碲镉汞材料

作品数：48被引量：97H指数：6
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长波碲镉汞材料表面的氢化处理研究
《红外技术》2018年第7期668-672,711,共6页林占文 韩福忠 耿松 李雄军 史琪 王海澎 王向前 蒋俊 
本文基于ICP方法对长波HgCdTe材料表面进行了氢化处理,首次在同一焦平面器件上实现了氢化工艺效果的对比。利用原子力显微镜(AFM)、低温探针台系统和焦平面测试系统对HgCdTe材料表面微观形貌及相关器件的电学特性进行了表征分析,结果表...
关键词：长波碲镉汞 氢化处理 AFM 界面电学特性 I-V 焦平面器件测试 
液相外延碲镉汞材料组分均匀性改善被引量：7
《红外技术》2014年第12期973-975,共3页吴军 毛旭峰 万志远 李沛 韩福忠 
国防基础科研项目
由碲镉汞薄膜材料的厚度不均匀性入手,改进水平滑舟液相外延工艺,从而改善了碲镉汞薄膜材料组分均匀性,使距薄膜边缘1.5 mm(衬底边缘2.5 mm)以内的薄膜材料组分均匀性得到了长足的提高,增大了薄膜材料用于制备焦平面器件的利用率。中波...
关键词：石墨舟 碲镉汞 组分均匀性 LPE 
长波光伏碲镉汞材料上的欧姆接触
《红外技术》2005年第3期260-262,共3页赵鸿燕 鲁正雄 赵岚 成彩晶 
碲镉汞器件性能与材料及诸多工艺因素相关,而材料与电极间的接触性能是必须要解决的基础问题之一。利用金属In/Au在光伏长波碲镉汞材料上做了接触性能研究,通过实验获得了较理想的欧姆接触,测试后计算出In与n型和p型HgCdTe材料间的接触...
关键词：碲镉汞材料 欧姆接触 光伏 长波 HGCDTE材料 接触电阻率 工艺因素 器件性能 基础问题 接触性能 性能研究 P型 In 
用红外透射法确定任意厚度下碲镉汞晶体的组分
《红外技术》2005年第1期39-41,共3页杨彦 刘新进 
选用组分均匀的碲镉汞Hg1-xCdxTe晶片(x=0.170-0.300mole CdTe),在室温下用红外光谱仪 测量晶片在不同厚度的透射光谱,取透射比为5％对应的波数值,对实验数据进行拟合,得到了碲镉 汞晶体组分与透射比为5％对应的波数值和晶片厚度之间的...
关键词：晶片 碲镉汞材料 厚度 透射比 透射光谱 晶体 均匀性 红外透射 组分 红外光谱仪 
碲镉汞材料少子寿命的微波反射光电导衰减测量
《红外技术》2003年第6期42-44,48,共4页黄晖 李亚文 马庆华 陈建才 姬荣斌 
详细说明了用微波反射光电导衰减 (μ PCD)测量碲镉汞材料 (MCT)中少数载流子寿命的原理。μ PCD系统对样品少数载流子寿命的测量范围为 2 0ns至 3ms,测量温度可以从 80K到 32 5K变化 ,整个系统的测量由计算机控制自动进行 ,可以对样品...
关键词：微波反射光电导衰减 碲镉汞材料 少数载流子 寿命测量 红外焦平面列阵 
长波红外n-HgCdTe材料的电阻比值与载流子寿命关系
《红外技术》1999年第3期19-20,41,共3页邵式平 肖绍泽 王跃 
少数载流子寿命是长波红外HgCdTe材料的重要性能参数。从大量实验数据统计中发现长波红外n型HgCdTe材料的液氮温度电阻和室温电阻的比值与材料载流子寿命有一定关系，电阻比值在2～6之间有较大的载流子寿命值，而电阻比值大于10的寿命...
关键词：载流子寿命 材料电阻 碲镉汞材料 红外探测器 
长波红外材料n型Hg_(1-x)Cd_xTe载流子寿命被引量：1
《红外技术》1999年第2期31-34,共4页邵式平 薛南屏 肖绍泽 郭云成 庄维莎 邵康 
测量了３种不同生长方法（加速坩埚旋转布里奇曼法、固态再结晶法和改进的布里奇曼生长大直径晶体法）制备的长波红外蹄镉汞晶体（块晶）载流子寿命的温度变化关系，与窄禁带半导体载流子复合机构的理论计算结果比较表明，优质晶体中是...
关键词：载流子寿命 复合机构 碲镉汞材料 SPRITE探测器 
n型HgCdTe载流子双极迁移率测量
《红外技术》1995年第5期15-18,14,共5页邵式平 肖绍泽 尹敏 
介绍了两种测量半导体材料载流子双极迁移率的原理和方法。用载流子漂移实验方法测量了ｎ型Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２）材料在８０Ｋ时的双极迁移率，讨论了测量条件对双极迁移率的影响。
关键词：碲镉汞材料 双极迁移率 测试方法 小光点装置 
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