等离子体刻蚀

作品数：172被引量：335H指数：8
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等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN/GaN HEMT栅电流的机理被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第11期1777-1781,共5页李诚瞻 庞磊 刘新宇 黄俊 刘键 郑英奎 和致经 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903);中国科学院重点创新(批准号:KGCX2-SW-107)资助项目~~
对等离子体干法刻蚀形成的凹栅槽结构Al GaN/GaN HEMTs肖特基电流增加的机理进行了研究.实验表明,凹栅槽结构Al GaN/GaN HEMTs肖特基栅电流增加一个数量级以上,击穿电压有一定程度的下降.利用AFM和XPS的方法分析Al GaN表面,等离子体干...
关键词：等离子体刻蚀 凹栅槽 栅电流 N空位 
常压射频冷等离子体刻蚀硅的研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》2007年第10期1615-1619,共5页赵玲利 段小晋 尹明会 徐向宇 王守国 
介绍一种新型的常压射频低温冷等离子放电设备,并用该设备进行硅刻蚀的工艺实验.研究了刻蚀硅的速率随等离子体放电功率、气体流量以及衬底温度的变化规律,并得到了最大刻蚀速率为390nm/min.利用台阶仪、显微镜和扫描电镜(SEM)对刻蚀效...
关键词：常压 射频 等离子体刻蚀 硅 
p-GaN ICP刻蚀损伤研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第7期1097-1103,共7页龚欣 吕玲 郝跃 李培咸 周小伟 陈海峰 
国家重大基础研究发展规划资助项目(批准号:51327020301)~~
运用Cl2/N2等离子体系统,系统研究了ICP刻蚀中ICP功率、RF功率、反应室压力和Cl2百分比对p型GaN材料的物理表面形貌和欧姆接触特性的影响.原子力显微镜显示,在文中所用的刻蚀条件范围内,刻蚀并没有引起表面形貌较大的变化,刻蚀表面的均...
关键词：GAN 感应耦合等离子体刻蚀 等离子体损伤 
适用于阵列波导光栅制作的厚SiO_2陡直刻蚀技术被引量：3
《Journal of Semiconductors》2003年第11期1222-1225,共4页魏珂 刘训春 曹振亚 王润梅 罗明雄 牛立华 
采用 ICP- 98型高密度等离子体刻蚀机进行了厚 Si O2 陡直刻蚀技术的研究 ,利用双层掩膜技术解决了“微掩膜现象”问题 ,刻蚀获得 12 .4 μm的陡直 Si O2 光波导剖面 ,并将这一刻蚀技术用于阵列波导光栅的制作中 .
关键词：阵列波导光栅(AWG) SiO2 感应耦合等离子体刻蚀(ICP) 
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