云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 铜薄膜

铜薄膜: 作品数：115被引量：270H指数：8; 导出分析报告; 相关领域：一般工业技术理学更多>>; 相关作者：尚德广刘小冬郑直郭毓博张立红更多>>; 相关机构：北京工业大学浙江大学中国科学院清华大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>

磁控溅射工艺参数和材料对铜薄膜性能影响的研究进展: 《微纳电子技术》2025年第1期28-40,共13页刘冰张京辉陈平江峰董晨博; 简要阐述了磁控溅射技术的原理及其应用于铜(Cu)薄膜沉积领域的优势。重点综述了溅射时间、溅射功率、基底偏压、溅射气压和基底温度等关键工艺参数对磁控溅射沉积Cu薄膜组织结构、表面形貌、均匀性、粒径、表面粗糙度、电阻率、溅射速...; 关键词：磁控溅射 Cu薄膜工艺参数影响规律作用机理

钒酸铜薄膜光阳极制备与光电化学制氢性能研究: 《郑州航空工业管理学院学报》2024年第5期82-89,共8页江顺祥张涛武惠庆李新; 郑州航空工业管理学院研究生教育创新计划基金(2022CX62)。; 通过水热法在FTO导电基底上制备了钒酸铜薄膜光阳极材料,利用SEM、XRD及XPS等表征手段分析了其微观形貌、晶体结构和物质组成,研究了水热前驱液中铜源与钒源添加量之比对钒酸铜薄膜光阳极光电化学分解水制氢性能的影响。结果表明:铜源...; 关键词：钒酸铜光电化学制氢水热法纳米棒

磁控溅射工艺对纳米铜薄膜的影响: 《机械工程师》2024年第8期45-48,53,共5页宗世强张健徐全国; 国家科技型中小企业技术创新基金(2022210101000301)。; 在磁控溅射设备上,通过改变工艺参数在硅片上镀20 nm左右的纳米铜膜,研究了斜溅射靶的不同角度变化和直溅射靶的溅射温度对纳米铜薄膜的性能影响。使用SEM、EDS、台阶仪、四探针设备对铜薄膜的表面形貌、均匀性、元素种类与含量以及导...; 关键词：磁控溅射铜膜影响参数导电性均匀性

具有高度(220)取向垂直纳米孪晶异质结构铜薄膜的强化机制研究: 《Acta Mechanica Sinica》2024年第1期44-53,共10页韦小丁张鹏马瑜薇刘俊杰於中良丛超男; supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.12172005,11988102,and 11890681);the National Key R&D Program of China(Grant Nos.2022YFB3806100 and 2020YFE0204200).; 在本工作中,我们通过直流电沉积方法制备了含有不同体积比的(220)取向垂直纳米孪晶异质结构的铜薄膜,并表征了其力学性能.单轴拉伸测试表明,当垂直纳米孪晶的体积比增加时,机械性能显著提高:具有88%垂直孪晶的薄膜的极限拉伸强度为455 M...; 关键词：纳米孪晶高分辨电子显微镜极限拉伸强度异质结构铜薄膜等轴晶粒滑移系统强化机制

基于分子动力学的薄膜铜预应力模型的建立与正确性验证: 《模具制造》2024年第1期79-81,共3页沈伟涛; 通过分子动力学方法建立的铜薄膜的仿真模型,并通过添加预应变的方法获得了预应力场模型。对于建立的预应力场模型模型通过可视化的方式以及内应力计算分析,发现:当预变形量大于等于8%时,模型内部的位错会释放形成位错模型,不是研究所...; 关键词：分子动力学预应力场铜薄膜

不同偏压下DCMS和DCMS/HiPIMS共溅射铜薄膜的结构和性能: 《西南科技大学学报》2023年第3期1-7,29,共8页黄敏易勇刘艳松谢春平何智兵; 国家自然科学基金(21875061)。; 采用DCMS(直流磁控溅射)和DCMS/HiPIMS(直流磁控溅射/高功率脉冲磁控溅射)共溅射在不同负偏压下沉积铜薄膜,使用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、白光干涉仪、纳米压痕技术和四点探针法对薄膜的晶体取向、形貌、粗糙度、力学和电学...; 关键词：直流磁控溅射高功率脉冲磁控溅射铜薄膜衬底偏压硬度电阻率

美国:LBL研究人员利用新技术改善二氧化碳向液体燃料的转化效率: 《金属功能材料》2021年第6期109-109,共1页; 据劳伦斯·伯克利国家实验室(LBL)网站11月17日消息,LBL的研究人员通过开发一种新方法来改进用于辅助反应的铜催化剂的表面,从而提高了该工艺的选择性。研究人员将离聚物Nafion和Sustainion的薄层以及两种离聚物的双层涂覆在由聚合物材...; 关键词：电化学电池离聚物 LBL 铜催化剂转化效率伯克利铜薄膜二氧化碳

电镀铜薄膜及其锡焊点界面化合物形貌: 《焊接技术》2021年第9期38-42,共5页王加俊张家涛罗晓斌彭巨擘于智奇吴绪磊王小京; 云南省稀贵金属材料基因工程(一期2020)—锡铟材料基因工程专用数据库平台建设及示范应用(202002AB080001)。; 文中采用直流电沉积的方法,研究电流密度对铜薄膜织构、形貌的影响。得到具有(111),(110)择优取向的铜薄膜样品。其中(111)取向的铜薄膜表面,呈现出整体柱状上的层状结构,在柱状结构的顶部为锥形;具有(110)面择优生长的薄膜表面分布有...; 关键词：电流密度铜薄膜薄膜取向界面化合物

一种采用铜牺牲层去除负性光刻胶残胶的工艺方法: 《机电工程技术》2021年第7期101-104,共4页丁飞杨志峰张帅邹赫麟; 提出一种采用铜薄膜作牺牲层去除负性光刻胶残胶的方法,利用铜薄膜在湿法腐蚀过程中的侧蚀现象,将基底的平均残胶量从13.4个/mm^(2)减小到0.2个/mm^(2)。分别测试了金、铬和铜薄膜湿法腐蚀的侧蚀,实验表明铜最适合作牺牲层材料。测试了...; 关键词：残胶铜薄膜牺牲层湿法腐蚀金属侧蚀

沉积温度对化学气相沉积法制备铜薄膜性质的影响被引量：3: 《真空科学与技术学报》2021年第7期640-647,共8页刘莎徐源来赵培李紫琪陈志杰; 国家自然科学基金面上基金资助项目(51972241)。; 以双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)化铜(Cu(DPM)2)为前驱体,使用智能化学气相沉积设备在673 K至1173 K下于AlN多晶基板上制备Cu薄膜。研究了不同沉积温度对Cu薄膜的相组成、择优取向、宏观表面、微观结构、元素组成及电导的影响。在873 K...; 关键词：双(2 2 6 6-四甲基-3 5-庚二酮)化铜 Cu薄膜化学气相沉积沉积温度 (111)择优取向

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