SOI材料

作品数：103被引量：62H指数：4
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基于SOI材料的刻蚀光栅分波器的制作工艺
《Journal of Semiconductors》2005年第1期138-142,共5页王文辉 唐衍哲 戈肖鸿 吴亚明 杨建义 王跃林 
国家重点基础研究发展规划资助项目 (批准号 :G19990 3 3 10 4)~~
研究了基于绝缘材料上的硅 (SOI)材料的平面波导刻蚀光栅分波器的主要制作工艺 .利用电感耦合等离子体刻蚀 (ICP)技术 ,在SOI材料上制作了垂直度大于 89°的光滑的光栅槽面 .氧化抛光后刻蚀侧壁的表面均方根粗糙度 (RMS)有 3nm的改善 ,...
关键词：刻蚀光栅 波导镜 电感耦合等离子体刻蚀 绝缘材料上的硅 分波器 
SOI材料上硅薄膜电池的研究被引量：1
《太阳能学报》2004年第2期133-137,共5页吴虎才 许颖 王文静 励旭东 叶小琴 周宏余 
国家自然科学基金项目资助(60276032);北京市自然科学基金重点项目资助(2021010);国家重点基础研究发展规划(G2000028208)
用注氧隔离法在单晶硅衬底中形成SiO2隔离层,制备成SOI(SiliconOnInsulator)衬底,用快速化学汽相沉积(RTCVD)法在此衬底上制备硅薄膜,热扩散形成PN结,制备成薄膜太阳电池,电池表面钝化及减反膜采用的是等离子增强化学气相沉积(PECVD)方...
关键词：SOI 化学汽相沉积 薄膜 电池转换效率 
双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si的外延生长被引量：1
《Journal of Semiconductors》2003年第12期1289-1292,共4页谭利文 王俊 王启元 郁元桓 邓惠芳 王建华 林兰英 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (No.G2 0 0 0 0 3 65 )~~
利用 MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition)和 APCVD(atmosphere chemical vapor deposition)硅外延技术在 Si(10 0 )衬底上成功地制备了双异质 Si/γ- Al2 O3/Si SOI材料 .利用反射式高能电子衍射 (RHEED)、X射线衍射 (XRD)...
关键词：SOI MOCVD 双异质外延 Si/γ-Al2O3/Si 外延技术 
新型硅基双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si制备
《功能材料与器件学报》2003年第3期300-304,共5页王启元 谭利文 王俊 郁元桓 林兰英 
国家重点基础研究规划项目(973)"系统芯片中新器件新工艺的基础研究"TG2000036506资助
异质外延法是目前制备新型SOI材料的技术途径之一。采用低压化学气相沉积技术(LPCVD)在硅衬底上先外延γ-Al2O3绝缘单晶薄膜,制备出硅衬底上外延氧化物外延结构γ-Al2O3/Si(EOS),然后采用类似SOS薄膜生长的常压CVD(APCVD)方法在EOS上外...
关键词：Si/γ-Al2O3/Si SOI材料 异质外延法 LPCVD APCVD 晶体生长 EOS 
制备AlN薄膜为绝缘埋层的新型SOI材料被引量：2
《功能材料与器件学报》2002年第4期331-334,共4页门传玲 徐政 安正华 张苗 林成鲁 
国家重点基础研究专项经费G20000365;国家自然科学基金(No.69976034;No.90101012)
采用离子束增强技术(IBED)在100mm硅片上合成了AlN薄膜。以速率0.05nm/s蒸发高纯Al得到AlN样品,XPS结果证实了成功合成了AlN薄膜,其N/Al比为0.618:1,扩展电阻结果表明其绝缘性能良好,原子力显微镜(AFM)显示其表面平整光滑,均方根粗糙...
关键词：制备 绝缘埋层 ALN薄膜 键合 SOI 离子束增强沉积 氮化铝 
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