P型GAN

作品数：29被引量：48H指数：4
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高温AlN模板上p型GaN的生长研究
《Journal of Semiconductors》2008年第1期128-132,共5页刘挺 邹泽亚 王振 赵红 赵文伯 罗木昌 周勋 杨晓波 廖秀英 
重庆市科技攻关计划资助项目(批准号:2005AA4006-B7)~~
利用低压金属有机物化学气相沉积技术,采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法,分别在氮化镓(GaN)和高温氮化铝(HT-AlN)模板上,生长了p型GaN外延材料.生长后,双晶X射线衍射和霍尔测试结果表明:HT-AlN模板上采用渐变Mg-δ掺杂方法生长的p型GaN...
关键词：高温A1N 渐变δ掺杂 均匀掺杂 金属有机物化学气相沉积 P型GAN 
p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期372-375,共4页王彦杰 杨子文 廖辉 胡成余 潘尧波 杨志坚 章蓓 张国义 胡晓东 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60477011,60476028,60406007,60276010)
运用传输线方法(TLM)测量了p型GaN合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和p型GaN接触处的电流密度与电压(J-V)的关系.在考虑热发射机制和镜像力的基础上,通过对p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性分析...
关键词：P-GAN 传输线 镜像力 Ni/Au电极 
p型GaN欧姆接触的比接触电阻率测量被引量：6
《Journal of Semiconductors》2005年第5期965-969,共5页薛松 韩彦军 吴震 罗毅 
国家重点基础研究发展规划(批准号:TG2000036601);国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA312190;2002AA31119Z);国家自然科学基金(批准号:60244001)资助项目~~
采用多种传输线模型方法,测量了p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率.通过比较和分析不同测量方法所得的结果之间的差异,得出了一个准确、可靠测量p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率的方法———圆点传输线模型方法.利用该方法优化了p型Ga...
关键词：p型氮化镓 比接触电阻率 传输线模型 圆形传输线模型 
p型GaN的掺杂研究被引量：5
《Journal of Semiconductors》2005年第3期508-512,共5页金瑞琴 朱建军 赵德刚 刘建平 张纪才 杨辉 
采用正交实验设计方法设计p型GaN的生长，通过较少的实验，优化了影响p型GaN性质的三个生长参数：Mg流量、生长温度和Ⅴ／Ⅲ比．过量的Mg源流量、过高的生长温度、过大的Ⅴ／Ⅲ比都会降低自由空穴浓度.还研究了退火温度对p型GaN的载流...
关键词：GAN 掺杂 光致发光 热退火 
MOCVD生长P型GaN的掺Mg量的研究被引量：6
《Journal of Semiconductors》2000年第4期365-368,共4页李述体 王立 彭学新 熊传兵 姚冬敏 辛勇 江风益 
国家 8 63新材料领域;国家自然科学基金;江西省跨世纪人才基金
使用 MOCVD技术在 Al2 O3衬底上生长了 Ga N∶ Mg薄膜 .通过对退火后样品的光电性能综合分析 ,研究了掺 Mg量对生长 P型 Ga N的影响 .结果表明 :要获得高空穴载流子浓度的 P型 Ga N,Mg的掺杂量必须控制好 .掺 Mg量较小时 ,Ga N∶ Mg单...
关键词：MOCVD 氮化镓 镁 掺杂 薄膜 
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