气相淀积

作品数:297被引量:495H指数:8
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相关作者:张荣韩平郑有炓谢自力王荣华更多>>
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Si_(1-x)Ge_x:C缓冲层的生长温度对Ge薄膜外延生长的影响
《中国激光》2009年第5期1205-1208,共4页葛瑞萍 韩平 吴军 王荣华 俞斐 赵红 俞慧强 谢自力 张荣 郑有炓 
国家自然科学基金(60721063);国家973计划(2006CB604907);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004)资助课题
用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Si1-xGex:C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜,用X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)、拉曼(Raman)衍射光谱等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-xGex:C缓冲层生长温度对样品...
关键词:Ge薄膜 Si1-xGex:C缓冲层 化学气相淀积 生长温度 
AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的异质外延
《中国激光》2009年第5期1209-1213,共5页吴军 王荣华 韩平 葛瑞萍 梅琴 俞斐 赵红 谢自力 张荣 郑有炓 
国家973计划(2006CB604907);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);国家自然科学基金(60721063)资助课题
利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量。XRD测量结果显示得到...
关键词:化学气相淀积 4H—SiC薄膜 AlN/Si(111)复合衬底 异质外延 阴极荧光 
低阈值高效率InAlGaAs量子阱808nm激光器被引量:9
《中国激光》2006年第9期1159-1162,共4页李建军 韩军 邓军 邹德恕 沈光地 
北京市优秀人才培养专项经费(67002013200303);北京市人才强教计划--学术创新团队(05002015200504)资助项目
以Al0.3Ga0.7As/InAlGaAs/Al0.3Ga0.7As压应变量子阱代替传统的无应变量子阱作为有源区,实现降低808 nm半导体激光器的阈值电流,并提高器件的效率。首先优化设计了器件结构,并利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)进行了器件的外延生长。...
关键词:激光器 InAlGaAs量子阱 金属有机物化学气相淀积 
InGaAs/AlGaAs半导体激光器二维阵列被引量:5
《中国激光》2003年第8期684-686,共3页辛国锋 陈国鹰 冯荣珠 花吉珍 安振峰 
用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术外延生长了InGaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器一维线阵列 ,然后再串联组装成二维阵列 ,在 1 0 0 0 μs的输入脉宽下 ,输出峰值功率达到 730W (77A) ,输出...
关键词:激光技术 半导体激光器 金属有机化合物气相淀积 二维阵列 分别限制单量子阱 
准分子激光化学反应淀积硫化物薄膜被引量:3
《中国激光》1997年第8期760-764,共5页席明霞 武四新 郑隽 吴正亮 李缙 赵国珍 曹基文 
提出了一种新的激光光化学三元反应体系,用于制备硫化铅薄膜。应用吸收光谱、扫描电镜和X射线光电子能谱等测试手段研究了膜的性质和组成,指出了该方法淀积硫化物薄膜的可行性。
关键词:化学气相淀积 淀积膜 薄膜 激光光化学 
激光化学气相淀积铁薄膜
《中国激光》1989年第1期62-64,共3页李士新 丁泽安 楼祺洪 
用氯化氙准分子激光分解Fe(CO)_5在石英片上沉积铁薄膜.研究了激光能量密度、淀积时间对膜层特性的影响,获得最大淀积速率1.
关键词:铁薄膜 准分子激光 薄膜淀积 激光 
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