负阻

作品数：315被引量：294H指数：7
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：郭维廉张世林张波李泽宏郑云光更多>>
相关机构：天津大学东南大学电子科技大学中国科学院更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划天津市自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=半导体技术x
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
一种无电感高线性有源混频器的设计
《半导体技术》2017年第5期335-339,399,共6页周雅 
河南省教育厅科学技术研究重点项目(16A413013);河南省科技攻关项目(172102210465);许昌市科技发展计划项目(1502094);许昌学院优秀青年骨干教师资助项目
提出了一种基于负阻退化技术的2.4 GHz高线性亚阈值混频器,该混频器相对于传统结构而言,增加了两个交叉耦合电容。由于该结构的内部负阻退化技术抵消了寄生电容,因而降低了寄生电容对增益和线性度的影响,改善了增益和线性度。采用基于Vo...
关键词：负阻退化 亚阈值 高线性 低功耗 无电感 
基于InGaP/GaAs HBT工艺X波段低相噪压控振荡器被引量：1
《半导体技术》2016年第6期421-424,共4页陈君涛 李世峰 
基于InGaP/GaAs异质结双极晶体管（HBT）工艺设计了一款X波段低相噪单片集成压控振荡器（VCO）,该VCO采用Colpitts双推（push-push）电路结构,芯片上集成了负阻振荡电路、分布式谐振器、变容二极管和耦合输出电路。通过优化HBT器件尺寸...
关键词：InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT) 压控振荡器(VCO) 双推(push-push)电路 负阻 相位噪声 
基于负阻MMIC的新型VCO研制被引量：9
《半导体技术》2012年第12期909-912,933,共5页郭文胜 陈君涛 邓海丽 
提出了一种基于负阻单片微波集成电路的新型压控振荡器(VCO)的设计方法,即负阻电路采用GaAs HBT工艺设计流片,调谐选频电路采用薄膜混合集成工艺制作。利用微封装技术将二者结合构成完整的VCO。这种新型VCO既具有单片微波集成电路的小...
关键词：负阻单片微波集成电路(MMIC) 压控振荡器 砷化镓异质结三极管 相位噪声 小型化 
表面型静电感应晶闸管负阻导通特性的研究
《半导体技术》2010年第4期325-328,共4页季涛 杨利成 
上海市高校选择培养优秀青年教师科研专项基金资助(gid-07037)
运用漂移-扩散模型,对表面型静电感应晶闸管的导通特性进行了数值模拟。分析表明,表面型静电感应晶闸管(SITH)具有与纵向结构SITH类似的负阻导通特性,而且表面型结构的各电极相对面积比纵向结构要小很多,阴极和栅极之间的电容更小,从而...
关键词：静电感应晶闸管 表面型 双注入效应 势垒 鞍点 
宽带HBT VCO单片电路的设计和制作被引量：1
《半导体技术》2010年第1期8-13,共6页陈凤霞 蔡文胜 戚伟 李远鹏 
国家重点基础研究发展计划资助(2009CB320200)
针对传统采用的VCO设计理论,分析了VCO的基本结构及其工作原理,分析了负阻法和反馈法的优缺点,采用虚地法对VCO电路进行了分析和设计,从而简化了VCO的设计。同时利用EDA工具对微波宽带VCO单片电路进行优化和仿真,采用多种方法提高芯片...
关键词：压控振荡器 频率 虚地 负阻 异质结双极晶体管 
虚地反馈法设计GaAs HBT微波宽带VCO单片电路被引量：3
《半导体技术》2009年第5期510-514,共5页默立冬 陈凤霞 李远鹏 
给出了采用虚地和反馈等原理实现振荡器设计的方法,该方法改变了设计振荡器的传统观念,不同形式的振荡电路总是可以变成放大器和移相选频网络级联,后经反馈构成。并给出了完整的计算公式和设计过程,另外还对虚地法进行了改进,解决了设...
关键词：虚地 反馈 负阻 压控振荡器 S参数 振荡器稳定性 
平面型RTD制作过程中的两个关键工艺被引量：1
《半导体技术》2008年第4期328-332,共5页陈乃金 郭维廉 牛萍娟 王伟 于欣 张世林 梁惠来 
安徽省教育厅自然科学资金资助项目(KJ2007B247);安徽省高等学校青年教师科研资助计划自然科学基金(2007jq1086);安徽工程科技学院青年教师科研自然科学基金(2005YQ007)
采用n+GaAs衬底和自对准B离子注入技术制作了平面型共振隧穿二极管,深入讨论其制作过程中几个关键问题,包括离子注入能量与剂量的选择、RTD负阻区表观正阻现象等,并系统地研究了快速合金工艺温度和时间对于制作良好欧姆接触和消除负阻...
关键词：平面型共振隧穿二极管 负阻区表观正阻 离子注入 快速合金 欧姆接触 
新型恒压控制型负阻HBT的研制进展
《半导体技术》2007年第7期553-557,共5页齐海涛 郭维廉 张世林 
国家重点基础研究发展规划项目(2002CB311905);中国博士后科学基金资助(20060400189)
研究了HBT产生负阻的可能机制,通过对材料结构和器件结构的特殊设计,采用常规台面HBT工艺,先后研制出3类高电流峰谷比的恒压控制型负阻HBT。超薄基区HBT的负阻特性是由超薄基区串联电阻压降调制效应造成的,在GaAs基InGaP/GaAs和AlGaAs/G...
关键词：负阻 异质结双极晶体管 电流峰谷比 
新型无LC元件脉冲振荡电路的设计被引量：1
《半导体技术》2005年第5期69-70,43,共3页李凤银 王佳琴 
只用两个同极性的晶体管,设计成一个两端负阻电路,无须外加任何储能用的电感、电容等元件,其自身就能产生三角形脉冲波形,并能稳定地产生周期性的持续脉冲振荡。
关键词：负阻电路 脉冲振荡 设计 
硅光电负阻器件的光电功能被引量：3
《半导体技术》2000年第5期17-21,共5页张世林 郭维廉 沙亚男 李树荣 郑云光 
天津市自然科学基金!983601411
全面介绍了从硅光电负阻器件上发现的几种光电控制功能，为进一步开发应用这类器件奠定了基础。
关键词：光电负阻器件 光控电流开关 光控调频 光电功能 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部