自对准结构

作品数：9被引量：8H指数：1
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基于a-IGZO型OLED的顶栅自对准TFT结构中遮光层的研究
《光电子技术》2020年第4期302-307,共6页高颖 周星宇 
顶栅自对准(Top-gate self aligned)结构的a-IGZO TFT器件具有较小的寄生电容,适用于驱动OLED(Organic light emitting diode)显示器。为了增加TFT器件在光照条件下的稳定性,驱动OLED的TFT(Thin film transistors)器件通常需要加入遮光...
关键词：顶栅自对准结构 有机发光二极管显示器 遮光层 
一种新型双多晶自对准结构的高压功率SiGe HBT
《微电子学与计算机》2006年第5期93-96,共4页徐阳 张伟 岳磊 许军 
为了改善高压功率SiGeHBT的综合性能,应用图形外延SiGe工艺,研制出了一种新型的双多晶自对准SiGeHBT器件。相对于双台面结构的SiGeHBT而言,该结构的SiGeHBT在发射极总周长不变的情况下,其发射结面积减少超过50%,集电结面积减少近70%,BV...
关键词：SIGE HBT 图形外延 自对准 高压 
SiGe HBT超自对准结构模拟研究
《微电子学》2005年第4期329-331,共3页黄大鹏 戴显英 张鹤鸣 王伟 吴建伟 胡辉勇 张静 刘道广 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439010101DZ01)
侧墙厚度及悬梁长度是SiGeHBT超自对准器件工艺中的重要结构参数,对器件的寄生效应和结面积有一定的影响,因而也影响器件的电流放大系数β和特征频率ft。在目前的文献中,尚未见到有关SiGeHBT超自对准结构模拟的报道。文章在研究各种超...
关键词：硅锗异质结双极晶体管 自对准 侧墙 悬梁 
高功率密度自对准结构AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管被引量：6
《Journal of Semiconductors》2001年第2期247-250,共4页严北平 张鹤鸣 戴显英 
国家自然科学基金资助项目 !(No.696760 3 3 )&&
利用各向异性的湿法刻蚀和侧墙隔离技术实现了发射极金属和基极金属的自对准 ,采用该自对准技术成功地研制出了自对准结构的 Al Ga As/ Ga As异质结双极晶体管 ,器件直流电流增益大于 2 0 ,电流增益截止频率 f T 大于30 GHz,最高振荡频...
关键词：自对准结构 高功率密度 异质结双极晶体管 ALGAAS/GAAS 砷化镓 
一种单层多晶硅BiCMOS工艺研究
《微电子学》1999年第1期10-14,共5页周均 
介绍了一种单层多晶硅ＣＭＯＳ工艺。该工艺采用Ｐ型衬底、Ｎ型Ｐ型双埋层、Ｎ型薄外延结构，掺杂多晶硅作为ＣＭＯＳ晶体管栅极和双极ＮＰＮ晶体管的发射极。ＣＭＯＳ晶体管采用源漏自对准结构，钛和铝双层金属作为元件互连线，ＰＥＣ...
关键词：半导体工艺 BICMOS 自对准结构 多晶硅发射极 
自对准结构α－Si：HTFT特性的分析和研究被引量：1
《微电子学》1995年第5期59-62,共4页张少强 徐重阳 邹雪城 周雪梅 赵伯芳 袁奇燕 符晖 王长安 
本文描述了用自对准工艺制各自对准结构的α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ。从理论上分析了有源层α－Ｓｉ：Ｈ的厚度对α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性的影响，据此提出一种新型的双有源层结构的α－ＳｉＴＦＴ。它可以有效地提高自对准α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ...
关键词：非晶硅 薄膜晶体管 液晶显示器 
双多晶硅自对准结构双极型晶体管工作于饱和开关特性的解析模型（Ⅱ）
《浙江工业大学学报》1995年第3期224-230,共7页乐中道 龙忠琪 
国家自然科学基金
本文是文献［１］的续篇，给出了在多晶硅和单晶硅发射极区域中涉动电流和存贮电荷的解析分析，将它们表示成发射结电压Ｖｂｅ的函数。在文献［１］中已知Ｖｂｅ决定于基区中的正态模涉动电流，从而发射极区域中的涉动电流与存贮电荷也...
关键词：双极型 晶体管 多晶硅发射极 开关特性 
双多晶硅自对准结构双极型晶体管工作于饱和开关特性的解析模型（Ⅰ）被引量：1
《浙江工业大学学报》1995年第2期114-124,共11页乐中道 龙忠琪 
国家自然科学基金
我们拟采用最基本参数，饱和时间常数，和与此相关的半导体物理机理来分析双多晶硅自对准结构双极型晶体管工作于饱和的行为。全文分上、下二篇分别发表。本文为上篇，文中给出了在基区中正态模和逆向模的涉动电流和存贮电荷以及收集极...
关键词：多晶硅发射极 饱和开关特性 晶体管 解析模型 
台面型自对准结构AlGaAs/GaAs HBT的工艺研究
《微电子学与计算机》1993年第10期40-43,共4页许军 周文益 刘佑宝 黄敞 
本文提出了一种台面型全自对准结构AlGaAs/GaAs HBT的制造方案,对其中的欧姆接触金属系统的制备.AlGaAs/GaAs材料的选择性腐蚀及聚酰亚胺的反应离子刻蚀终点监控等关键工艺技术进行了研究。并给出了应用该工艺研制的HBT器件的初步结果.
关键词：双极性晶体管 自对准结构 工艺 HBT 
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