离子刻蚀

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聚合物Parylene C薄膜的反应离子刻蚀研究
《微细加工技术》2008年第6期19-21,共3页王亚军 刘景全 沈修成 杨春生 郭中元 芮岳峰 
国家自然科学基金资助项目(60876082);上海市科委纳米专项基金资助项目(0852nm06600)
首先简要介绍了聚合物Parylene,并以Parylene C薄膜为原料,进行反应离子刻蚀,着重研究了功率和工作气压对刻蚀速率的影响,并给出了优化的刻蚀工艺参数。结果表明,刻蚀速率随功率增加而增大,当功率为80 W时,刻蚀速率达到0.44μm/min,适...
关键词：生物MEMS 微流体系统 反应离子刻蚀 ParyleneC 
聚合物光波导的反应离子刻蚀工艺研究被引量：2
《微细加工技术》2008年第3期5-9,共5页陆志远 胡国华 恽斌峰 崔一平 
教育部科学技术研究重点项目资助(104196)
实验研究了表面粗糙度、侧壁垂直度与各刻蚀参量之间的关系,通过对刻蚀效果的分析,发现在低功率、高CHF3含量、低压强的情况下能获得最小的表面粗糙度;在高功率、50%CHF3含量、低压强的情况下能获得较陡直的波导侧壁。利用优化的刻蚀条...
关键词：反应离子刻蚀 波导 PMMA 粗糙度 侧壁垂直度 
紫外压印模版的制备被引量：1
《微细加工技术》2007年第2期5-8,共4页司卫华 董晓文 顾文琪 
概述了紫外压印的原理及其优点,并通过对紫外压印模版特殊性的分析,提出了两种紫外压印模版的制作。用反应离子刻蚀法制作了玻璃模版,用浇灌法制作了聚二甲基硅氧烷(PDMS)模版,最后给出了实验过程和结果。实验表明,用反应离子刻蚀法可...
关键词：紫外线 压印 模版制作 反应离子刻蚀 
SF_6/O_2气氛下Al对反应离子刻蚀Si的增强作用机理研究被引量：1
《微细加工技术》2007年第1期56-59,共4页程正喜 郭育林 周嘉 
国家自然科学基金资助项目(60476032);上海市自然科学基金资助项目(05ZR14015)
通过实验和统计分析方法研究了Al在SF6/O2气体干法刻蚀Si中的增强作用机理。研究表明,Al在SF6/O2刻蚀Si中具有增强作用,而且Al的增强作用基本独立,受其它刻蚀条件的影响较小。Al对Si刻蚀速率的增强作用并非都是由于衬底温度升高所致,而...
关键词：反应离子刻蚀 AL SF6/O2 催化作用 
金纳米粒子作掩模的硅纳米柱阵列的加工
《微细加工技术》2007年第1期24-27,31,共5页赵保军 王英 张亚非 
国家重点基础研究973计划资助项目(2006CB300406);国家自然科学基金资助项目(50272039);上海市自然科学基金(06ZR14047);上海交通大学微纳科学技术研究院青年创新基金
利用自组装的方法在硅基片表面形成一层均匀的金纳米粒子掩模,分析了偶联剂对自组装的影响,以金纳米粒子作掩模进行反应离子刻蚀,研究了刻蚀时间对硅纳米柱阵列的影响,提供了一种简单、便宜并且有效的在硅基底上大面积形成纳米柱阵列的...
关键词：自组装 金纳米粒子 纳米柱阵列 反应离子刻蚀 
压电型微悬臂梁制备中RIE刻蚀硅工艺的研究被引量：3
《微细加工技术》2006年第5期47-50,54,共5页董璐 方华斌 刘景全 徐东 徐峥谊 蔡炳初 
介绍了一种压电型微悬臂梁的制作工艺流程,重点研究了其中硅的反应离子刻蚀(RIE)工艺,分析了工艺参数对刻蚀速率、均匀性和选择比的影响,提出通过适当调整气体流量、射频功率和工作气压,以加快刻蚀速率,改善均匀性,提高选择比。研究表明...
关键词：压电型微悬臂梁 反应离子刻蚀 刻蚀速度 均匀性 选择比 
硅微喷阵列芯片的设计、制作与应用研究被引量：3
《微细加工技术》2006年第4期48-52,共5页许宝建 乔治 金庆辉 赵建龙 
中国科学院知识创新工程重要方向资助项目(KGCX2-SW-108)
介绍了一种用于制作生物微阵列的新型微喷阵列芯片。基于半导体光刻技术和干法刻蚀技术,成功制作了喷孔外侧含有间隙环的硅微喷阵列芯片,解决了溶液进样难、微阵列样品点缺失、样品点漂移以及液体回流等问题。在5 kPa气压驱动下,该芯片...
关键词：微喷阵列芯片 微阵列 深反应离子刻蚀 计算流体力学模拟 
反应离子刻蚀PMMA的各向异性刻蚀研究被引量：2
《微细加工技术》2002年第4期54-57,共4页黄龙旺 杨春生 丁桂甫 
国家自然科学基金资助项目 (5 0 0 75 0 5 5 )
研究目的是优化Ni掩模PMMARIE的刻蚀参数 ,在氧刻蚀气体中加入表面钝化性气体CHF3 ,以较快的刻蚀速率获得垂直的侧壁和最小的掩模钻蚀。采用平行板结构的反应离子刻蚀机刻蚀 ,研究了刻蚀气压、CHF3 /O2 比率和刻蚀温度对垂直、侧向刻蚀...
关键词：反应离子刻蚀 PMMA 各向异性 RIE 干法刻蚀 
场致发射阵列制作工艺的研究被引量：1
《微细加工技术》2001年第3期14-17,共4页周洪军 尉伟 洪义麟 徐向东 陶晓明 霍同林 付绍军 裴元吉 
研究了干法反应刻蚀和湿法强碱化学腐蚀方法对场致发射阵列顶部的锐化问题以及不同工作气体的干法反应刻蚀和湿法化学腐蚀对场致发射阵列Si尖顶部的SiO2 绝缘层的去除方法 ,并对这两种方法进行了比较 ,给出了各自的优缺点。
关键词：场致发射阵列 制作工艺 反应离子刻蚀 化学腐蚀 半导体工艺 
CVD金刚石薄膜RIE掩模技术研究被引量：6
《微细加工技术》2001年第3期74-80,共7页丁桂甫 俞爱斌 赵小林 姚翔 沈天慧 
金刚石薄膜反应离子刻蚀 (RIE)必须选用硬掩模 ,基于掩模刻蚀选择比和掩模图形化加工特性考虑 ,镍和镍钛合金掩模是较好选择 ,其中 ,NiTi合金薄膜具有刻蚀选择比高、加工工艺简单、图形化效果好的优势 ,Ni掩模特别是电镀方法制作的Ni掩...
关键词：金刚石薄膜 反应离子刻蚀 掩模 
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