NMOS

作品数：211被引量：189H指数：6
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180 nm嵌入式闪存工艺中高压NMOS器件工艺加固技术
《物理学报》2022年第23期347-354,共8页陈晓亮 孙伟锋 
抗辐射嵌入式闪存工艺在航空航天领域应用广泛,其中高压NMOS器件对总剂量辐射效应最敏感,对该器件进行加固是提高芯片抗辐射能力的关键之一.本文采用浅槽隔离(STI)场区离子注入工艺对180 nm嵌入式闪存工艺中的高压NMOS器件进行加固,实...
关键词：总剂量辐射效应 工艺加固 高压器件 嵌入式闪存 
应变Si NMOS积累区电容特性研究
《物理学报》2013年第5期369-374,共6页王斌 张鹤鸣 胡辉勇 张玉明 舒斌 周春宇 李妤晨 吕懿 
国家部委项目(批准号:51308040203;6139801);中央高校基本科研业务费(批准号:72105499;72104089);陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2010JQ8008)资助的课题~~
积累区MOS电容线性度高且不受频率限制,具有反型区MOS电容不可比拟的优势.本文在研究应变Si NMOS电容C-V特性中台阶效应形成机理的基础上,通过求解电荷分布,建立了应变Si/SiGe NMOS积累区电容模型,并与实验结果进行了对比,验证了模型的...
关键词：应变SI NMOS 积累区电容 台阶效应 电荷分布 
基于深亚微米工艺的栅接地NMOS静电放电保护器件衬底电阻模型研究被引量：5
《物理学报》2013年第4期424-430,共7页吴晓鹏 杨银堂 高海霞 董刚 柴常春 
国防预研究基金(批准号:9140A23060111);中央高校基本科研业务费(批准号:K50510250002);陕西省科技统筹创新工程计划(批准号:2011KTCQ01-19)资助的课题~~
在考虑了电导率调制效应的情况下对深亚微米静电放电(electrostatic discharge,ESD)保护器件的衬底电阻流控电压源模型进行优化,并根据轻掺杂体衬底和重掺杂外延型衬底的不同物理机制提出了可根据版图尺寸调整的精简衬底电阻宏模型,所...
关键词：栅接地n型金属氧化物半导体器件 静电放电 衬底电阻模型 
栅长对PD SOI NMOS器件总剂量辐照效应影响的实验研究被引量：1
《物理学报》2012年第24期125-130,共6页彭里 卓青青 刘红侠 蔡惠民 
国家自然科学基金(批准号:61076097;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:20110203110012)资助的课题~~
本文对PD SOI NMOS器件进行了60Coγ射线总剂量辐照的实验测试,分析了不同的栅长对器件辐射效应的影响及其物理机理.研究结果表明,短沟道器件辐照后感生的界面态密度更大,使器件跨导出现退化.PD SOI器件的局部浮体效应是造成不同栅长器...
关键词：PD SOI NMOS 总剂量辐照效应 栅长 偏置状态 
终端含NMOS反相器传输线系统中的时空复杂行为分析被引量：1
《物理学报》2012年第17期151-159,共9页邹建龙 沈瑶 马西奎 
国家自然科学基金(批准号:61001038)资助的课题~~
应用行波理论,建立了一个终端含N沟道金属氧化物半导体(N-channel metal oxide semiconductor;NMOS)反相器的传输线系统的非线性离散映射模型.对该模型进行仿真发现,反射系数的变化可能导致系统出现时空分岔和时空混沌等复杂的时空行为...
关键词：传输线 NMOS反相器 分岔 时空混沌 
源、漏到栅距离对次亚微米ggNMOS ESD保护电路鲁棒性的影响被引量：13
《物理学报》2010年第11期8063-8070,共8页张冰 柴常春 杨银堂 
国家自然科学基金(批准号:60776034)资助的课题~~
基于对静电放电(electrostatic discharge,ESD)应力下高电压、大电流特性的研究,本文通过优化晶格自加热漂移-扩散模型和热力学模型,并应用优化模型建立了全新的0.6μm CSMC6S06DPDM-CT02CMOS工艺下栅接地NMOS(gate grounded NMOS,ggNMO...
关键词：栅接地NMOS 静电放电 漏接触孔到栅的距离 源接触孔到栅的距离 
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