云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 负阻

负阻: 作品数：315被引量：294H指数：7; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：郭维廉张世林张波李泽宏郑云光更多>>; 相关机构：天津大学东南大学电子科技大学中国科学院更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划天津市自然科学基金北京市自然科学基金更多>>

一种高性能InP基谐振隧穿二极管的研制: 《Journal of Semiconductors》2007年第12期1945-1948,共4页齐海涛冯震李亚丽张雄文商耀辉郭维廉; 国防科技重点实验室基金(批准号:9140C060203060C0603);中国博士后科学基金(批准号:20060400189)资助项目~~; 设计并用分子束外延技术生长了InP基InGaAs/AlAs体系RTD材料,采用传统湿法腐蚀、光学接触式光刻、金属剥离、台面隔离和空气桥互连工艺,研制出了具有优良负阻特性和较高阻性截止频率的InP基RTD单管.器件正向PVCR为17.5,反向PVCR为28,峰...; 关键词：谐振隧穿二极管 INP 负阻阻性截止频率

自组装Si量子点阵中室温共振隧穿及微分负阻特性: 《Journal of Semiconductors》2006年第z1期15-19,共5页余林蔚陈坤基宋捷王久敏王祥李伟黄信凡; 国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610503)和国家自然科学基金(批准号:90101020,90301009,10174035)资助项目 Project supported by the State Key Development Program for Basic Research of China(No. 2001CB610503) and the National Natural Science Foundation of China(Nos.90101020,90301009,10174035); 报道了自组装Si量子点(Si-QDs)阵列在室温下的共振隧穿及其微分负阻特性.在等离子增强化学气相沉淀系统中,采用layer-by-layer的淀积技术和原位等离子体氧化方法制备了Al/SiO2/Si-QDs/SiO2/Substrate双势垒结构.通过原子力显微镜和透射...; 关键词：Si量子点阵列 NDR 共振隧穿

负阻异质结晶体管的模拟与实验: 《Journal of Semiconductors》2005年第12期2416-2421,共6页李建恒张世林郭维廉齐海涛梁惠来毛陆虹; 国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB311905)~~; 采用MBE方法生长了8nm基区的InGaP/GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管.在恒压恒流条件下均观察到了负阻特性并对其物理机制进行了讨论.推导出集电极电流IC与VCE的关系表达式,讨论了负阻与器件结构和参数的关系.使用PSP...; 关键词：异质结晶体管负阻特性薄基区电路模拟

基于MEMS技术新型硅磁敏三极管负阻-振荡特性被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2005年第6期1214-1217,共4页赵晓锋温殿忠; 国家自然科学基金资助项目(批准号:60076027)~~; 介绍了一种新型硅磁电负阻振荡器件———S型负阻振荡硅磁敏三极管.该器件是基于MEMS技术在p型高阻单晶硅片上制作的具有立体结构的新型磁电转换器件,采用KOH各向异性腐蚀技术实现发射区及引线的制作.实验结果表明,集电极电流随外加磁...; 关键词：MEMS S型负阻-振荡特性硅磁敏三极管雪崩倍增效应

电阻栅结构负阻异质结双极晶体管被引量：4: 《Journal of Semiconductors》2005年第6期1218-1223,共6页郭维廉齐海涛张世林钟鸣梁惠来毛陆虹宋瑞良胡海洋; 国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB11905)~~; 设计并研制成功了具有电阻栅结构的n-InGaP/p-GaAs/n-GaAs负阻异质结双极晶体管.研制出的器件IV特性优于相关文献的报导;得到了恒定电压和恒定电流两种模式的负阻特性曲线;对两种模式负阻特性产生的物理机制进行了解释;最后对此器件的...; 关键词：异质结双极晶体管负阻器件电阻栅

新型高频硅光电负阻器件的特性模拟及测试分析被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2004年第5期573-578,共6页朱胜利姚素英郑云光李树荣张世林郭维廉; 给出了达林顿 λ型光电双极晶体管 (DPL BT)的结构及其等效电路 ,并以此等效电路为基础 ,用 PSPICE电路模拟程序对 DPL BT的电学特性 (IC- VCE)进行了模拟 ,对所研制的 DPL BT器件进行了测试 ,并对模拟和实验结果作了深入分析 ,其 IC- ...; 关键词：光电负阻器件光电双极晶体管模拟

一种新型结构的光电负阻器件被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2003年第10期1078-1083,共6页李丹李树荣夏克军郭维廉郑云光; 提出了一种新型结构的硅光电负阻器件———光电双耦合区晶体管 (photoelectricdualcoupledareatransistor,PDUCAT) ,它是由一个P+ N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的 .由于两个NPN管到光电二极管的距离不同 ,使得它们对光...; 关键词：光电器件负阻模拟晶体管

光电双基区晶体管的工作机理被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2003年第8期850-855,共6页夏克军李树荣李丹郑云光毛陆虹郭维廉; 通过分析光电双基区晶体管 (PDUBAT)内部载流子的二维传输过程 ,获得它的物理模型 ,得出PDUBAT是个新型光控振荡器的结论 ,并依此模型给出了它的等效电路 ,利用SPICE程序得到的一系列计算结果与实验结果是一致的 .结合这些计算结果 ,完...; 关键词：振荡器负阻光电器件模拟

表面杂质浓度分布对晶体管负阻特性的影响: 《Journal of Semiconductors》1998年第3期202-205,共4页裴素华薛成山赵善麒; 本文对镓、镓－硼两种基区的３ＤＤ２０２型晶体管负阻摆幅现象进行了比较和理论分析，证明了基区表面杂质浓度分布对器件发射极－集电极电压负阻特性有较大影响．; 关键词：晶体管表面杂质浓度分布负阻特性

双向S型负阻器件的二维数值模拟方法及模拟结果分析被引量：1: 《Journal of Semiconductors》1997年第4期302-307,共6页张富斌李建军魏希文; 国家自然科学基金; 本文介绍了一种对双向S型负阻器件（BNRD）进行二维数值模拟的方法．并用此方法模拟得出了器件的Ⅰ－Ⅴ曲线及截止状态和导通状态下器件的内部电位分布、电子空穴浓度分布和电流密度分布．由此可以更清楚地了解器件的工作机理．此外还...; 关键词：负阻器件双向S型二维数值模拟

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