半导体表面

作品数：76被引量：47H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：于国浩张宝顺蔡勇黄维吴蕴雯更多>>
相关机构：中国科学院复旦大学电子科技大学国际商业机器公司更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金内蒙古自治区自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=Journal of Semiconductorsx
共 条 记 录，以下是1-9
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
用Franz-Keldysh效应研究GaAs表面硫化学钝化被引量：1
《Journal of Semiconductors》1999年第11期1004-1009,共6页廖友贵 金鹏 李乙钢 张存洲 潘士宏 梁基本 
国家自然科学基金
硫钝化是一种比较有效的钝化ＧａＡｓ 表面的方法．本文使用Ｎａ２Ｓ、Ｓ２Ｃｌ２ 和ＣＨ３ＣＳＮＨ２三种化学试剂对表面本征层重掺杂层（ｓｉｎ＋ ）结构的ＧａＡｓ 样品进行了钝化，利用光调制反射谱观察到许多个Ｆｒａｎｚ...
关键词：砷化镓 硫钝化 F-K效应 半导体表面 
GaAs表面的室温光致氮化被引量：1
《Journal of Semiconductors》1995年第9期721-724,共4页徐前江 丁训民 侯晓远 
国家自然科学基金;李政道实验室正大基金
在纯氮气体起辉放电产生的紫外光的激励下，到达ＧａＡｓ表面的Ｎ２会离解并和Ｇａ、Ａｓ原子成键，Ｘ射线光电子能谱测量结果证实了这一设想．
关键词：砷化镓 半导体表面 光致氮化 室温 
表面势阱对硅场发射的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》1995年第8期587-593,共7页黄庆安 
东南大学青年科学基金
本文比较了半导体硅与金属场发射过程的差别，建立了表面势阱作用下硅场致发射的基本方程．用ＷＫＢ近似，求出了硅场致发射的电流－电场关系．
关键词：硅 场发射 表面势阱 半导体表面 
同步辐射光电子能谱研究室温下Na对InP（100）表面氮化反应的影响
《Journal of Semiconductors》1995年第5期395-400,共6页季航 赵特秀 王晓平 吴建新 徐彭寿 陆尔东 许振嘉 
国家自然科学基金
利用同步辐射光电子能谱研究了室温下Ｎａ吸附下于Ｐ型ＩｎＰ（１００）表面对其氮化反应的影响．通过Ｐ２ｐ、Ｉｎ４ｄ芯能级谱的变化，对Ｎａ／ＩｎＰ（１００）表面的氮化反应的研究表明，碱金属Ｎａ的吸附对ＩｎＰ（１００）无明显...
关键词：磷化铟 半导体表面 氮化反应 光电子能谱 钠 
碱金属Rb在InP（100）表面的催化氧化作用
《Journal of Semiconductors》1995年第4期296-302,共7页徐彭寿 徐世红 朱警生 刘先明 麻茂生 张裕恒 许振嘉 
国家自然科学基金
我们用ＸＰＳ和ＵＰＳ研究了氧在Ｒｂ复盖的和清洁的ＩｎＰ（１００）表面的吸附行为．实验结果表明，碱金属可以使衬底的氧化能力大大增加．在氧的暴露量低于１Ｌ时，氧主要吸附在碱金属原子之间的ＩｎＰ衬底上，且位于Ｒｂ原子层之下...
关键词：磷化铟 铷 催化氧化 碱金属 半导体表面 
离子溅射在GaP极性表面引起的损伤及其消除
《Journal of Semiconductors》1994年第11期790-794,共5页卢学坤 侯晓远 丁训民 王迅 
离子束处理在器件工艺和材料表征技术中有着广泛的应用．本文采用低能电子衍射、Ｘ光电子能谱和角分辨紫外光电子能谱对ＧａＰ极性表面经Ａｒ离子溅射后的损伤情况进行了研究．主要探讨表面损伤及其消除、表面能带弯曲等问题．
关键词：磷化镓 离子溅射 极性 半导体表面 损伤 消除 
极性半导体中表面激子的性质被引量：3
《Journal of Semiconductors》1993年第2期67-75,共9页孙宝权 肖景林 
内蒙古自然科学基金
本文研究极性半导体中表面激子的性质,采用微扰法导出表面激子的有效哈密顿量。在计及反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论对电子、空穴间的相互作用的有效势、表面激子的自陷能和自陷条件的影响。
关键词：极性半导体 激子 半导体表面 性质 
半导体表面晶体完整性的SEM电子通道花样研究
《Journal of Semiconductors》1991年第1期23-27,共5页邱素娟 林奇全 
本文对各种GaAs晶体表面作了SEM电子通道技术测量,对测得的电子通道花样进行了结晶学注释,确定了评价晶体完整性的标准。可广泛用来检查和评估半导体表面的晶体完整性.
关键词：GAAS晶体 SEM 电子通道像 
半导体表面附近施主原子电离能计算被引量：2
《Journal of Semiconductors》1983年第4期313-320,共8页刘振鹏 
利用一维化Euler方程的方法计算了表面附近施主原子电离能.结果表明,当核处于表面上时,该一维方程具有与Levine精确解相匹配的解析解,且定量地符合Hellmann-Feynman定理的要求;当核远离表面时,方程的渐近解与自由施主原子一致.
关键词：方程 电离能 解析解 边界条件 施主原子 半导体表面 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部