RIE

作品数：232被引量：392H指数：9
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反应离子刻蚀损伤对4H-SiC肖特基二极管性能的影响被引量：2
《半导体技术》2016年第5期384-389,共6页郭立建 韩军 邢艳辉 王凯 赵康康 于保宁 
国家自然科学基金资助项目(61204011;11204009);北京市自然科学基金资助项目(4142005);北京市教委能力提升资助项目(PXM2014_014204_07_000018)
通过反应离子刻蚀（RIE）系统地研究了射频功率、压强和气体流量对4H-Si C刻蚀的影响,并进一步研究了刻蚀损伤对金属场板结构4H-Si C肖特基势垒二极管电学性能的影响。研究表明,刻蚀速率和Si C表面形貌都会受到RF功率、压强和刻蚀气体（...
关键词：反应离子刻蚀(RIE) 碳化硅(SiC) 肖特基二极管 刻蚀损伤 电流-电压特性 
SiC材料的ICP-RIE浅槽刻蚀工艺被引量：1
《半导体技术》2014年第8期600-604,共5页闫锐 李亮 默江辉 崔玉兴 付兴昌 
介绍了用于SiC器件浅槽制作的ICP-RIE刻蚀原理,选用Cl2/Ar混合气体对SiC材料进行浅槽刻蚀,研究了ICP功率和RIE功率对刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角的影响,得到了刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角随刻蚀功率的变化规律。最...
关键词：SiC ICP-RIE 浅槽刻蚀 表面粗糙度 刻蚀倾角 
RIE对Ge衬底上制备亚波长结构形貌的影响被引量：1
《半导体技术》2010年第6期527-530,共4页郑倩 刘正堂 李阳平 张淼 车兴森 
航空科学基金资助项目(2008ZE53043)
利用反应离子刻蚀(RIE)技术在Ge衬底上制备宽波段亚波长结构,研究了不同SF6/O2比例条件下在不同刻蚀时间、压强和射频功率对结构形貌及刻蚀深度的影响,并用SEM对刻蚀图形的表面形貌进行了观察。结果表明,SF6易与衬底发生反应,生成挥发...
关键词：反应离子刻蚀 亚波长结构 挥发性产物 钝化膜 各向异性 
Al-Si合金RIE参数选择被引量：3
《半导体技术》2004年第11期19-21,共3页李希有 周卫 张伟 仲涛 刘志弘 
采用正交试验法对二手RIE刻Al设备A-360进行工艺参数选择试验,并以均匀性、刻蚀速率、对PR选择比为评价指标。试验中发现RF功率是影响各评价指标的最主要因素。通过进一步优化工艺,制定出了均匀性小于3%,刻蚀速率高于300nm/min,对PR选...
关键词：反应离子刻蚀 正交试验 Al刻蚀 刻蚀速率 
多晶硅超自对准技术在双极超高速器件工艺中的研究
《半导体技术》1996年第3期19-21,共3页余宽豪 
叙述了在硅双极型超高速工艺中研究使用的多晶硅超自对准技术（ＳＳＴ），通过对器件结构的比较，工艺特点的分析，进行了改善关键技术的探讨，并在我们现有基础条件下，开展了用ＳＳＴ研制晶体管的实验。
关键词：多晶硅 自对准 CVD RIE 
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