P型GAN

作品数：29被引量：48H指数：4
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相关作者：韩军邢艳辉董建新杨志坚赵德刚更多>>
相关机构：中国科学院西安电子科技大学北京工业大学电子科技大学更多>>
相关期刊：《高技术通讯》《半导体技术》《发光学报》《物理学报》更多>>
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p型GaN上Pd/NiO/Al/Ni反射电极欧姆接触的热稳定性研究被引量：1
《半导体光电》2020年第2期242-246,共5页左秉鑫 曾昭烩 李祈昕 李叶林 刘宁炀 赵维 陈志涛 李云平 
广州珠江科技新星项目支持项目(201806010087).
研究了p型GaN上Pd/NiO/Al/Ni反射电极欧姆接触的比接触电阻率、热稳定性,以及光学反射率。与传统Pd/Al/Ni电极相比,Pd/NiO/Al/Ni电极的欧姆接触在氮气环境中经300℃下热处理10min后,仍保持低比接触电阻率(小于5×10-4Ω·cm2)和高反射率...
关键词：GAN 电极材料 欧姆接触 热稳定性 倒装紫外LED芯片 
低源流量Delta掺杂p型GaN外延薄膜的研究被引量：2
《半导体光电》2016年第2期229-231,237,共4页王凯 邢艳辉 韩军 赵康康 郭立建 于保宁 李影智 
国家自然科学基金项目(61204011;11204009;6107026);国家自然科学基金重点基金项目(U103760);北京市自然科学基金项目(4142005)
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶Mg薄膜。首先,对Delta掺杂p型GaN的掺杂源流量进行优化研究,研究发现在较低46cm^3/min的CP_2Mg源流量下,晶体质量和导电性能都有所改善,获得了较高空穴浓度,为8.73×10^...
关键词：薄膜 P型GAN Delta掺杂 低源流量 金属有机物化学气相沉积 
Ni层厚度对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性的影响被引量：2
《半导体光电》2014年第5期850-854,共5页周勋 罗木昌 赵文伯 黄烈云 
对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性与Ni金属层厚度之间的相关性进行了对比实验研究,利用XRD衍射结果与表面金相显微分析手段对Ni/Au双层金属电极在合金退火过程中的行为特性进行了细致探讨。分析结果表明:在Ni/Au电极结构中,由双层互扩散机制与...
关键词：P型GAN 欧姆接触 Ni/Au电极 Ni层厚度 
InGaN绿光LED中p型GaN层的优化设计被引量：1
《半导体光电》2013年第1期20-24,共5页郝锐 马学进 马昆旺 周仕忠 李国强 
国家自然科学基金项目(51002052);广东省重大科技专项项目(2011A080801018);广东省战略新兴产业LED专项资金项目(2011A0813010101)
InGaN绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得该结构的稳定性下降。由于量子阱结构生长完成之后的p型GaN的生长温度要远高于量子阱结构生长温度,因此,p型GaN的生长过程对多量子阱质量有重大影响。论文...
关键词：INGAN 绿光LED P型GAN 外延生长 X射线衍射 
二次退火对P型GaN的应变影响
《半导体光电》2008年第3期374-378,共5页周勋 左长明 邹泽亚 廖秀英 姬洪 罗木昌 刘挺 赵红 
采用LP-MOCVD在蓝宝石基片上外延生长了Mg掺杂p-GaN,并对样品进行了退火处理。利用高分辨X射线衍射(HRXRD)对经不同退火时间处理后的样品进行了测试分析,从应变的角度对p型GaN中的杂质和缺陷行为特性进行了分析和探讨。结果表明:p型GaN...
关键词：GAN Mg掺杂 退火 应变 HRXRD 
p型GaN的渐变δ掺杂研究被引量：2
《半导体光电》2007年第6期825-828,共4页邹泽亚 刘挺 王振 赵红 赵文伯 罗木昌 杨谟华 
重庆市科技攻关项目(2005AA8006-B7)
采用MOCVD技术及渐变-δMg掺杂方法生长了p型GaN薄膜,对样品进行了两步退火处理以对Mg进行激活。通过Hall测试发现,经过950℃下的第一次退火后,样品空穴浓度为1.64×1016cm-3,电阻率为77.9Ω.cm。经过750℃下的第二次退火后,样品的空穴...
关键词：渐变δ掺杂 Mg掺杂 P型GAN 两步退火 MOCVD 
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