硅圆片

作品数：28被引量：16H指数：2
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Ⅱ-Ⅵ Advanced公司展示首款200mm碳化硅圆片被引量：2
《半导体信息》2015年第4期17-17,共1页科信 
II—VI Advanced Materials是一家生产单晶体碳化硅衬底和采用化学气相沉积法生长的多晶体金刚石材料的美国供应商，近期在瑞士斯德哥尔摩举办的2015年化合物复合半导体制造科技会议上发布了世界上首款200mm直径的碳化硅圆片。
关键词：碳化硅衬底 硅圆片 化学气相沉积法 金刚石材料 半导体制造 斯德哥尔摩 供应商 多晶体 
硅圆片等离子表面活化直接键合工艺研究被引量：1
《电子世界》2012年第21期103-104,共2页黄蓉 聂磊 文昌俊 余军星 
利用等离子轰击硅圆片表面,可提高其表面能,实现直接键合。在严格控制好工艺参数的情况下,用等离子体对硅圆片表面进行活化,能大大的提高键合强度,产生极少的空洞或空隙,得到一个较好的键合效果。本文针对等离子表面活化的工艺特点,选...
关键词：等离子 表面活化 关键因素 
硅圆片多层直接键合工艺研究被引量：2
《半导体光电》2011年第6期800-802,843,共4页聂磊 钟毓宁 张业鹏 何涛 胡伟男 
国家自然科学基金项目(50805061);湖北省教育厅科研项目(Q20111405)
多层圆片键合是实现三维垂直互连封装的重要工艺步骤。利用紫外辅助表面活化技术,实现了多层硅圆片的直接键合。实验将清洗后的硅圆片放置在紫外光下进行照射,经过3min的光照后显著提高了表面能,在不借助外力及电压的情况下,实现了自发...
关键词：多层键合 直接键合 三维封装 紫外 
硅圆片表面活化工艺参数优化研究被引量：4
《功能材料》2011年第3期467-470,共4页聂磊 阮传值 廖广兰 史铁林 
国家自然科学基金资助项目(50805061;50975106);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2009CB724204)
利用正交实验,对单晶硅表面活化工艺中重要参数对活化效果的影响进行了研究,并优化了工艺。实验针对RCA活化溶液处理工艺的特点,选择溶液配比、处理时间和温度3个重要因素为研究对象,以30%盐水为测试液,以接触角为指标,评估了这3个因素...
关键词：单晶硅 表面活化 直接键合 参数优化 
MEMC与无锡尚德签署为期10年的圆片供应合同
《电子工业专用设备》2006年第8期63-63,共1页
MEMC Electronic Materials Inc．近期宣布，公司与中国无锡尚德签订了关于太阳能级硅圆片供给的最终捆绑协议。
关键词：硅圆片 无锡 合同 供应 签署 INC 
什么是晶圆？
《电源世界》2006年第5期58-58,共1页
晶圆多指单晶硅圆片，由普通硅沙拉制提炼而成，是最常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近年来发展出12英寸甚至更大规格。
关键词：晶圆 半导体材料 硅圆片 规格 单晶 
“中芯国际”天津硅圆片生产线(8时)月产量破1．8万片
《功能材料信息》2006年第4期43-43,共1页潘雄 
据有关媒体报导，国内同行业中，投资规模最大的中芯国际集成电路制造公司天津硅圆片生产线改造项目，已于不久前基本完成了厂房净化和部分动力、环安设施改造工程，并使8英寸硅圆片月产量首次突破了1．8万片，进一步提升了天津电子信...
关键词：硅圆片 生产线 天津 产量 国际 集成电路制造 电子信息产业 改造项目 
IMEC生产出具有高一致性AlGaN/GaN外延层的150mm硅圆片
《半导体信息》2006年第4期14-14,共1页程文芳 
关键词：ALGAN/GAN 外延层 IMEC 圆片 气相外延 硅衬底 金属有机物 异质结 低电阻率 可重复性 
玻璃中介硅圆片键合研究被引量：1
《半导体技术》2006年第4期269-271,294,共4页聂磊 史铁林 廖广兰 钟飞 
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2003CB716207);国家自然科学基金青年基金项目(50405033)
研究了玻璃中介圆片键合的方法。当采用低转化温度的玻璃粉末为中介玻璃层时,可在410℃实现强度较好的硅圆片键合,而如果将温度提高到430℃,键合强度可以达到4MPa。
关键词：玻璃 圆片键合 键合强度 
硅圆片出货量预测
《电子产品世界》2005年第12A期48-48,共1页
SEMI调查显示，世界硅圆片出货量将保持和增长的势头，将从2004年62.6亿平方英寸增长到2008年81.9亿平方英寸．年均增长率7％。
关键词：硅圆片 预测 年均增长率 SEMI 平方 
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