SI1-XGEX

作品数：29被引量：38H指数：4
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基于透射光谱确定微晶硅锗薄膜的光学常数被引量：2
《光电子．激光》2014年第1期107-112,共6页黄振华 张建军 倪牮 李天微 曹宇 王昊 赵颖 
国家重点基础研究发展计划(2011CBA00705;2011CBA00706;2011CBA00707);国家自然科学基金(61377031);天津市应用基础及前沿技术研究计划(12JCQNJC01000);中央高校基本科研业务费专项资金(65012371);高等学校博士学科点专项科研基金(20120031120044)资助项目
结合多层结构模型以及柯西色散公式,给出一种由透射谱提取微晶硅锗(μc-Si1-x Gex:H)薄膜光学常数的Matlab方法。与Swanepeol方法、PUMA(pointwise unconstrained minimization approach)方法相比,Matlab法通过透射率极值的位置而非幅...
关键词：微晶硅锗(μc-Si1-xGex H) 光学常数 Swanepeol法 ASA 
体硅上外延超薄Si1-xGex用于制备SGOI材料被引量：2
《功能材料与器件学报》2011年第2期147-150,共4页薛忠营 张波 魏星 张苗 
国家重点基础研究发展计划(2010CB832906);上海应用材料研究与发展基金(082SYA1001);新泰课题基金(092XTA1001)
采用减压化学气相沉积的方法在Si衬底上制备了高质量的Si0.75Ge0.25/Si/Si0.86Ge0.14叠层材料,通过TEM、光学显微镜和XRD分析表明,外延的SiGe薄膜具有完好的晶格结构,平整的表面质量,SiGe薄膜处于完全应变状态。通过与Si上外延渐变缓冲...
关键词：外延 应变 锗硅 SGOI 
生长参数对Si_(1-x)Ge_x∶C合金薄膜中元素分布的影响
《真空科学与技术学报》2008年第S1期52-55,共4页梅琴 韩平 王荣华 吴军 夏冬梅 葛瑞萍 赵红 谢自力 修向前 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划(No.2006CB604900);国家高技术研究发展规划(No.2006AA03A103;2006AA03A142);国家自然科学基金(No.60421003);高等学校博士学科点专项科研基金(No.20050284004);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(No.9140C1404010605)
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。本文通过能量色散谱仪(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)对合金薄膜的元素深度分布和表面形貌进行了表征,分析研究了外延层的生长温度、生长时间对Si1-xGex∶C合...
关键词：Si1-xGex∶C合金薄膜 扩散 能量色散谱仪 化学气相淀积 
生长温度对Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>∶C合金薄膜性质的影响
《稀有金属》2007年第S2期21-24,共4页夏冬梅 王荣华 王琦 韩平 谢自力 张荣 
国家重点基础研究发展规划基金(2006CB604907);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);2006年度国防科重点实验室基金(9140C1404010605)
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上制备Si缓冲层,继而外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。研究表明,较低的Si缓冲层或Si1-xGex∶C外延层生长温度均不利于获得理想的Si1-xGex∶C合金薄膜,仅在Si缓冲层和Si1-xGex∶C外延层的生长...
关键词：化学气相淀积 Si1-xGex∶C合金薄膜 生长温度 
带隙法测定SiGe/Si材料的应变状态被引量：3
《物理学报》2005年第9期4350-4353,共4页成步文 姚飞 薛春来 张建国 李传波 毛容伟 左玉华 罗丽萍 王启明 
国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312010);国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036603);国家自然科学基金(批准号:60336010)资助的课题.~~
从固体模型理论的结果出发,计算了生长于Si(100)衬底上x值小于0.85的Si1-xGex合金材料(能带结构为类Si结构)的间接带隙与应变的关系,结果表明,应变的SiGe材料的带隙和完全弛豫状态下材料的带隙之差与应变呈线性关系.基于这一结果,提出...
关键词：SIGE合金 应变 带隙 SIGE/SI 合金材料 间接测定 带隙 SI1-XGEX x射线双晶衍射法 SI(100) 应变弛豫 
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