单片集成电路

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60GHz单级功率放大器的设计被引量：1
《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》2013年第6期1-4,共4页王岗 孙玲玲 文进才 
国家自然科学基金资助项目(60906015);国家重点基础研究发展计划资助项目(2010CB327403)
该文探讨了60 GHz功率放大器的设计方法,设计并测试了基于0.07μm GaAs工艺的60 GHz毫米波单片功率放大器,该放大器采用共源结构,单级放大,工作电压为1.2 V,工作电流为27 mA,在62.2 GHz时有最大小信号增益4.9 dB,60 GHz时仿真的输出1 d...
关键词：毫米波单片集成电路 砷化镓 功率放大器 变异高电子迁移率晶体管 
InP基三端太赫兹固态电子器件和电路发展被引量：4
《太赫兹科学与电子信息学报》2013年第1期43-49,共7页金智 苏永波 张毕禅 丁芃 汪丽丹 周静涛 杨成樾 刘新宇 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(No.2010CB327502)
随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的截止频率已经进入到太赫兹频段,太赫兹电路的频率特性得到极大发展。以固态器件为基础的太赫兹电路的工作频率进入到THz频段。本文重点介绍InP基双极器件和场效应器件的发展以及在太赫兹电路和系...
关键词：太赫兹 InP基晶体管 固态电子器件 太赫兹单片集成电路 
4～20GHz超宽带低噪声放大器单片电路被引量：3
《半导体技术》2013年第1期6-9,共4页许春良 王绍东 柳现发 高学邦 
国家重点基础研究发展计划资助(2009CB320200)
采用分布式放大器设计原理,基于GaAs PHEMT低噪声工艺技术,研制了一款超宽带低噪声放大器单片电路。该款放大器选用分布式拓扑结构,由五级电路构成,为了进一步提高分布式放大器的增益,在每一级又采用了两个场效应晶体管(FET)串联结构。...
关键词：超宽带 低噪声放大器 行波 微波单片集成电路 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 
高性能2～18GHz超宽带MMIC6位数字衰减器被引量：9
《微波学报》2012年第6期80-83,92,共5页戴永胜 李平 孙宏途 徐利 
国家重点基础研究发展计划"973"计划(2009CB320200);国家国防重点实验室基金(9140C1402021102)
介绍了一种高性能2～18GHz MMIC 6位GaAs PHEMT数字衰减器的设计、制造和测试结果。研制的单片数字衰减器衰减步进为0.5dB;最大衰减范围为31.5dB;参考态插入损耗<5.71dB;所有衰减态的输入、输出电压驻波比<1.8;衰减精度:+2.31dB/-0.51dB...
关键词：数字衰减器 微波单片集成电路 砷化镓 超宽带 赝配高电子迁移率晶体管 
6～18GHz GaAs PHEMT5位MMIC数字移相器被引量：5
《微波学报》2012年第1期66-69,共4页戴永胜 陈曦 陈少波 徐利 李平 
国家重点基础研究发展计划973计划(2009CB320200);国家国防重点实验室基金(9140C1402021102)
采用GaAs PHEMT工艺研制开发了一款6～18 GHz五位MMIC数字移相器。通过建立精确的器件模型、选择合理的单位拓扑以及设计优化原理图和版图,并在优化过程中采用性能冗余优化策略,保证了产品各项性能优异和高成品率。测试的电性能典型值表...
关键词：微波单片集成电路 数字移相器 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 
毫米波矢量调制器及其在有源相控阵天线中的应用被引量：8
《红外与毫米波学报》2011年第5期425-428,474,共5页韩克武 杨明辉 孙芸 李凌云 侯阳 孙晓玮 
973计划(2009CB320207);国家自然科学基金(60771058);上海集成电路技术与产业促进中心(10706200201);国家基础科研计划(A1320080002)
矢量调制器芯片作为一种可以同时对载波进行相位和幅度调制的新型电路,能够替代传统的数字移相器和数字衰减器用在有源相控阵系统中.先设计了一款工作在Ka波段毫米波单片矢量调制器,在片测试结果显示可以实现-12～-40 dB的幅度调制与36...
关键词：毫米波 单片集成电路 矢量调制器 有源相控阵 
一款宽带实时延迟线芯片的设计和实现被引量：4
《半导体技术》2009年第9期886-889,共4页方园 高学邦 吴洪江 喻梦霞 
国家重点基础研究发展计划资助(2009CB320200)
为降低电子系统在宽带运用中波束倾斜效应的影响,开展了相关的技术研究。简要介绍了实时延迟线电路的基本概念,对电路设计流程进行了阐述。最终成功开发出一款具有小尺寸和优异微波性能的GaAs微波单片集成数控实时延迟线电路。其性能指...
关键词：宽带 高精度 GAAS微波单片集成电路 实时延迟线 波束倾斜效应 
宽带GaAs MMIC开关耦合器芯片设计被引量：1
《微纳电子技术》2009年第8期498-501,共4页刘文杰 吴洪江 高学邦 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2009CB320200)
介绍了一种宽带开关耦合器芯片的研制。在GaAspHEMT工艺平台上将宽带单刀双掷开关和兰格耦合器集成在一个芯片上，在实现二路功率分配功能的同时，还提供了在两个输出端口之间±90°相位切换的功能。该芯片频率范围覆盖6～18GHz，在整...
关键词：宽带 砷化镓微波单片集成电路 PHEMT 微波开关 兰格耦合器 
C波段高增益低噪声放大器单片电路设计被引量：4
《微纳电子技术》2009年第7期437-440,445,共5页刘志军 高学邦 吴洪江 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2009CB320200)
主要介绍了C波段高增益低噪声单片放大器的设计方法和电路研制结果。电路设计基于Agilent ADS微波设计环境,采用GaAs PHEMT工艺技术实现。为了消除C波段低噪声放大器设计中在低频端产生的振荡,提出了在第三级PHEMT管的栅极和地之间放置...
关键词：砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 C波段 低噪声放大器 微波单片集成电路 电磁仿真 
一种单端匹配式PIN单刀单掷功率开关芯片被引量：3
《半导体技术》2009年第7期704-707,共4页贾玉伟 许春良 魏洪涛 喻梦霞 高学邦 
国家重点基础研究发展计划资助(2009CB320200)
采用PIN二极管工艺技术,设计、制作了一种微波单端匹配式PIN单刀单掷功率开关芯片,并给出了详细测试曲线。该开关由四级PIN二极管组成,采用单端匹配结构。工作频率8～10GHz,整个带内插入损耗小于0.7dB,输出端口驻波比小于1.4:1,输入端...
关键词：单端匹配 功率 微波单片集成电路 单刀单掷 PIN二极管 插入损耗 
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