准分子激光光刻

作品数：12被引量：41H指数：3
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相关作者：冯伯儒侯德胜张锦田文彦孙方更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院上海光学精密机械研究所四川大学北京科益虹源光电技术有限公司更多>>
相关期刊：《电子工业专用设备》《激光杂志》《激光与光电子学进展》《微细加工技术》更多>>
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准分子激光光刻光源关键技术及应用被引量：3
《激光与光电子学进展》2022年第9期327-344,共18页江锐 
准分子激光光源在光刻、工业制造、医疗和科研领域都有广泛的应用,特别是其波长、线宽、能量与剂量等指标在光刻领域有很大的优势,可以为光刻机带来更小的图像分辨率和更均匀的曝光图形。现阶段准分子激光器已用于7 nm光刻工艺,并日趋完...
关键词：光学设计与制造 准分子激光 光刻 能量与剂量 中心波长与线宽 
光刻机系统中193nm薄膜的研究进展被引量：2
《激光与光电子学进展》2006年第1期11-14,共4页尚淑珍 易葵 邵建达 范正修 
193nm的ArF准分子激光光刻可将特征线宽推进到0.10μm。重点介绍了193nm薄膜的研究进展及影响薄膜性能的主要因素,并对具体的研究方向进行了总结。
关键词：光刻 193nm 光学薄膜 准分子激光光刻 光刻机系 
氟化钙晶体的生长和应用研究被引量：18
《硅酸盐学报》2003年第12期1202-1207,共6页苏良碧 徐军 杨卫桥 董永军 周国清 
CaF2晶体作为一种传统晶体材料,应用十分广泛。文中综合介绍了CaF2晶体在深紫外光刻机的光学元件、激光晶体和被动Q开关三个领域的应用现状及趋势,归总了CaF2晶体具有的优异性能,阐述了CaF2晶体与深紫外准分子激光之间的作用,晶体结构...
关键词：氟化钙 晶体生长 准分子激光光刻 激光晶体 Q开关 
尽快开展极紫外光刻技术研究被引量：1
《科学新闻》2002年第21期14-14,共1页王之江 
极紫外光刻技术(EUVL)是以波长为11-14nm 的软 X 射线为曝光光源的微电子光刻技术。根据目前的光刻技术发展形势看,EUVL 将是大批量生产特征尺寸为70nm
关键词：光刻技术 线宽 反射式光学系统 批量生产 非球面反射镜 离轴 半导体器件 准分子激光光刻 高反射率 技术节点 
制版、光刻、腐蚀与掩模工艺
《电子科技文摘》2002年第7期35-35,共1页
Y2002-63128 02128342001年第6届等离子体及处理感应损伤会议录=2001 6th international symposium on plasma-and process-induced damage[会,英]/American Vacuum Society &IEEE Electron Devices Society.—2001.—128P.(E)本会议录...
关键词：掩模 等离子体刻蚀 投影光刻机 会议录 Electron 光刻技术 SYMPOSIUM 准分子激光光刻 专用设备 千兆级 
接近式光刻中斜照明改善分辨率的模拟与分析被引量：4
《微细加工技术》2001年第2期9-13,60,共6页赵永凯 黄惠杰 路敦武 杜龙龙 杨良民 袁才来 蒋宝财 王润文 
国家自然科学基金资助项目! (6 98780 2 9)
根据菲涅尔 基尔霍夫衍射公式 ,推导出斜照明接近式光刻系统中硅片表面的光强分布 ,并在几种条件下进行了模拟数值计算 ,分析了斜照技术的实用条件及改善光刻分辨率的效果和应用前景。
关键词：接近式光刻 准分子激光光刻 分辨率 斜照明 
用于KrF准分子激光光刻的衰减相移掩模
《光电工程》2000年第5期27-30,共4页孙方 侯德胜 冯伯儒 张锦 
中国科学院重点项目!(AK970 4);中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室基金资助项目!(KF S990 2 )
讨论了相移掩模提高光刻分辨力的基本原理 ,提出了一种抗蚀剂相移器制作衰减相移掩模的新方法 ,利用自行设计、建立的 Kr F准分子激光投影光刻实验曝光系统进行了实验研究 ,给出了实验结果 ,并与传统光刻方法作了比较。
关键词：准分子光刻 相移掩模 图形分辨力 激光光刻 
微光刻技术的发展被引量：10
《微细加工技术》2000年第1期1-9,共9页冯伯儒 张锦 侯德胜 陈芬 
国家自然科学基金!(6 9776 0 2 8);科学院重点项目经费资助
阐述了光刻技术的发展及其分辨极限 ,对准分子激光光刻技术及其发展作了比较详细的论述。
关键词：微光刻技术 准分子激光光刻 集成电路 
用准分子激光光刻的下一代集成电路
《激光与光电子学进展》1997年第12期29-31,共3页
关键词：准分子激光 光刻 集成电路 
准分子激光光刻AZ1350SF正胶的实验研究
《四川大学学报（自然科学版）》1992年第4期568-571,共4页田文彦 曾传相 潘大任 谢辉 周业为 谢健 
80年代,准分子激光一出现,世界上各先进国家就开展了准分子激光光刻的研究工作。目前,美、日等国准分子激光光刻水平已低于0.4μm的分辨率。他们研究中采用准分子激光多为KrF和XeCl激光,光致抗蚀剂有MP2400,PMMA,PMGI和NOVOLAK等,XeCl...
关键词：准分子激光 光刻 正胶 
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