机械抛光

作品数：1251被引量：2245H指数：20
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集成电路铜膜化学机械抛光台阶高度修正能力的研究被引量：3
《电镀与涂饰》2020年第23期1654-1658,共5页杨程辉 牛新环 周佳凯 王建超 霍兆晴 卢亚楠 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助(2016ZX02301003-004-007)。
为了有效提高集成电路铜布线层铜膜在化学机械抛光(CMP)过程中的台阶高度修正能力,在由胶体二氧化硅(平均粒径为100 nm)0.5%(质量分数)、甘氨酸2%(质量分数)和FAOA非离子表面活性剂5mL/L组成的基础碱性抛光液(pH=8.5)中加入不同质量分数...
关键词：化学机械抛光 铜膜 双氧水 1 2 4−三氮唑 修正能力 
活化过硫酸钾氧化法对提高钌CMP去除速率的作用被引量：1
《电镀与涂饰》2020年第23期1667-1670,共4页王超 周建伟 王辰伟 张雪 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)。
针对Cu互连集成电路中新型阻挡层金属材料钌(Ru)在化学机械抛光(CMP)中去除速率低的问题,在SiO2–KIO4体系抛光液中研究了硫酸钾(K2SO4)、硝酸钾(KNO3)和过硫酸钾(K2S2O8)对钌去除速率的影响。结果表明,在钾离子浓度相同的条件下,3种钾...
关键词：钌 化学机械抛光 过硫酸钾 去除速率 表面粗糙度 
集成电路铜互连钌阻挡层异质材料去除选择性的研究被引量：3
《电镀与涂饰》2020年第1期49-53,共5页王子艳 周建伟 王辰伟 张佳洁 张雪 王超 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)
针对集成电路铜互连钌阻挡层异质材料(包括Cu、Ru、TEOS)在化学机械抛光(CMP)中选择性差的问题,在SiO_(2)-H_(2)O_(2)体系抛光液中研究了(NH_(4))_(2)SO_(4)和2,2′{[(甲基1H苯并三唑1基)甲基]亚氨基}双乙醇(TT)对Cu、Ru、TEOS去除速率...
关键词：铜 钌 二氧化硅 化学机械抛光 硫酸铵 2 2′{[(甲基1H苯并三唑1基)甲基]亚氨基}双乙醇 
氧化剂对铝栅化学机械抛光的影响被引量：1
《电镀与精饰》2020年第1期18-21,共4页张金 刘玉岭 闫辰奇 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308);唐山市科技计划项目(17110225a);唐山学院博士创新基金资助项目(tsxybc201805);唐山师范学院博士基金项目(2018A02);唐山市科技计划应用基础研究项目(18130231a)。
氧化剂作为抛光液的组成成分,在铝栅化学机械抛光(CMP)中起到直接影响去除速率和表面粗糙度的重要作用。本文研究了氧化剂浓度对去除速率、表面粗糙度、电化学特性的影响,采用原子力显微镜和CHI600E电化学工作站,分别测量了材料的表面...
关键词：CMP 去除速率 铝栅 表面粗糙度 氧化剂 
化学机械抛光后清洗工艺对多孔低k介质的影响被引量：3
《电镀与涂饰》2019年第8期338-343,共6页韩春宇 檀柏梅 高宝红 杨柳 刘宜霖 王昊 藏俊生 王慧 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2016ZX02301003-004-007);国家青年自然科学基金(61704046);河北省自然科学基金(F2018202174)
对多孔低k介质BD(Black Diamond)光片化学机械抛光(CMP)后,采用由150 mg/L FA/O Ⅱ型螯合剂与750 mg/L FA/O Ⅱ型表面活性剂组成的碱性清洗液(pH=10.4)进行清洗。探究了清洗过程中刷子间距、刷子转速,以及清洗液和去离子水刷洗时间对BD...
关键词：多孔绝缘介质 化学机械抛光 碱性清洗 相对介电常数 表面粗糙度 
阳离子型与非离子型表面活性剂的复配对阻挡层化学机械抛光的影响被引量：5
《电镀与涂饰》2018年第24期1119-1122,共4页王建超 刘玉岭 牛新环 杨盛华 张凯 周佳凯 张辉辉 
河北省研究生创新资助项目(220056);国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308);河北省青年自然科学基金(F2015202267);国家自然科学基金(61504037)
通过化学机械抛光(CMP)对铜晶圆表面进行平坦化处理,研究了碱性抛光液中阳离子型表面活性剂FAOA和非离子型表面活性剂AEO复配对表面缺陷去除效果的影响。结果显示:抛光液中加入3～10 mL/L FAOA后,晶圆表面缺陷数量从大于30 000个降到1 ...
关键词：铜晶圆 阻挡层 化学机械抛光 表面活性剂 复配 
双氧水稳定剂对碱性铜膜抛光液稳定性的影响被引量：1
《微纳电子技术》2018年第11期840-843,854,共5页王建超 刘玉岭 牛新环 张凯 
国家自然科学基金资助项目(61504037);国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308);河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267);河北省研究生创新资助项目(220056)
化学机械抛光（CMP）是多层铜布线的关键技术之一。随着集成电路的发展,碱性抛光液将逐渐成为研究热点。而双氧水作为抛光液中最常用的氧化剂,其最大问题是导致抛光液不稳定。在此基础上研究了双氧水稳定剂（聚天冬氨酸钾（PASP））对...
关键词：铜 化学机械抛光(CMP) 双氧水 稳定剂 去除速率 
集成电路制造业用高分子聚合物抛光垫专利分析被引量：2
《电镀与涂饰》2018年第17期789-799,共11页刘国瑞 刘玉岭 石瑛 王艳梅 牛新环 张文倩 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);河北省研究生创新资助项目(220056);河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100)
借助Questel公司的Orbit专利数据库,对近27年内12 087个与化学机械抛光(CMP)用高分子聚合物抛光垫相关的专利族(其中含有2918个核心专利族)进行分析,得出此领域全球专利申请量、申请趋势、专利法律状态、专利公开区域、专利权人分布、...
关键词：集成电路 化学机械抛光 高分子聚合物抛光垫 专利分析 技术定位 
碱性CMP表面活性剂对硅衬底表面状态的影响被引量：1
《微纳电子技术》2018年第6期433-437,共5页洪姣 刘国瑞 牛新环 刘玉岭 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007)
主要研究了硅衬底碱性精抛液中表面活性剂对硅衬底表面粗糙度、表面缺陷以及抛光雾的影响。实验结果表明，随着硅衬底精抛液中表面活性剂体积分数由0％增加到1％，表面粗糙度和表面缺陷数量都呈现出迅速降低的变化趋势，表面活性剂对降...
关键词：碱性抛光液 硅衬底 化学机械抛光(CMP) 表面粗糙度 表面缺陷 抛光雾 
无氧化剂条件下铜钴CMP去除速率的控制被引量：2
《微纳电子技术》2018年第1期57-62,共6页张文倩 刘玉岭 王辰伟 牛新环 杜义琛 季军 韩丽楠 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100);河北省研究生创新资助项目(220056)
利用不含氧化剂的碱性抛光液对铜和钴进行化学机械抛光,深入分析了抛光液组分包括硅溶胶磨料、FA/O螯合剂以及非离子表面活性剂对两种金属去除速率的影响规律及作用机理。实验结果表明,铜和钴的去除速率随着磨料质量分数的增加而升高,...
关键词：阻挡层 化学机械抛光(CMP) 钴 去除速率 碱性抛光液 表面粗糙度 
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