抗ESD

作品数：17被引量：33H指数：3
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IPM模块抗ESD能力研究
《家电科技》2020年第4期85-87,共3页冯宇翔 
为研究IPM ESD失效的原因,提出解决ESD问题的办法,遂进行了ESD回路理论分析及实验验证。由于驱动IC内部有ESD二极管结构,会导致在IPM某两个引脚上打ESD时,ESD电压通过驱动IC内部的ESD二极管传输到IGBT的栅极上,导致IPM ESD失效。
关键词：静电 智能功率模块 IGBT 
车载GPS接收机抗ESD设计1/4波长应用的研究
《惠州学院学报》2014年第3期51-62,共12页陈向阳 
车载GPS接收机因车载行业的要求和标准,必须有防静电保护措施,但是防静电二极管往往具有容性电抗,对GPS接收机天线信号输入阻抗产生影响,为了减小静电防护措施对阻抗匹配的影响,本研究采用四分之一波长的特性,引入四分之一波长微带线静...
关键词：GPS 静电防护 1/4波长 阻抗匹配 高性价比 
抗ESD的VDMOS器件的研制
《硅谷》2011年第14期58-59,48,共3页刘宗贺 
ESD是导致VDMOS器件损坏的一个重要原因,通过分析VDMOS器件ESD损坏的机理,提出在VDMOS器件的内部制造ESD保护单元,为节约芯片面积,提出在VDMOS器件的栅压焊区位置制造连接栅源的齐纳二极管,通过串联齐纳二极管达到ESD保护单元一定的耐...
关键词：VDMOS ESD保护 串联齐纳二极管 
PCB中抗ESD的设计被引量：1
《大众科技》2009年第12期42-43,共2页蒋爱如 
来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤,为了消除静电释放(ESD)对电子设备的干扰和破坏,需要采取多种技术手段进行防范。合理的PCB设计可以减少故障检查及返工所带来的不必要成本。文章从分层、恰当...
关键词：PCB ESD 
源漏硅化物扩散层分离技术对SOINMOS抗ESD的影响被引量：1
《功能材料与器件学报》2008年第6期1007-1012,共6页宋文斌 许高博 曾传滨 韩郑生 
国家自然科学基金(No:50576014):旋流式微混合器内旋流流动及相变过程研究
采用金属硅化物扩散层分隔技术制备了源漏区具有不同硅化物挡板尺寸的环型栅PD SOI MOSFETs,通过CLP实验数据分析器件的硅化物隔离档板的尺寸对SOI NMOSTET抗ESD能力以及对多指栅ggnMOS管子导通均匀性的影响。结果显示,采用了硅化物隔...
关键词：绝缘体上硅SOI ESD 源漏硅化物 二次击穿 导通电阻 栅接地NMOS器件 
设计PCB时抗ESD的方法
《中国科技信息》2008年第6期108-108,共1页刘琦 
本文首先分析在不同情况下由ESD所产生的不同现象,然后就提高电子产品可靠性应掌握ESD保护的技巧,最后提出优化ESD防护的PCB设计准则。
关键词：静电释放(ESD) 电磁干扰(EMI) PCB布线 
电路板布局、布线的的抗ESD设计规则
《科技信息》2007年第5期66-66,172,共2页王维明 
本文简要阐述了静电释放带来的各种不同类型的危害,并数量化地给出了预防这类危害的种种行之有效的设计措施。
关键词：静电释放 寄生电容 布局布线 安装孔 
集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法被引量：5
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期279-282,共4页张海鹏 汪沁 孙玲玲 高明煜 李文钧 吕幼华 刘国华 汪洁 
国家自然科学基金(批准号:60306003)及浙江省自然科学基金(批准号:y104599)资助项目
为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法,首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件...
关键词：ESD SOI LIGBT/LDMOS 器件结构 工艺 PIC 
CMOS/SOI64-kB SRAM抗ESD实验被引量：2
《微电子学》2004年第6期636-639,共4页汤仙明 韩郑生 周小茵 海潮和 赵立新 
　设计了一种SOI栅控二极管结构的ESD保护电路,并将其应用到64kBSRAM电路上,进行了管脚摸底实验和电路的整体抗静电实验。通过实验,研究了ESD保护电路各项参数对ESD性能的影响。实验结果表明,这种结构的ESD保护电路的抗ESD能力达到了设...
关键词：SOI ESD 栅控二极管 SRAM 
多指条nMOSFET抗ESD设计技术被引量：9
《电路与系统学报》2004年第6期132-134,共3页罗宏伟 恩云飞 杨银堂 朱樟明 
利用多指条nMOSFET进行抗ESD设计是提高当前CMOS集成电路抗ESD能力的一个重要手段,本文针对国内某集成电路生产线,利用TLP(TransmissionLinePulse)测试系统,测试分析了其nMOSFET单管在ESD作用下的失效机理,计算了单位面积下单管的抗ESD(...
关键词：ESD设计 NMOSFET 多指条 
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