势垒

作品数：1290被引量：1701H指数：12
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高k场板终端准垂直GaN功率肖特基势垒二极管
《半导体技术》2025年第2期141-146,共6页胡宪富 
蒙东新能源事业部唐兴风电场集电线路智慧运维在线监测装置项目(P-XJ-23-00038702)。
随着功率电子器件对高效能、高耐压和低损耗需求的不断提升,GaN肖特基势垒二极管(SBD)凭借其卓越的材料和器件特性成为研究热点。然而,GaN SBD在高电压下仍面临边缘电场集聚的挑战。为解决这一问题,提出采用高介电常数(k)材料钛酸钡(BTO...
关键词：GAN 肖特基势垒二极管(SBD) 钛酸钡(BTO) 击穿电压 电场仿真 
阳极刻蚀提升Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管击穿特性被引量：1
《半导体技术》2023年第5期375-379,共5页郭艳敏 杨玉章 冯志红 王元刚 刘宏宇 韩静文 
青年人才托举工程资助项目(2020-JCJQ-QT-080)。
提出了一种采用阳极刻蚀提升Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)击穿特性的新方法。基于氢化物气相外延(HVPE)法生长的Ga_(2)O_(3)材料制备了Ga_(2)O_(3)纵向SBD。在完成阳极制备后,对阳极以外的Ga_(2)O_(3)漂移区进行了不同深度的刻蚀,...
关键词：氧化镓(Ga_(2)O_(3)) 肖特基势垒二极管(SBD) 刻蚀 击穿电压 功率品质因子(FOM) 
氧化镓基肖特基势垒二极管的研究进展被引量：2
《半导体技术》2022年第12期946-955,共10页王歌 杨帆 王方圆 杜浩毓 王晓龙 檀柏梅 
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金资助项目(F2018202174)。
Ga_(2)O_(3)是一种新型宽禁带半导体材料,禁带宽度约为4.8 eV,临界击穿电场理论上可高达8 MV/cm,Baliga优值超过3000,因此在制作功率器件方面有很大的潜力。Ga_(2)O_(3)是继SiC和GaN之后制作高性能半导体器件的优选材料,近年来受到了广...
关键词：氧化镓(Ga_(2)O_(3)) 肖特基势垒二极管(SBD) 外延 边缘终端 场板 
200~220GHz平衡式高效率二倍频器被引量：1
《半导体技术》2022年第10期804-808,共5页马春雷 宋旭波 梁士雄 顾国栋 周幸叶 冯志红 
基于GaAs肖特基势垒二极管(SBD)芯片,研制了工作频率为200~220 GHz的二倍频器。采用抑制奇次谐波的平衡式电路拓扑结构以提高转换效率;采用击穿电压为-9 V的GaAs SBD并结合多阳极结结构芯片以提高输出功率;采用低阻微带线以减小波导短...
关键词：太赫兹 二倍频器 肖特基势垒二极管(SBD) GAAS 转换效率 
GaN基肖特基势垒二极管的结构优化研究进展被引量：2
《半导体技术》2022年第7期505-512,共8页程海娟 郭伟玲 马琦璟 郭浩 秦亚龙 
氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料的代表之一,具有电子饱和速率高、临界击穿电场大、热导率高等优点。GaN基肖特基势垒二极管(SBD)具有工作频率高、导通电阻小、耐高温高压等特点,在电动汽车、数据中心及5G通信技术等领域有广泛...
关键词：氮化镓(GaN) 肖特基势垒二极管(SBD) 结构优化 垂直器件 准垂直器件 
AlGaN/GaN横向肖特基势垒二极管抗浪涌电流特性与封装方案被引量：2
《半导体技术》2022年第5期354-359,396,共7页冯威 徐尉宗 周峰 曾昶琨 任芳芳 陆海 
国家自然科学基金资助项目(61921005,62004099);江苏省自然科学基金资助项目(BK20201253)。
基于AlGaN/GaN异质结构的横向肖特基势垒二极管(SBD)在新一代功率电子技术中具有应用潜力。而面对复杂电气环境中的电流过冲及振荡效应,抗浪涌电流能力是器件可靠工作的重要保障。首先通过对混合阳极结构的优化,降低了AlGaN/GaN基SBD的...
关键词：AlGaN/GaN异质结构 肖特基势垒二极管(SBD) 浪涌电流 热效应 倒装封装 
CMOS兼容的Si基GaN准垂直结构肖特基势垒二极管
《半导体技术》2022年第3期179-183,共5页陈延博 杨兵 康玄武 郑英奎 张静 吴昊 刘新宇 
国家自然科学基金资助项目(61804172,61874002);广东省重点领域研发计划资助项目(2019B010128001)。
在Si基GaN上制备了与CMOS工艺兼容的高性能准垂直结构肖特基势垒二极管(SBD)。探索了在GaN体材料上基于Ti/Al/Ti/TiN结构的无金欧姆接触工艺,在650℃的N_(2)氛围退火60 s实现了较好的欧姆接触性能。通过采用电感耦合等离子体(ICP)干法...
关键词：Si基GaN 肖特基势垒二极管(SBD) 准垂直结构 无金工艺 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 TIN CMOS兼容工艺 
具有高电流密度的小电流沟槽肖特基势垒二极管被引量：2
《半导体技术》2022年第3期199-204,共6页庄翔 张超 
研制了一种DFN1006-2L封装的小电流沟槽肖特基势垒二极管,其具有高电流密度、超低正向压降和低漏电特性。与常规平行条状结构排布的沟槽肖特基势垒二极管不同,该器件采用圆形网状结构排布设计,增加了器件中肖特基区域面积,提高了电流密...
关键词：沟槽肖特基势垒二极管 正向压降 反向电流 电流密度 方形扁平无引脚(DFN)封装 
基于表面等离激元热载流子效应的光解水研究进展被引量：1
《半导体技术》2021年第8期581-590,616,共11页严贤雍 翟爱平 石林林 王文艳 冯琳 李国辉 郝玉英 崔艳霞 
国家自然科学基金资助项目(61775156,61922060);山西省重点研发计划(国际科技合作)项目(201803D421044);霍英东教育基金会高等院校青年教师基金资助项目(20171402210001)。
近年来,二氧化钛、氧化锌等半导体材料被广泛应用于光解水研究中。金属纳米结构激发的表面等离激元(SPP)热载流子效应能够有效地俘获入射光,进一步增强光能与化学能之间的转换效率,是提高半导体光解水性能的一种可行方法。合理地将金属...
关键词：表面等离激元(SPP) 纳米结构 肖特基势垒 热载流子 光解水 
Ar离子注入边缘终端准垂直GaN肖特基势垒二极管被引量：1
《半导体技术》2021年第8期623-629,644,共8页赵媛媛 郑英奎 康玄武 孙跃 吴昊 魏珂 刘新宇 
国家自然科学基金资助项目(61804172);广东省重点领域研发计划资助项目(2019B010128001)。
为了研究离子注入边缘终端对准垂直GaN肖特基势垒二极管性能的影响,对器件进行了二维模拟仿真,分析了终端区域尺寸对肖特基结边缘处峰值电场及正向特性的影响,得到了宽度5μm、厚度200 nm的最优终端区域尺寸。基于工艺仿真软件设计了Ar...
关键词：GAN 准垂直结构 肖特基势垒二极管 Ar离子注入 边缘终端 
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