单片集成电路

作品数：648被引量：789H指数：11
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基于InP HEMT的太赫兹分谐波混频器芯片设计
《半导体技术》2024年第2期151-157,共7页何锐聪 王亚冰 何美林 胡志富 
基于70 nm InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款175~205 GHz分谐波混频器太赫兹单片集成电路(TMIC)。使用三线耦合Marchand巴伦实现本振信号的平衡-不平衡转换。在射频端口设计了紧凑型耦合线结构的带通滤波器,实现对射频信号...
关键词：INP 高电子迁移率晶体管(HEMT) 太赫兹单片集成电路 分谐波混频器 带通滤波器 Marchand巴伦 
220GHz GaAs单片集成分谐波混频器被引量：3
《半导体技术》2022年第11期886-890,共5页杨大宝 赵向阳 刘波 邢东 冯志红 
基于在30μm厚的GaAs衬底上开发的平面肖特基二极管,设计了220 GHz GaAs单片集成分谐波混频器。考虑了二极管外形结构对电磁波传输的影响,采用场路结合联合仿真的经典方法建立二极管模型来仿真其电性能,并利用这一模型在非线性电路仿真...
关键词：单片集成电路 分谐波混频器 肖特基二极管 建模 变频损耗 
GaN MMIC六位数字衰减器的设计被引量：1
《半导体技术》2021年第12期921-925,共5页齐志华 谢媛媛 
基于GaN HEMT工艺成功研制出一款宽带六位数字衰减器,衰减范围为0~31.5 dB。通过研究GaN HEMT开关器件模型及电阻式衰减网络,选取合适的衰减器拓扑,减小了衰减器的插入损耗,提高了衰减精度,缩小了芯片尺寸。测试结果表明,在2~18 GHz频带...
关键词：GAN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 微波单片集成电路(MMIC) 数字衰减器 宽带 
基于GaN HEMT工艺的高功率宽带6 bit数字移相器被引量：1
《半导体技术》2021年第11期847-853,共7页谢媛媛 吴洪江 赵子润 
基于GaN HEMT工艺研制了一款8~12.5 GHz宽带6 bit数字移相器。通过采用优化的宽带拓扑和集总元件,以及在片上集成GaN并行驱动器,提高了移相精度,缩小了芯片的尺寸,减少了控制端数量。测试结果表明,在8~12.5 GHz频带内,全部64个移相状态...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT) 数字移相器 微波单片集成电路(MMIC) 宽带 高功率 
低电调电压全集成10~20GHz VCO的设计与实现被引量：4
《半导体技术》2021年第1期30-35,46,共7页高晓强 张加程 王增双 孙高勇 
研制了一款低电调电压、多频段压控振荡器(VCO)微波单片集成电路(MMIC),MMIC主要由6频段振荡电路、控制电路、译码电路等组成。将10~20 GHz的频率范围分为6个频段覆盖,从而将电调电压控制在5 V以内。基于GaAs异质结双极晶体管(HBT) 2μ...
关键词：多频段压控振荡器(VCO) 微波单片集成电路(MMIC) GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺 控制电路 38译码器 
具有带外抑制特性的Ka波段低功耗低噪声放大器被引量：4
《半导体技术》2021年第1期36-40,共5页曾志 李远鹏 陈长友 
基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,成功研制了一款30~34 GHz频带内具有带外抑制特性的低功耗低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC)。该MMIC集成了滤波器和LNA,其中滤波器采用陷波器结构,可实现较低的插入损耗和...
关键词：低噪声放大器(LNA) 微波单片集成电路(MMIC) GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 带外抑制 电流复用技术 
一款毫米波超宽带GaN MMIC低噪声放大器被引量：2
《半导体技术》2020年第12期931-935,956,共6页刘会东 朱宝石 朱思成 魏洪涛 
基于0.15μm GaN HEMT工艺,设计并实现了一款超宽带毫米波GaN低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC)。该放大器采用4级级联结构,其输入和输出端均采用5阶匹配网络,提高了放大器的匹配带宽;由微带线、短截线和电容组成的无电阻输入匹...
关键词：低噪声放大器(LNA) 氮化镓(GaN) 微波单片集成电路(MMIC) 毫米波 超宽带 
国产GaAs微波单片集成电路的氢中毒效应被引量：1
《半导体技术》2020年第12期976-981,共6页丁有源 黄杰 席善斌 
对基于GaAs异质结外延材料、0.15μm PHEMT工艺制造的国产低噪声放大器(LNA)和驱动放大器(DA)各3种型号的GaAs微波单片集成电路(MMIC)进行了温度为150℃、H2体积分数为2%、时间为100 h的氢气氛暴露试验。试验结果表明,低噪声放大器和驱...
关键词：GaAs 微波单片集成电路(MMIC) 低噪声放大器(LNA) 驱动放大器(DA) 氢中毒 可靠性 
一种高性能X波段GaAs开关滤波器芯片被引量：4
《半导体技术》2020年第8期592-596,共5页王胜福 世娟 
基于0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款高性能X波段四路开关滤波器微波单片集成电路(MMIC)芯片。芯片内集成了输入和输出单刀四掷(SP4T)开关、驱动器和带通滤波器,实现了开关滤波功能。输入和输出SP4T开关结构...
关键词：GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单刀四掷(SP4T)开关 带通滤波器 开关滤波器 微波单片集成电路(MMIC) 
基于异构集成技术的FBAR开关滤波器组芯片被引量：3
《半导体技术》2020年第4期263-267,共5页郭松林 李丽 钱丽勋 王胜福 李宏军 
基于异构集成技术,研制了一款各通道中心频率分别为1.5,1.8,1.9和2.0 GHz的四通道高性能开关滤波器组芯片。使用了金锡凸点焊接的组装工艺,与键合线工艺相比,其互连强度更高,寄生参数更小。薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器芯片与微波单片...
关键词：薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器芯片 微波单片集成电路(MMIC) 开关电路 异构集成 开关滤波器组芯片 
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