年第12期1009-1013,共5页王生国 高茂原 边照科 王彪 韩雷 刘帅 
采用0.25μm栅长GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款Ku波段高输出功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。在器件结构上,通过优化场板尺寸参数提高器件的击穿电压,提升了其静态工作电压。在电路设计上,优化匹配结构以实现输出功率...
关键词：功率放大器(PA) 高电子迁移率晶体管(HEMT) KU波段 输出功率 场板 单片微波集成电路(MMIC) 
220GHz GaAs单片集成分谐波混频器被引量：3
《半导体技术》2022年第11期886-890,共5页杨大宝 赵向阳 刘波 邢东 冯志红 
基于在30μm厚的GaAs衬底上开发的平面肖特基二极管,设计了220 GHz GaAs单片集成分谐波混频器。考虑了二极管外形结构对电磁波传输的影响,采用场路结合联合仿真的经典方法建立二极管模型来仿真其电性能,并利用这一模型在非线性电路仿真...
关键词：单片集成电路 分谐波混频器 肖特基二极管 建模 变频损耗 
金刚石在GaN功率放大器热设计中的应用被引量：3
《半导体技术》2022年第10期834-838,共5页崔朝探 陈政 郭建超 赵晓雨 何泽召 杜鹏搏 冯志红 
随着GaN功率放大器向小型化、大功率发展,其热耗不断增加,散热问题已成为制约功率器件性能提升的重要因素。金刚石热导率高达2 000 W/(m·K),是一种极具竞争力的新型散热材料,可用作大功率器件的封装载片。采用不同载片材料对一款热耗为...
关键词：GaN功率放大器 金刚石材料 有限元仿真 芯片结温 散热能力 
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